阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上设置有栅极；在所述栅极上设置有带有凹槽的栅极绝缘层，所述凹槽位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧；在所述凹槽内依次设置有源层和源漏极图形；在所述源漏极图形上设置有钝化层。本发明专利技术通过将有源层和源漏极图形依次设置在凹槽内，可以减小钝化层存在的相对段差，进而提高了显示装置的显示质量。本发明专利技术用于显示装置中。

Array substrate, manufacturing method thereof, and display device

The invention discloses an array substrate, a manufacturing method thereof and a display device, belonging to the display technology field. The array substrate includes: a substrate; the substrate is arranged on the gate; a gate insulating layer is arranged with a groove in the gate, the groove is positioned on the gate insulating layer from the substrate side; in the groove are arranged in the active layer and the source drain pattern; in the source drain pattern is arranged on the passivation layer. By placing the active layer and the source drain pattern in the groove in sequence, the relative phase difference of the passivation layer can be reduced, thereby improving the display quality of the display device. The invention is used in a display device.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
随着显示
的发展，各种具有显示功能的产品出现在日常生活中，例如手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等，这些产品都无一例外的需要装配显示面板。目前，大部分显示面板可以包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。请参考图1，图1是现有技术提供的一种阵列基板00的膜层结构示意图，该阵列基板00可以包括：衬底基板01、栅极02、栅极绝缘层03、有源层04、源漏极图形05和钝化层06，由于栅极绝缘层03在与栅极02的重叠处存在段差，使得有源层04与栅极绝缘层03的重叠处存在段差，进而使得源漏极图形05与有源层04的重叠处存在段差，最终使得钝化层06与源漏极图形05重叠处存在段差，也即钝化层06存在相对段差L1、L2、L3、L4、H1、H2和H3。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：如图1所示，由于钝化层06存在的相对段差较大，导致阵列基板中膜层的平坦度较低，钝化层06容易断裂，进而导致显示装置的显示质量较差。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；所述衬底基板上设置有栅极；在所述栅极上设置有带有凹槽的栅极绝缘层，所述凹槽位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧；在所述凹槽内依次设置有源层和源漏极图形；在所述源漏极图形上设置有钝化层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；所述衬底基板上设置有栅极；在所述栅极上设置有带有凹槽的栅极绝缘层，所述凹槽位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧；在所述凹槽内依次设置有源层和源漏极图形；在所述源漏极图形上设置有钝化层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述凹槽底部设置有凸起结构；所述有源层设置在所述凸起结构的上表面上，所述上表面为所述凸起结构远离所述衬底基板的一侧的表面；其中，所述凸起结构的上表面低于所述凹槽的开口面。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的厚度等于所述凸起结构的上表面到所述凹槽的开口面的距离。4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极图形的厚度等于所述凹槽的最大深度。5.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度大于所述栅极的厚度与所述源漏极图形的厚度之和。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极图形靠近所述衬底基板的一侧的一部分与所述凹槽底部接触，另一部分搭接在所述有源层上；或者，所述源漏极图形靠近所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：占建英，沈奇雨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11