半导体器件、显示装置和上述装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示优良的电特性的半导体器件和该半导体器件的制造方法。另外，提供具有该半导体器件的显示装置和该显示装置的制造方法。该半导体器件包括：具有氧化物半导体膜的第1晶体管、和包括第1晶体管上的层间膜、和位于层间膜上、含硅的半导体膜的第2晶体管。层间膜能够包含无机绝缘体。含硅的半导体膜能够包含多晶硅。层间膜能够包含无机绝缘体。

Semiconductor device, display device and method for manufacturing said device

The present invention provides a semiconductor device exhibiting excellent electrical characteristics and a manufacturing method of the semiconductor device. In addition, a display device having the semiconductor device and a manufacturing method of the display device are provided. The semiconductor device includes a first transistor having an oxide semiconductor film, and a second transistor including a interlayer film on the first transistor and a semiconductor film containing silicon on the interlayer film. The interlayer film can contain inorganic insulators. A silicon containing semiconductor film can contain polysilicon. The interlayer film can contain inorganic insulators.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、显示装置和上述装置的制造方法
本专利技术涉及半导体器件、具有半导体器件的显示装置和上述装置的制造方法。
技术介绍
作为显示半导体特性的代表的例能够列举硅(硅)、锗等的第14族元素。特别是硅因容易入手、容易加工、优良的半导体特性、容易控制特性等，在几乎所有的半导体器件中使用，被定位于支撑电子工业的基础的材料。近年来，氧化物、特别是铟、镓等的13族元素的氧化物显现出半导体特性，以此为契机进行努力的研究开发。作为显示半导体特性的代表的氧化物(以下，氧化物半导体)已知铟―镓氧化物(IGO)、铟―镓―锌氧化物(IGZO)等。最近的努力的研究开发的结果，作为半导体元件具有包含上述的氧化物半导体的晶体管的显示装置得以上市销售。另外，例如在日本特开2015-225104号公报中公开的方式，也开发组装有具有包含硅的半导体(以下，硅半导体)的晶体管和具有氧化物半导体的晶体管的两者的半导体器件。
技术实现思路
用于解决技术问题的技术方案本专利技术的实施方式之一是一种半导体器件，其特征在于，包括：具有氧化物半导体膜的第1晶体管；第1晶体管上的层间膜；和位于层间膜上，具有含硅的半导体膜的第2晶体管。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上，具有氧化物半导体膜的第1晶体管；所述第1晶体管上的层间膜；和位于所述层间膜上，具有含硅的半导体膜的第2晶体管。

【技术特征摘要】
2016.03.07 JP 2016-0431171.一种半导体器件，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上，具有氧化物半导体膜的第1晶体管；所述第1晶体管上的层间膜；和位于所述层间膜上，具有含硅的半导体膜的第2晶体管。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第1晶体管包括所述氧化物半导体膜、所述氧化物半导体膜上的第1栅极绝缘膜和所述第1栅极绝缘膜上的第1栅极，所述层间膜包含无机绝缘体，所述第2晶体管包括所述半导体膜、所述半导体膜上的第2栅极绝缘膜和所述第2栅极绝缘膜上的第2栅极。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体膜包含多晶硅。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述层间膜包括：包含氧化硅的第1层、位于所述第1层上，包含氮化硅的第2层；和位于所述第2层上，包含氧化硅的第3层。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：在所述第1晶体管之下具有金属膜，所述金属膜位于所述基板和所述氧化物半导体膜之间。6.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：所述第2栅极包含铝。7.一种显示装置，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上，包含含显示元件的像素的显示区域；和位于所述基板上，构成为控制所述显示元件的驱动电路，所述像素包括：包含氧化物半导体膜，与所述显示元件电连接的第1晶体管；所述第1晶体管上的层间膜；和位于所述层间膜上，与所述第1晶体管电连接，具有含硅的半导体膜的第2晶体管。8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于：所述第1晶体管包括所述氧化物半导体膜、所述氧化物半导体膜上的第1栅极绝缘膜和所述第1栅极绝缘膜上的第1栅极，所述层间膜包含无机绝缘体，所述第2晶体管包括所述半导体膜、所述半导体膜上的第2栅极绝缘膜和所述第2栅极绝缘膜上的第2栅极。9.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于：所述驱动电路具有位于所述显示区域的外侧且包含氧化物半导体膜的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：大原宏树，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本,JP