一种阵列基板、显示面板及显示设备制造技术

本申请公开了一种阵列基板、显示面板及显示设备，用以简化阵列基板结构，简化阵列基板制备流程，节省生产成本。本申请提供的一种阵列基板，包括衬底基板，衬底基板上设置有发光晶体管和开关晶体管，开关晶体管包括位于衬底基板之上的半导体层、第一金属层、第二金属层和层间绝缘层；半导体层包括开关晶体管的有源层、第一部分和第二部分，第一部分作为开关晶体管的源极或漏极，第二部作为发光晶体管的栅极；第一金属层与有源层交叠；层间绝缘层中包括过孔，第二金属层通过过孔与第一部分相连；发光晶体管包括栅极以及位于所述栅极之上的第一栅极绝缘层，层间绝缘层在垂直于衬底基板的方向上覆盖第二部分，层间绝缘层复用为第一栅极绝缘层。

Array substrate, display panel and display device

The invention discloses an array substrate, a display panel and a display device, so as to simplify the structure of the array substrate, simplify the preparation process of the array substrate and save the production cost. An array substrate is provided, including a substrate, a substrate is provided with a light emitting transistor and a switch transistor, the switching transistor includes a semiconductor layer, a substrate is located on the first metal layer and the second metal layer and the interlayer insulating layer; an active layer, a first portion and a second portion of the semiconductor layer includes a switching transistor, a first as part of the switching transistor source or drain, gate second as a light emitting transistor; a first metal layer and the active layer overlapping; the interlayer insulating layer comprises a through hole and a second metal layer through the hole is connected with the first part; light emitting transistor including a gate electrode and the first gate on the gate insulating layer. The interlayer insulating layer in the direction perpendicular to the substrate to cover the second part, the interlayer insulating layer to the first gate insulating layer multiplexing.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及显示设备
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示设备。
技术介绍
现有技术中，顶栅氧化物薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)驱动的碳纳米管激发的有机发光晶体管(Carbon-NanotubeEnabledVerticalOrganicLighEmittingTrasistor，CN-VOLET)的阵列(array)基板中，顶栅氧化物TFT与CN-VOLET通常是单独设置的，阵列基板结构复杂。阵列基板制程中，每一次图形化或刻蚀过孔都需要使用一张光罩(mask)，如图1所示，顶栅氧化物TFT驱动CN-VOLET的阵列基板制程包括如下步骤，其中，maskn代表阵列基板制程中使用的第n张mask，n为正整数：S101、在基板上设置顶栅氧化物TFT的氧化物半导体层，之后对氧化物半导体层图形化(mask1)，之后进行退火(200-300℃)处理；S102、设置顶栅氧化物TFT的栅极绝缘层和栅极金属层，之后对栅极绝缘层和栅极金属层图形化(mask2)；S103、对氧化物半导体层进行导电化处理：对氧化物半导体欧姆接触区域进行导电化处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有发光晶体管和用于控制该发光晶体管发光的开关晶体管，其特征在于，所述开关晶体管包括位于所述衬底基板之上的半导体层、第一金属层、第二金属层和层间绝缘层；所述层间绝缘层位于所述第一金属层和所述第二金属层之间；其中，所述半导体层包括所述开关晶体管的有源层、第一部分和第二部分，所述第一部分作为所述开关晶体管的源极或漏极，所述第二部作为所述发光晶体管的栅极；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一金属层与所述有源层交叠；所述层间绝缘层中包括过孔，所述第二金属层通过所述过孔与所述第一部分相连；所述发光晶体管包括栅极以及位于所述栅极之上的第一栅极绝缘层，所述层间绝...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有发光晶体管和用于控制该发光晶体管发光的开关晶体管，其特征在于，所述开关晶体管包括位于所述衬底基板之上的半导体层、第一金属层、第二金属层和层间绝缘层；所述层间绝缘层位于所述第一金属层和所述第二金属层之间；其中，所述半导体层包括所述开关晶体管的有源层、第一部分和第二部分，所述第一部分作为所述开关晶体管的源极或漏极，所述第二部作为所述发光晶体管的栅极；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一金属层与所述有源层交叠；所述层间绝缘层中包括过孔，所述第二金属层通过所述过孔与所述第一部分相连；所述发光晶体管包括栅极以及位于所述栅极之上的第一栅极绝缘层，所述层间绝缘层在垂直于所述衬底基板的方向上覆盖所述第二部分，所述层间绝缘层复用为所述第一栅极绝缘层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开关晶体管还包括设置在所述第一金属层和所述有源层之间的第二栅极绝缘层。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极绝缘层、所述层间绝缘层包括氧化硅。4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述开关晶体管还包括钝化层，所述钝化层设置在第二金属层和所述层间绝缘层之上；所述开关晶体管的钝化层在平行所述衬底基板方向上延伸，与所述层间绝缘层共同作为所述第一栅极绝缘层。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的材料包括氧化硅、氮化硅中至少一种。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述发光晶体管还包括位于所述钝化层之上的表面层。7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述发光晶体管还包括位于所述第二金属层和所述层间绝缘层之...

【专利技术属性】
技术研发人员：楼均辉，吴天一，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31