The invention discloses a semiconductor structure comprises a silicon on insulator structure, the silicon on insulator structure includes a silicon substrate; a first oxide layer, a first surface is positioned on the silicon substrate; second oxide layer is located between the second oxide layer; the top silicon, located in the second layer of oxide semiconductor devices;, located in the top silicon or surface; the second surface of the silicon substrate in the oxide layer, third dielectric layer and the barrier layer; opening area through the barrier layer, third dielectric layer, the oxide layer and the silicon substrate; trap area, located in the opening area. The buried oxide region and opening area are respectively arranged on two opposite surfaces of the silicon substrate, and in the opening area is arranged inside the trap area; through the trap of the at least one layer structure design, the invention not only has the characteristics of simple structure, convenient manufacture and low cost, but also greatly improve the efficiency of signal transmission and reduce the signal transmission rate distortion.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体元器件结构及其制作方法
本专利技术属于半导体
,涉及到一种半导体元器件结构及其制作方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展,集成电路的集成度越来越高,半导体的应用范围也越来越广,目前射频通信领域中,为了优化半导体器件的射频特性,开始广泛采用绝缘体上硅(silicononinsulator,SOI)技术,具体的SOI技术是通过形成一层埋氧层,将硅衬底硅与用于形成半导体器件的顶层硅隔离开来。但是,由于现今对于组成的元器件的体积要求越来越高,进而对半导体的体积要求也逐渐增加,体积大的半导体在安装的过程中占有很大的安装空间,不利于芯片向轻、小等特点发展,同时芯片对信号的抗干扰能力也有待提高,由于SOI硅片的硅衬底与顶层硅之间有埋氧层隔离,硅衬底与顶层硅之间会存在固有的结电容,在一些情况下,经过的射频信号可能会干扰到半导体器件中硅衬底的载流子,使得硅衬底与硅衬底上方形成器件的区域之间的结电容会随着射频信号产生不规律的、非线性的变化,进而导致经过半导体器件的信号波形失真。为了解决半导体的体积大、成本高以及失真率大等问题,现设计一种半导体元器件结构及其制作方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体元器件结构及其制作方法,解决了半导体元器件的体积大、成本高以及在信号传输的过程中传输效率低和失真率大的问题。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现:一种半导体元器件结构,包括绝缘体上硅结构,所述绝缘体上硅结构包括硅衬底;第一氧化层,位于所述硅衬底的第一表面上;第二氧化层,位于所述第二氧化层上;顶层硅,位于所述第二层氧化物上;半导体器件,位于所述顶层硅内 ...
【技术保护点】
一种半导体元器件结构,其特征在于:包括绝缘体上硅结构,所述绝缘体上硅结构包括硅衬底(100);第一氧化层(200),位于所述硅衬底(100)的第一表面上;第二氧化层(300),位于所述第二氧化层(200)上;顶层硅(400),位于所述第二层氧化物(300)上;半导体器件(410),位于所述顶层硅(400)内或表面;所述硅衬底(100)的第二表面依次设置有所述第三氧化层(110)、介电层(120)和阻挡层(130);开口区(140)贯穿所述阻挡层(130)、介电层(120)、第三氧化层(110)和硅衬底(100);陷阱区(150),位于所述开口区(140)内。
【技术特征摘要】
1.一种半导体元器件结构,其特征在于:包括绝缘体上硅结构,所述绝缘体上硅结构包括硅衬底(100);第一氧化层(200),位于所述硅衬底(100)的第一表面上;第二氧化层(300),位于所述第二氧化层(200)上;顶层硅(400),位于所述第二层氧化物(300)上;半导体器件(410),位于所述顶层硅(400)内或表面;所述硅衬底(100)的第二表面依次设置有所述第三氧化层(110)、介电层(120)和阻挡层(130);开口区(140)贯穿所述阻挡层(130)、介电层(120)、第三氧化层(110)和硅衬底(100);陷阱区(150),位于所述开口区(140)内。2.根据权利要求1所述的一种半导体元器件结构,其特征在于:所述开口区(140)的截面为矩形、圆形或三角形结构。3.根据权利要求1所述的一种半导体元器件结构,其特征在于:所述开口区(140)的数量为3-6个。4.根据权利要求1所述的一种半导体元器件结构,其特征在于:所述陷阱区(150)包括单层结构或多层结构。5.如权利要求1-4中任一项所述的一种半导体元器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:提供一绝缘体上硅结...
【专利技术属性】
技术研发人员:彭勇,
申请(专利权)人:合肥市华达半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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