【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及存储器装置，且明确地说本专利技术涉及擦除快闪存储器装置。
技术介绍
存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许 多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机 存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和快闪存储器。快闪存储器是一种可以块的形式而不是以一次一个字节的方式擦除和重新编程的 类型的存储器。典型的快闪存储器包括存储器阵列，存储器阵列包含大量存储器单元。 所述存储器单元的每-者包含能够保存电荷的浮动栅极场效应晶体管。单元通常分组为 块。块内的单元的每一者可通过为浮动栅极充电而以随机方式被电编程。单元中的数据 由浮动栅极中存在或不存在电荷来确定。可通过块擦除操作从浮动栅极中去除电荷。图1说明对于快闪存储器块的典型现有技术擦除操作。存储块在执行擦除操作之前 首先被预编程101。接着，擦除存储块103。接着，执行擦除检验读取105。如果检验操 作失败，那么执行擦除操作103。如果通过擦除检验，那么已成功完成擦除操作107。对待擦除的存储器阵列进行预编程，以便减...
【技术保护点】
一种擦除包括多个存储块的快闪存储器装置的方法，每一存储块具有组织成列和行的多个存储器单元，所述方法包括：对第一存储块执行擦除操作；确定所述多个存储器单元中是否有任一者未被擦除；以及对所述未擦除的存储器单元执行选择性擦除操作。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-5-11 11/126,6821.一种擦除包括多个存储块的快闪存储器装置的方法，每一存储块具有组织成列和行的多个存储器单元，所述方法包括对第一存储块执行擦除操作；确定所述多个存储器单元中是否有任一者未被擦除；以及对所述未擦除的存储器单元执行选择性擦除操作。2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性擦除操作包括对每一包括未擦除的存 储器单元的行执行擦除操作。3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性擦除操作包括仅将包括未擦除的存储 器单元的行偏压在预定电位。4. 根据权利要求3所述的方法，其中所述预定电位是接地电位。5. 根据权利要求i所述的方法，其中确定所述多个存储器单元中是否有任一者未被擦除包括执行存储器读取操作。6. 根据权利要求5所述的方法，其中所述存储器读取操作包括依次将所述存储块的行 的每一者逐个地偏压在读取电位，同时将所述存储块的选定的列偏压在预充电电 压，将未选定的列偏压在接地电位，且将未选定的行偏压在预定VpASS电压。7. 根据权利要求6所述的方法，其中所述读取电位是接地电位，且所述预充电电压在 0V到Vcc的范围内。8. 根据权利要求3所述的方法，其进一步包含允许使所述存储块的所有剩余行和所有 列浮动。9. 根据权利要求1所述的方法，其进一步包含对所述存储块执行第一擦除检验读取操作；如果所述多个存储器单元中的一者或一者以上未被擦除，那么对所述存储块执行 选择性存储器读取操作以确定所述多个存储器单元中的哪一者未被擦除。10. 根据权利要求9所述的方法，其中所述擦除操作包括将每一行偏压在0V。11. 根据权利要求IO所述的方法，其中所述擦除操作进一步包括使所述存储块的列浮 动。12. 根据权利要求9所述的方法，其进一步包含当已执行最大数目的擦除检验读取操作 时指示擦除操作失败。13. 根据权利要求9所述的方法，其中执行所述第一擦除检验读取操作包括依次以预定电压偏压每一行。14. 根据权利要求9所述的方法，其中所述第一擦除检验...
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