3D存储器件及其制造方法技术

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法，存储器件包括衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；贯穿所述叠层结构的沟道柱；所述沟道柱包括沟道层以及夹在多个栅极导体和所述沟道层之间的隧穿介质层、电荷存储层和阻挡层。所述阻挡层为多层结构，更好的阻止所述多个栅极导体对所述电荷存储层的注入,从而提高3D存储器件的良率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
3D存储器件及其制造方法
本专利技术涉及存储器技术，更具体地，涉及3D存储器件及其制造方法。
技术介绍
存储器件的存储密度的提高与半导体制造工艺的进步密切相关。随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小，存储器件的存储密度越来越高。为了进一步提高存储密度，已经开发出三维结构的存储器件(即，3D存储器件)。3D存储器件包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元，在单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。现有的3D存储器件主要用作非易失性的闪存。两种主要的非易失性闪存技术分别采用NAND和NOR结构。与NOR存储器件相比，NAND存储器件中的读取速度稍慢，但写入速度快，擦除操作简单，并且可以实现更小的存储单元，从而达到更高的存储密度。因此，采用NAND结构的3D存储器件获得了广泛的应用。在NAND结构的3D存储器件中，采用叠层结构提供选择晶体管和存储晶体管的栅极导体，采用贯穿叠层结构的沟道柱实现存储单元串的互连。其沟道柱由多层组成，位于其最外层的紧邻叠层结构的氧化物作为阻挡层夹在电荷存储层和叠层结构之间。然而，在现有技术中，阻挡层通常采用原子层沉积(ALD，AtomicLayerDep本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D存储器件的制造方法，包括:在衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个栅极层和多个层间绝缘层；形成贯穿所述叠层结构的沟道孔；形成至少覆盖所述沟道孔侧壁的阻挡层，所述阻挡层为多层结构；其中，形成阻挡层的步骤包括：形成至少覆盖所述沟道孔侧壁的外阻挡子层；形成至少覆盖所述外阻挡子层的内阻挡子层，所述外阻挡子层和内阻挡子层采用不同的工艺形成。

【技术特征摘要】
1.一种3D存储器件的制造方法，包括:在衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个栅极层和多个层间绝缘层；形成贯穿所述叠层结构的沟道孔；形成至少覆盖所述沟道孔侧壁的阻挡层，所述阻挡层为多层结构；其中，形成阻挡层的步骤包括：形成至少覆盖所述沟道孔侧壁的外阻挡子层；形成至少覆盖所述外阻挡子层的内阻挡子层，所述外阻挡子层和内阻挡子层采用不同的工艺形成。2.根据权利要求1所述的3D存储器件的制作方法，其中，所述外阻挡子层和内阻挡子层的材料均为氧化硅。3.根据权利要求1所述的3D存储器件的制作方法，其中，所述内阻挡子层的形成方法包括：在所述外阻挡子层的表面形成中间层；以及对所述中间层进行氧化以形成所述内阻挡子层。4.根据权利要求3所述的3D存储器件的制作方法，其中，所述氧化采用原位水汽生成工艺进行。5.根据权利要求3所述的3D存储器件的制作方法，其中，所述中间层采用氮化硅沉积而成。6.根据权利要求3所述的3D存储器件的制作方法，其中，所述中间层采用多晶硅沉积而成。7.根据权利要求1所述的3D存储器件的制作方法，其中，所述外阻挡子层采用氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘均展，夏志良，宋海，蒲浩，李超，沈超，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42