竖直存储器件制造技术

本公开提供了竖直存储器件。一种竖直存储器件包括在基板的第一区域上的导电图案结构，该导电图案结构包括交错的导电图案和绝缘层的堆叠。焊盘结构设置在基板的第二区域上，基板的第二区域与基板的第一区域相邻，其中导电图案的边缘设置在沿着第一方向间隔开的点处以提供布置为阶梯布置中的各台阶的导电焊盘。多个沟道结构延伸穿过导电图案结构，并且多个虚设沟道结构延伸穿过焊盘结构。各接触插塞设置在导电焊盘上。穿过导电焊盘的虚设沟道结构的每单位面积的数量是变化的。穿过导电焊盘的虚设沟道结构的宽度也可以变化。

【技术实现步骤摘要】
竖直存储器件
示例实施方式涉及竖直存储器件。更具体地，示例实施方式涉及具有由变化尺寸的虚设沟道支撑的导电焊盘的竖直存储器件以及竖直NAND闪存器件。
技术介绍
已经发展了包括多个存储单元的竖直存储器件，该多个存储单元分别竖直地堆叠在基板上的多个层级上。随着层级的数目增加，竖直存储器件可能具有不稳定的结构。
技术实现思路
示例实施方式能够提供具有提高的稳定性的结构的竖直存储器件。根据示例实施方式，一种竖直存储器件包括导电图案结构，该导电图案结构在基板上并包括交错的导电图案和绝缘层的堆叠，其中导电图案的边缘设置在沿着第一方向间隔开的点处以提供布置为阶梯布置中的各台阶的导电焊盘。多个沟道结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸穿过导电图案结构，并且多个虚设沟道结构在第二方向上延伸穿过导电焊盘。各接触插塞设置在导电焊盘上。导电焊盘中的第一个具有从其穿过的第一数量的虚设沟道结构，并且导电焊盘中的第二个具有从其穿过的第二数量的虚设沟道结构，虚设沟道结构的第二数量不同于虚设沟道结构的第一数量。在某些实施方式中，穿过导电焊盘中的第一个的虚设沟道结构可以具有第一宽度，并且穿过导电焊盘中的第二个的虚设沟道结构可以具有不同于第一宽度的第二宽度。虚设沟道结构的第一数量可以少于虚设沟道结构的第二数量，并且第一宽度可以大于第二宽度。在另一些示例实施方式中，一种竖直存储器件包括在基板的第一区域上的导电图案结构，该导电图案结构包括交错的导电图案和绝缘层的堆叠。焊盘结构设置在基板的第二区域上，基板的第二区域与基板的第一区域相邻，其中导电图案的边缘设置在沿着第一方向间隔开的点处以提供布置为阶梯布置中的相应台阶的导电焊盘。多个沟道结构延伸穿过导电图案结构，并且多个虚设沟道结构延伸穿过焊盘结构。各接触插塞设置在导电焊盘上。穿过导电焊盘的虚设沟道结构的每单位面积的数量变化。穿过导电焊盘的虚设沟道结构的宽度也可以变化。例如，穿过导电焊盘的虚设沟道结构的宽度可以与穿过导电焊盘的虚设沟道结构的数量成反比地变化。在另一些实施方式中，一种竖直存储器件包括导电图案结构，该导电图案结构在基板上并包括交错的导电图案和绝缘层的堆叠，其中导电图案的边缘设置在沿着第一方向间隔开的点处以提供布置为阶梯布置中的各台阶的导电焊盘。多个沟道结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸穿过导电图案结构，并且多个虚设沟道结构在第二方向上延伸穿过导电焊盘。各接触插塞设置在导电焊盘上。导电焊盘中的第一个具有从其穿过的具有第一宽度的第一类虚设沟道结构。导电焊盘中的第二个具有从其穿过的第二类虚设沟道结构，第二类虚设沟道结构具有与第一宽度不同的第二宽度。虚设沟道结构的宽度可以从导电焊盘中的最上面的一个朝向导电焊盘中的最下面的一个增大，并且穿过相应的导电焊盘的虚设沟道结构的数量可以从导电焊盘中的最上面的一个朝向导电焊盘中的最下面的一个减少。在示例实施方式中，通过虚设沟道结构的布置，竖直存储器件可以具有稳定的结构。附图说明从以下结合附图进行的详细描述，示例实施方式将被更清楚地理解。图1至图20表现了如这里描述的非限制性的示例实施方式。图1A和图2分别是示出根据示例实施方式的竖直存储器件的平面图和截面图；图1B是示出根据示例实施方式的竖直存储器件的平面图；图3至图15是示出根据示例实施方式的制造竖直存储器件的方法的多个阶段的截面图、平面图和透视图；图16和图17分别是示出根据示例实施方式的竖直存储器件的平面图和截面图；图18是示出根据示例实施方式的竖直存储器件的平面图；图19是示出根据示例实施方式的竖直存储器件中的存储单元的布置的平面图；以及图20是示出根据示例实施方式的竖直存储器件的平面图。具体实施方式图1A和图2分别是示出根据示例实施方式的竖直存储器件的平面图和截面图。图1B是示出根据示例实施方式的竖直存储器件的平面图。参照图1A和图2，基板100可以包括第一区域R1和第二区域R2，存储单元可以三维地形成在第一区域R1上，与存储单元连接的布线可以形成在第二区域R2上。在示例实施方式中，第二区域R2可以在第一方向上与第一区域R1的边缘部分相邻。导电图案结构140和沟道结构118a可以形成在第一区域R1上。焊盘结构142、虚设沟道结构118b和接触插塞144可以形成在第二区域R2上。导电图案结构140和沟道结构118a是多个存储单元的组成部分。焊盘结构142可以用作用于将电信号传输到导电图案结构140以及从导电图案结构140传输电信号的布线。基板100可以包括半导体材料。基板100可以例如包括硅基板、锗基板或硅锗基板。在下文，将描述形成在第一区域R1中的导电图案结构140。导电图案结构140可以包括以交错的方式交替堆叠的导电图案126和绝缘层102。导电图案126可以沿着第三方向间隔开，该第三方向基本上垂直于基板100的上表面。导电图案结构140可以在第一方向上延伸。在示例实施方式中，多个导电图案结构140可以沿着第二方向间隔开，第二方向基本上垂直于第一方向。导电图案结构140中的导电图案126可以包括接地选择线(GSL)、串选择线(SSL)以及在GSL和SSL之间的多条字线。导电图案126可以包括金属。在示例实施方式中，导电图案126可以包括金属图案和阻挡图案。金属图案可以包括例如钨、铜、钴、铝等，阻挡图案可以包括例如钛、钛氮化物、钽、钽氮化物等。在下文，将描述形成在第二区域R2上的焊盘结构142。焊盘结构142可以接触导电图案结构140的边缘部分。具体地，导电图案结构140和焊盘结构142可以合并成沿着第一方向延伸的一体。焊盘结构142可以包括交错的导电图案126和绝缘层102。焊盘结构142中的导电图案126和导电图案结构140中的导电图案126可以合并成包括基本上相同的材料的一体。此外，焊盘结构142中的绝缘层102和导电图案结构140中的绝缘层102可以合并成包括基本上相同的材料的一体。在示例实施方式中，焊盘结构142的边缘部分可以具有阶梯布置。具体地，导电图案126的边缘可以布置成阶梯配置形状，其中导电图案126在第三方向上具有不同的层级。具有不同层级的导电图案126的边缘可以用作焊盘，焊盘上可以分别形成接触插塞。在示例实施方式中，焊盘结构142中的焊盘的数量可以与导电图案结构140中的堆叠的导电图案126的数量基本上相同。在示例实施方式中，焊盘结构142可以包括在第一方向和第二方向的每个上的台阶部分。例如，如图11所示，焊盘结构142可以包括分别在第一方向上设置在4个层级处的4个台阶和分别在第二方向上设置在每个层级中的2个子层级处的2个台阶。因此，焊盘结构142可以具有分别在8个不同的子层级处的8个台阶。此外，八个导电图案126可以堆叠在第一区域R1中。第一上绝缘层间层108可以覆盖焊盘结构142。第二上绝缘层间层109可以形成在第一上绝缘层间层108和导电图案结构140上。第一上绝缘层间层108和第二上绝缘层间层109中的每个的上表面可以是基本上平坦的。因此，第一上绝缘层间层108和第二上绝缘层间层109在焊盘结构142上的厚度可以大于第二上绝缘层间层109在导电图案结构140上的厚度。沟道结构118a可以延伸穿过导电图案结构140，并可以具有柱形。虚设沟道结构118b可以延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种竖直存储器件，包括：导电图案结构，在基板上并包括交错的导电图案和绝缘层的堆叠，其中所述导电图案的边缘设置在沿着第一方向间隔开的点处以提供布置为阶梯布置中的各台阶的导电焊盘；多个沟道结构，在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸穿过所述导电图案结构；多个虚设沟道结构，在所述第二方向上延伸穿过所述导电焊盘；以及各接触插塞，在所述导电焊盘上，其中所述导电焊盘中的第一个具有从其穿过的第一数量的所述虚设沟道结构，并且其中所述导电焊盘中的第二个具有从其穿过的第二数量的所述虚设沟道结构，所述第二数量不同于所述虚设沟道结构的所述第一数量。

【技术特征摘要】
2017.05.17 KR 10-2017-00609271.一种竖直存储器件，包括：导电图案结构，在基板上并包括交错的导电图案和绝缘层的堆叠，其中所述导电图案的边缘设置在沿着第一方向间隔开的点处以提供布置为阶梯布置中的各台阶的导电焊盘；多个沟道结构，在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸穿过所述导电图案结构；多个虚设沟道结构，在所述第二方向上延伸穿过所述导电焊盘；以及各接触插塞，在所述导电焊盘上，其中所述导电焊盘中的第一个具有从其穿过的第一数量的所述虚设沟道结构，并且其中所述导电焊盘中的第二个具有从其穿过的第二数量的所述虚设沟道结构，所述第二数量不同于所述虚设沟道结构的所述第一数量。2.如权利要求1所述的竖直存储器件，其中穿过所述导电焊盘中的所述第一个的所述虚设沟道结构具有第一宽度，并且其中穿过所述导电焊盘中的所述第二个的所述虚设沟道结构具有第二宽度，所述第二宽度不同于所述第一宽度。3.如权利要求2所述的竖直存储器件，其中所述第一数量的虚设沟道结构少于所述第二数量的所述虚设沟道结构，并且其中所述第一宽度大于所述第二宽度。4.如权利要求1所述的竖直存储器件，其中所述导电焊盘中的所述第一个是所述台阶中的比所述导电焊盘中的所述第二个低的一个。5.如权利要求4所述的竖直存储器件，其中穿过所述导电焊盘的所述虚设沟道结构的数量从所述导电焊盘中的上部的一个朝向所述导电焊盘中的下部的一个减少。6.如权利要求1所述的竖直存储器件，其中穿过所述导电焊盘的所述虚设沟道结构的宽度从所述台阶中的最上面的一个朝向所述台阶中的次最下的一个增大，并且其中穿过所述导电焊盘中的最下面的一个的所述虚设沟道结构的宽度小于穿过所述导电焊盘中的次最下的一个的所述虚设沟道结构的宽度。7.如权利要求6所述的竖直存储器件，其中穿过所述导电焊盘的所述虚设沟道结构的数量从所述导电焊盘中的最上面的一个朝向所述导电焊盘中的次最下的一个减少，并且其中穿过所述导电焊盘中的最下面的一个的所述虚设沟道结构的数量大于穿过所述导电焊盘中的次最下的一个的所述虚设沟道结构的数量。8.如权利要求1所述的竖直存储器件，其中所述接触插塞在所述第一方向上线性地排列，并且其中所述接触插塞中的一个接触所述导电焊盘中的最下面的一个的中央部分。9.如权利要求1所述的竖直存储器件，其中各导电焊盘上的所述接触插塞没有在所述第一方向上线性地排列。10.如权利要求9所述的竖直存储器件，其中所述导电焊盘上的所述接触插塞在相对于所述第一方向具有角度的倾斜方向上排列，并且其中所述接触插塞中的一个接触所述导电焊盘中的最下面的一个的中央部分。11.如权利要求1所述的竖直存储器件，其中所述导电图案的第一边缘设置在沿着所述第一方向间隔开的第一点处以提供布置为第一阶梯布置中的各台阶的第一导电焊盘；并且其中所述导电图案的第二边缘设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：金敬勋，金泓秀，李太熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR