一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，用于简化薄膜晶体管的制作工艺，提高其制作效率。所述薄膜晶体管，包括第一电极、栅极、有源层、源漏极以及第二电极；其中，所述源漏极与所述有源层连接，所述第一电极与所述第二电极相对设置；所述第二电极与所述源漏极同层设置；所述第二电极和所述源漏极在一次构图工艺中形成。本发明专利技术提供的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置用于液晶显示。

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

The invention discloses a thin film transistor and a manufacturing method thereof, an array substrate and a display device, and relates to the display technology field, which is used for simplifying the manufacturing process of the thin-film transistor and improving the manufacturing efficiency thereof. The thin film transistor includes a first electrode, gate electrode, an active layer, a source drain electrode and a second electrode; wherein the source drain is connected with the active layer and the first electrode and the second electrode are relatively arranged; the second electrode and the source drain layer is provided with the second; the source electrode and the drain electrode formed in a composition process. The invention provides a thin film transistor and a manufacturing method thereof, an array substrate and a display device used for liquid crystal display.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
目前，高级超维场转换(AdvancedSuperDimensionSwitch，以下简称ADS)型液晶显示面板，因其具有宽视角、高透过率、高清晰度等诸多优点，被广泛应用于各显示装置中。参阅图1，通常，ADS型液晶显示面板中薄膜晶体管的制作过程如下所示，先在衬底基板1上通过第一次构图工艺形成公共电极2和栅极3，并在公共电极2和栅极3上形成绝缘层；然后在绝缘层上通过第二次构图工艺形成有源层和源漏极4；之后在有源层和源漏极4上形成钝化层，并通过第三次构图工艺在钝化层中形成过孔，以便利用过孔实现像素电极5与源漏极4的电连接；最后在钝化层上通过第四次构图工艺形成像素电极5。可见，现有ADS型液晶显示面板中薄膜晶体管的制作至少需要实施4次构图工艺。然而，由于每次构图工艺均需采用较多的工序方可完成，比如需要涂覆光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、刻蚀、检测等工序，使得薄膜晶体管的形成工艺较为复杂，导致薄膜晶体管的制作效率较低。专利技术内容本专利技术的目的在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括第一电极、栅极、有源层、源漏极以及第二电极；其中，所述源漏极与所述有源层连接，所述第一电极与所述第二电极相对设置；其特征在于，所述第二电极与所述源漏极同层设置。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括第一电极、栅极、有源层、源漏极以及第二电极；其中，所述源漏极与所述有源层连接，所述第一电极与所述第二电极相对设置；其特征在于，所述第二电极与所述源漏极同层设置。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二电极的材料和所述源漏极的材料相同。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二电极的材料和所述源漏极的材料均为金属。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极设在所述衬底基板与所述第二电极之间，所述第一电极为板状电极或狭缝电极，所述第二电极为狭缝电极。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极为板状电极，所述第二电极为狭缝电极时，所述狭缝电极的狭缝走向沿着所述板状电极的长边方向；或，所述狭缝电极的狭缝走向沿着所述板状电极的短边方向。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏极的厚度与所述第二电极的厚度不同。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏极的厚度为0.35μm～0.4μm；所述第二电极的厚度为0.04μm～0.07μm。8.根据权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；所述第一电极和所述栅极分别设在衬底基板上，所述第一电极和所述栅极连接，且所述第一电极和所述栅极上设有绝缘层；所述有源层、所述源漏极以及所述第二电极分别设在所述绝缘层上，所述第二电极与所述源漏极连接。9.根据权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；所述第一电极和所述栅极分别设在衬底基板上，且所述第一电极和所述栅极上设有绝缘层；所述绝缘层对应所述第一电极的部分设有第一过孔，所述绝缘层对应所述栅极的部分设有第二过孔；所述有源层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊，桑琦，王建俊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11