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本发明公开一种半导体元器件结构，包括绝缘体上硅结构，所述绝缘体上硅结构包括硅衬底；第一氧化层，位于所述硅衬底的第一表面上；第二氧化层，位于所述第二氧化层上；顶层硅，位于所述第二层氧化物上；半导体器件，位于所述顶层硅内或表面；所述硅衬底的第二...
该专利属于合肥市华达半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥市华达半导体有限公司授权不得商用。

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