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本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法，存储器件包括衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；贯穿所述叠层结构的沟道柱；所述沟道柱包括沟道层以及夹在多个栅极导体和所述沟道层之间的隧穿介质层、电荷存储层和阻挡...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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