一种阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提出一种阵列基板及其制作方法，包括：衬底基板、位于衬底基板一侧的薄膜晶体管层、平坦化层以及第三金属层，薄膜晶体管层包括依次设置的栅极金属层、第一绝缘层、有源层和源漏极金属层，栅极金属层和源漏极金属层设置在平坦化层靠近衬底基板的一侧，第三金属层设置在平坦化层远离衬底基板的一侧；其中，平坦化层上与第三金属层对应的位置设有沟槽，第三金属层形成在沟槽内。本发明专利技术所述的阵列基板及其制作方法，通过将第三金属层设置在平坦化层上的沟槽内，减小或消除配向膜层上第三金属层所在位置与其他位置之间的段差，提高配向膜的表面平整度，从而改善了rubbing的均匀性，使最终的显示效果达到最佳。

Array substrate and manufacturing method thereof

The present invention provides an array substrate and a manufacturing method thereof, including: a substrate, a substrate side of the thin film transistor substrate layer, a planarization layer and a third metal layer, layer of thin film transistor comprises a gate metal layer, a first insulating layer, an active layer and a source drain metal layer, a gate metal layer and the source drain the metal layer is arranged near the substrate in the planarization layer, one side of the third metal layer is set away from the substrate in a planarization layer; wherein, corresponding to the third metal layer planarization layer is provided with a groove, a third metal layer is formed in the groove. Array substrate and manufacturing method of the invention, the trench third metal layer disposed on the planarization layer inside, reduce or eliminate the alignment layer third metal layer location and other location between the poor, improve alignmentfilm surface roughness, thus improving the uniformity of rubbing. The final display to achieve the best.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示面板
，更具体地，涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
现有技术的阵列基板如图1所示，该阵列基板自下而上依次设置有：衬底基板101、位于衬底基板一侧的薄膜晶体管层、平坦化层102以及第三金属层103、连通孔104、膜层105以及配向膜106。第三金属层103直接铺设在平坦化层远离薄膜晶体管层的一侧，在平坦化层及第三金属层上铺设膜层105，该膜层105可以包括：像素电极层、公共电极层以及各膜层之间的绝缘层；由于第三金属层103的与其他位置之间存在段差，因此最终在膜层105上铺设配向膜106时，配向膜106在与第三金属层103对应的位置仍存在段差，在摩擦制程(rubbing)过程中导致配向膜106在与第三金属层103对应的位置周围没有被rubbing到，即rubbing不良，使得第三金属层103对应位置周围的液晶没有被配向，产生漏光现象。其次、在制备较深的连通孔104时，连通孔的斜坡度较大，极易出现金属层或导电层断线问题。因此，提供一种阵列基板及其制作方法，改善因第三金属层与其他位置存在段差导致的rubbing不良和显示效果不良以及连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、位于所述衬底基板一侧的薄膜晶体管层、平坦化层以及第三金属层，所述薄膜晶体管层包括依次设置的栅极金属层、第一绝缘层、有源层和源漏极金属层，所述栅极金属层和所述源漏极金属层设置在所述平坦化层靠近所述衬底基板的一侧，所述第三金属层设置在所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧；其中，所述平坦化层上与所述第三金属层对应的位置设有沟槽，所述第三金属层形成在所述沟槽内。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、位于所述衬底基板一侧的薄膜晶体管层、平坦化层以及第三金属层，所述薄膜晶体管层包括依次设置的栅极金属层、第一绝缘层、有源层和源漏极金属层，所述栅极金属层和所述源漏极金属层设置在所述平坦化层靠近所述衬底基板的一侧，所述第三金属层设置在所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧；其中，所述平坦化层上与所述第三金属层对应的位置设有沟槽，所述第三金属层形成在所述沟槽内。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟槽的深度与所述第三金属层的厚度相同。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟槽的宽度大于或等于所述第三金属层的最大宽度。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极层和公共电极层，所述像素电极层设置在所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧；所述公共电极层设置在所述像素电极层远离所述平坦化层的一侧；所述平坦化层还设有第一连通过孔，所述第一连通过孔用于将所述像素电极层与所述源漏极金属层电连接。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连通过孔包括第一过孔段和第二过孔段，所述第二过孔段靠近所述源漏极金属层，所述第二过孔段靠近所述第一过孔段的一端的孔径小于所述第一过孔段靠近所述第二过孔段的一端的孔径，所述第一过孔段靠近所述第二过孔段一端的边缘与所述第二过孔段靠近所述第一过孔段一端的边缘之间的面为台阶面。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极层和公共电极层，所述公共电极层设置在所述第三金属层远离所述平坦化层的一侧；所述像素电极层设置在所述公共电极层远离所述第三金属层的一侧；所述像素电极层与所述源漏极金属层之间设有第二连通过孔，用于连接所述像素电极层与所述源漏极金属层。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二连通过孔包括第三过孔段和第四过孔段，所述第三过孔段靠近所述源漏极金属层，所述第四过孔段靠近所述第三过孔段的一端的孔径大于所述第三过孔段靠近所述第四过孔段的一端的孔径，所述第三过孔段靠近所述第四过孔段的一端的边缘与所述第四过孔段靠近所述第三过孔段一端的边缘之间的面形成台阶面。8.根据权利要求4或6所述的阵列基板，其特征在于，所述台阶面和所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧之间的距离与所述沟槽的深度相同。9.根据权利要求4或6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和非显示区，在所述非显示区设置有集成电路，所述公共电极层复用为所述触控电极，所述触控电极包括多个触控电极单元；其中，所述第三金属层包括多条触控信号线，所述触控信号线与对应的所述触控电极单元电连接，并且所述触控信号线在所述非显示区通过所述栅极金属层和/或所述源漏极金属层与所述集成电路进行电连接。10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层，包括：在所述衬底基板上形成栅极金属层；在所述栅极金属层上形成第一绝缘层和有源层；在所述有源层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极形成源漏极金属层；在所述源漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：许传志，谢正芳，汪梅林，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31