半导体元件的制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底的第一面上具有第一介电层结构，在基底的相对于第一面的第二面上具有第二介电层结构，且在第一介电层结构中具有导体层。在第二介电层结构中形成暴露出基底且位于导体层上方的第一开口。在第二介电层结构上形成挡光结构。形成覆盖挡光结构且填入第一开口的介电层。在介电层与基底中形成暴露出导体层的第二开口。在第二开口中形成电连接至导体层的接垫层。上述半导体元件的制造方法可防止用于形成挡光结构的制作工艺对接垫层造成损害。

Manufacturing methods of semiconductor components

The invention discloses a manufacturing method of a semiconductor element, which comprises the following steps. Provide base. There is a first dielectric layer structure on the first side of the substrate, a second dielectric layer structure on the second side of the substrate relative to the first side, and a conductor layer in the first dielectric layer structure. A first opening is formed in the second dielectric layer structure which exposes the substrate and is located above the conductive layer. A light barrier structure is formed on the second dielectric layer structure. A dielectric layer covering the light barrier structure and filling the first opening is formed. A second opening exposing the conductor layer is formed in the dielectric layer and the substrate. A contact cushion electrically connected to the conductor layer is formed in the second opening. The manufacturing method of the semiconductor element can prevent the manufacturing process for forming the light barrier structure from causing damage to the cushion layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的制造方法
本专利技术涉及一种半导体制作工艺，且特别是涉及一种半导体元件的制造方法。
技术介绍
目前，在与光相关的半导体元件的制作工艺中，会进行挡光结构的制作。举例来说，在影像感测器的制作工艺中，会先制作接垫，再制作挡光结构(如，金属栅格(metalgrid))。如此一来，用于形成挡光结构的制作工艺(如，蚀刻制作工艺)容易对接垫造成损害。
技术实现思路
本专利技术提出一种半导体元件的制造方法，其可防止用于形成挡光结构的制作工艺对接垫层造成损害。本专利技术提供一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底的第一面上具有第一介电层结构，在基底的相对于第一面的第二面上具有第二介电层结构，且在第一介电层结构中具有导体层。在第二介电层结构中形成暴露出基底且位于导体层上方的第一开口。在第二介电层结构上形成挡光结构。形成覆盖挡光结构且填入第一开口的介电层。在介电层与基底中形成暴露出导体层的第二开口。在第二开口中形成电连接至导体层的接垫层。依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，第一开口的形成方法可包括以下步骤。在第二介电层结构上形成具有第三开口的图案化光致抗蚀剂层。以图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除部分第二介电层结构。依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，第一开口的形成方法还可包括以下步骤。在移除部分第二介电层结构之前，对图案化光致抗蚀剂层进行修剪制作工艺(trimmingprocess)。依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，挡光结构例如是金属栅格(metalgrid)。依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，挡光结构还可形成在第一开口的侧壁上。依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，还可包括在第二介电层结构中形成暴露出基底的第四开口。依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，第四开口与第一开口可由同一道光刻蚀刻制作工艺形成。依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，挡光结构还可形成在第四开口中。依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，第二开口与第一开口可光掩模通过相同或不同光掩模形成。本专利技术提供另一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底上具有介电层结构，且在介电层结构中具有导体层。在介电层结构中形成暴露出导体层的第一开口。在介电层结构上形成挡光结构。形成覆盖挡光结构且填入第一开口的介电层。在介电层中形成暴露出导体层的第二开口。在第二开口中形成电连接至导体层的接垫层。基于上述，在本专利技术的半导体元件的制造方法中，由于是在形成挡光结构之后，才形成接垫层，因此可防止用于形成挡光结构的制作工艺对接垫层造成损害。此外，光掩模通过本专利技术的半导体元件的制造方法，可降地半导体元件的制作工艺所需使用的光掩模数量，进而可降低生产成本。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。附图说明图1A至图1E为本专利技术一实施例的半导体元件的制造流程剖视图；图2A至图2G为本专利技术另一实施例的半导体元件的制造流程剖视图。符号说明100、200：基底102、104、202、204：介电层结构106、206：导体层108、110、116、208、212、218：开口112、214：挡光结构114、216：介电层118、220：接垫层210：图案化光致抗蚀剂层S1、S3：第一面S2、S4：第一面W1、W2：宽度具体实施方式图1A至图1E为本专利技术一实施例的半导体元件的制造流程剖视图。请参照图1A，提供基底100。基底100例如是半导体基底，如硅基底。基底100可具有感光元件(未示出)，如光二极管。在基底100的第一面S1上具有介电层结构102，在基底100的相对于第一面S1的第二面S2上具有介电层结构104，且在介电层结构102中具有导体层106。在此实施例中，第一面S1是以基底100的正面为例，且第二面S2是以基底100的背面为例，但本专利技术并不以此为限。介电层结构102、104可为多层结构或单层结构。介电层结构102、104的材料例如是氧化硅、氮化硅、高介电常数材料(如，氧化铪(HfO)或氧化钽(TaO))或其组合。所属
具有通常知识者可依照产品需求来选择介电层结构的层数与材料。此外，虽然仅绘示出介电层结构102中的导体层106，但介电层结构102仍可包括其他内连线结构。导体层106可为内连线结构中最接近基底100的内连线结构。导体层106的材料例如是金属，如铝、钨或铜。在介电层结构104中形成暴露出基底100且位于导体层106上方的开口108。开口108例如是光掩模通过使用光刻蚀刻制作工艺而形成。此外，可在介电层结构104中形成暴露出基底100的开口110。开口110与开口108可由同一道光刻蚀刻制作工艺形成。请参照图1B，在介电层结构104上形成挡光结构112。挡光结构112例如是金属栅格。此外，挡光结构112还可形成在开口108的侧壁上与开口110中。挡光结构112的材料例如是金属，如钨或铝。挡光结构112的形成方法例如是先光掩模通过沉积制作工艺在介电层结构104上形成挡光材料层(未示出)，再光掩模通过光刻蚀刻制作工艺对挡光材料层进行图案化。请参照图1C，形成覆盖挡光结构112且填入开口108的介电层114。介电层114的材料例如是氧化硅。介电层114的形成方法例如是化学气相沉积法。此外，可对介电层114进行平坦化制作工艺，如化学机械研磨制作工艺。请参照图1D，在介电层114与基底100中形成暴露出导体层106的开口116。此外，开口116还可延伸至介电层结构102中。开口108例如是光掩模通过光刻蚀刻制作工艺所形成。开口116与开口108(图1A)可光掩模通过相同或不同光掩模形成。在此实施例中，开口116与开口108是以光掩模通过不同光掩模形成为例，但本专利技术并不以此为限。在另一实施例中，在开口116与开口108光掩模通过相同光掩模形成的情况下，在形成开口116的蚀刻制作工艺中，会同时在开口110的位置进行蚀刻。此时，挡光结构112的材料以选择对此蚀刻制作工艺具有高抗蚀刻能力的材料(如，铝)为佳，以避免挡光结构112在此蚀刻制作工艺中受损。请参照图1E，在开口116中形成电连接至导体层106的接垫层118。接垫层118的材料例如是金属，如铝、钨或铜。接垫层118的形成方法例如是先光掩模通过沉积制作工艺在介电层114上形成填入开口116的接垫材料层(未示出)，再光掩模通过光刻蚀刻制作工艺对接垫材料层进行图案化。基于上述实施例可知，在上述半导体元件的制造方法中，由于是在形成挡光结构112之后，才形成接垫层118，因此可防止用于形成挡光结构112的制作工艺(如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供基底，其中在所述基底的第一面上具有第一介电层结构，在所述基底的相对于所述第一面的第二面上具有第二介电层结构，且在所述第一介电层结构中具有导体层；/n在所述第二介电层结构中形成暴露出所述基底且位于所述导体层上方的第一开口；/n在所述第二介电层结构上形成挡光结构；/n形成覆盖所述挡光结构且填入所述第一开口的介电层；/n在所述介电层与所述基底中形成暴露出所述导体层的第二开口；以及/n在所述第二开口中形成电连接至所述导体层的接垫层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，其中在所述基底的第一面上具有第一介电层结构，在所述基底的相对于所述第一面的第二面上具有第二介电层结构，且在所述第一介电层结构中具有导体层；
在所述第二介电层结构中形成暴露出所述基底且位于所述导体层上方的第一开口；
在所述第二介电层结构上形成挡光结构；
形成覆盖所述挡光结构且填入所述第一开口的介电层；
在所述介电层与所述基底中形成暴露出所述导体层的第二开口；以及
在所述第二开口中形成电连接至所述导体层的接垫层。


2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述第一开口的形成方法包括：
在所述第二介电层结构上形成具有第三开口的图案化光致抗蚀剂层；以及
以所述图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除部分所述第二介电层结构。


3.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其中所述第一开口的形成方法还包括：
在移除部分所述第二介电层结构之前，对所述图案化光致抗蚀剂层进行修剪制作工艺。


4.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述挡光结构包括金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈路，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;TW