【技术实现步骤摘要】
三维存储器的制作方法
本专利技术主要涉及半导体制造领域，尤其涉及一种三维存储器的制作方法。
技术介绍
为了克服二维存储器件的限制，业界已经研发了具有三维(3D)结构的存储器件，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。在例如3DNAND闪存的三维存储器件中，存储阵列可包括核心(core)区和阶梯区。阶梯区用来供存储阵列各层中的栅极层引出接触部。这些栅极层作为存储阵列的字线，执行编程、擦写、读取等操作。在3DNAND闪存的制作过程中，在阶梯区的各级阶梯结构上刻蚀形成接触孔，然后填充接触孔，从而引出栅极层的电信号。在实际生产过程中，由于3D-NAND闪存阶梯层数多，在接触孔刻蚀步骤中，为了保证下层阶梯能够被顺利引出，上层阶梯容易被过刻蚀(OverEtch)，出现刻蚀穿通(PunchThrough)，导致栅极金属层之间相互短接，降低产品良率。为了解决上述问题，往往需要进行多次光照和刻蚀，从而降低每次刻蚀时的深度差。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是一种三维存储器的制作方法，可以克服字线连接区的刻蚀缺陷等问题，且不必进行多次光照和刻蚀。为解决上述技术问题，...
【技术保护点】
1.一种三维存储器的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的第一材料层和第二材料层，并在边缘形成有阶梯结构，所述阶梯结构具有若干层台阶，至少部分所述第一材料层的边缘构成所述台阶的顶表面；形成覆盖所述台阶的顶表面的导电层和覆盖所述导电层的绝缘层；形成穿过所述绝缘层并连接至所述导电层的接触结构。
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的第一材料层和第二材料层，并在边缘形成有阶梯结构，所述阶梯结构具有若干层台阶，至少部分所述第一材料层的边缘构成所述台阶的顶表面；形成覆盖所述台阶的顶表面的导电层和覆盖所述导电层的绝缘层；形成穿过所述绝缘层并连接至所述导电层的接触结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料层为伪栅极层，所述第二材料层为介质层，并且，去除所述伪栅极层而在所述介质层之间形成间隙，以及在所述间隙中形成栅极层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成覆盖所述台阶的顶表面的导电层的方法为物理气相沉积、金属溅射或金属蒸镀。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，相邻台阶的所述导电层在所述堆叠结构的底面上的投影首尾相连。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层与第一材料层的材质都是钨或钴。...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖莉红，胡斌，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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