三维存储器制造技术

本发明专利技术涉及一种三维存储器，所述三维存储器包括：存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括交替堆叠的控制栅极和绝缘层；沟道孔结构，贯穿所述存储堆叠结构；所述控制栅极的宽度小于绝缘层的宽度，使得相邻绝缘层之间具有凹槽，部分所述沟道孔结构位于所述凹槽内。上述三维存储器的性能得到提高。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种三维存储器。
技术介绍
近年来，闪存(FlashMemory)存储器的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(BitDensity)，同时减少位成本(BitCost)，三维的闪存存储器(3DNAND)技术得到了迅速发展。在3DNAND闪存结构中，包括存储阵列结构，所述存储阵列结构包括对多层堆叠结构。随着堆叠结构复合介质薄膜层数的不断增加，极高深宽比沟道在小的沟道孔的(CH)的关键尺寸(CD)背景下，沟道孔内形成功能侧壁越发困难。此外，由于传统的后栅法需要在磷酸湿法去除假栅SiN后，先沉积TiN薄膜和高K介质薄膜再填金属栅极W，这会在一定程度上削减填充金属栅极的空间，增加形成金属栅极的工艺难度。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种三维存储器，提高形成的三维存储器的性能。本专利技术的技术方案还提供一种三维存储器，包括：存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括交本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括交替堆叠的控制栅极和绝缘层；沟道孔结构，贯穿所述存储堆叠结构；所述控制栅极的宽度小于绝缘层的宽度，使得相邻绝缘层之间具有凹槽，部分所述沟道孔结构位于所述凹槽内。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括交替堆叠的控制栅极和绝缘层；沟道孔结构，贯穿所述存储堆叠结构；所述控制栅极的宽度小于绝缘层的宽度，使得相邻绝缘层之间具有凹槽，部分所述沟道孔结构位于所述凹槽内。2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括：栅介质层，位于所述控制栅极端部与所述沟道孔结构之间，至少覆盖所述控制栅极的端部与所述沟道孔结构相对的侧壁表面。3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述凹槽底部为控制栅极的端面；所述栅介质层至少覆盖所述凹槽的底部表面。4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述栅介质层还覆盖围绕沟道孔结构的绝缘层的侧壁表面。5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述沟道孔结构形成于沟道孔内，包括：至少部分位于所述凹槽内的电荷阻挡...

【专利技术属性】
技术研发人员：向银松，刘隆冬，任连娟，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42