具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器（SRAM）写入辅助电路制造技术

描述了一种具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器（SRAM）写入辅助电路（400）。在一个实施例中，所述SRAM写入辅助电路（400）增大在写入周期内提供的升压量，而在另一个实施例中，所述SRAM写入辅助电路（400）限制在较高电源电压处提供的升压量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器(SRAM)写入辅助电路
技术介绍
本专利技术一般地涉及集成电路存储器件，更具体地说，涉及具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器(SRAM)写入辅助电路。在计算机或其它电子设备中，通常采用存储器件作为内部存储区域。用于在计算机中存储数据的一种特定类型的存储器是随机存取存储器(RAM)。RAM通常在计算机环境中用作主存储器，并且通常是易失性的，因为一旦关闭电源，存储在RAM中的所有数据都会丢失。SRAM是RAM的一个实例。SRAM的优点是无需刷新即可保存数据。典型的SRAM器件包括一组单独的SRAM单元。每个SRAM单元能够存储表示逻辑数据位(例如,“O”或“I”)的二进制电压值。SRAM单元的一种现有配置包括一对交叉耦合的器件(例如反相器)。反相器用作锁存器，只要为存储阵列提供电源，便可在反相器中存储数据位。在传统的六晶体管(6T)单元中，一对存取晶体管或传输门(pass gate)(当由字线激活时)选择性地将反相器耦合到一对互补位线(即，真位线和补位线)。其它SRAM单元设计可以包括不同数量的晶体管(例如，4T、8T等)。SRAM单元设 计传本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·阿尔索夫斯基，H·皮洛，V·拉马杜拉伊，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：