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描述了一种具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器（SRAM）写入辅助电路（400）。在一个实施例中，所述SRAM写入辅助电路（400）增大在写入周期内提供的升压量，而在另一个实施例中，所述SRAM写入辅助电路（400）限制在较高电源电压...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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