一种阵列基板制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板制备方法、阵列基板和显示装置。包括：在基板上图案化形成薄膜晶体管源极、漏极和存储电容的第一极板；形成薄膜晶体管的有源层；形成第一绝缘层，第一绝缘层覆盖有源层、源极、漏极及第一极板；在第一绝缘层上图案化形成薄膜晶体管的栅极及存储电容的第二极板；形成第二绝缘层，第二绝缘层覆盖栅极及第二极板；形成分别暴露薄膜晶体管电极和第一极板的两个过孔；形成像素电极层，像素电极层通过过孔分别与薄膜晶体管电极及第一极板电连接。本发明专利技术形成两个存储电容，在不减少开口率的基础上增大了电容存储量；并且有源层的表面不被刻蚀，避免有源层在刻蚀中产生缺陷，提高了阵列基板中薄膜晶体管特性的均一性。

Array substrate, method for preparing the same, array substrate and display device

The invention provides an array substrate, a preparation method, an array substrate and a display device. Including: on the substrate forming a first patterned electrode thin film transistor, the source electrode and the drain electrode and the storage capacitor of the active layer; forming a thin film transistor; forming a first insulating layer, a first insulating layer covers the active layer, the source electrode and the drain electrode and the first electrode on the first insulating layer; forming a gate electrode second on the patterned thin film transistor and a storage capacitor the second; forming a second insulating layer, an insulating layer covers the gate electrode to form two and two; through holes respectively exposing the thin film transistor electrode and the first electrode; forming a pixel electrode layer and the pixel electrode layer through holes are respectively connected with the thin film transistor electrode and the first electrode is electrically connected. The present invention is formed of two storage capacitors, without reducing the aperture ratio of the foundation increases the capacitance of the storage; and the surface of the active layer by etching, avoid the active layer defects in the etching process, improve the uniformity of the thin film transistor characteristics of array substrate.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板制备方法、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示面板制作领域，特别是涉及阵列基板制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
液晶显示时目前平板显示的主流，而非晶硅薄膜晶体管阵列显示器(a-SiTFTLCD)则是液晶显示领域中的主导显示方式。a-SiTFTLCD能够满足视频显示应用，制作工艺与传统的IC电路相兼容，具有显示品质优异、功耗低、重量轻、无辐射等特点。a-Si阵列基板是a-SiTFTLCD的重要组成部分，其中a-Si阵列基板中的存储电容在液晶显示中起到至关重要的作用。然而由于a-Si阵列基板中非晶硅薄膜晶体管在关态下存在一定大小的漏电流，因而使存储电容中的电压不能够稳定的保持，进而影响显示效果。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种阵列基板制备方法、阵列基板和显示装置。依据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种阵列基板制备方法，包括：在基板上图案化形成薄膜晶体管源极、漏极和存储电容的第一极板；形成所述薄膜晶体管的有源层；形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述有源层、所述源极、所述漏极及所述第一极板；在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：在基板上图案化形成薄膜晶体管源极、漏极和存储电容的第一极板；形成所述薄膜晶体管的有源层；形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述有源层、所述源极、所述漏极及所述第一极板；在所述第一绝缘层上图案化形成所述薄膜晶体管的栅极及所述存储电容的第二极板；形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述栅极及所述第二极板；形成分别暴露所述薄膜晶体管电极和所述第一极板的两个过孔；在所述第二绝缘层上图案化形成像素电极层，所述像素电极层通过所述过孔分别与所述薄膜晶体管电极及所述第一极板电连接，其中，所述薄膜晶体管电极为所述源极或所述漏极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：在基板上图案化形成薄膜晶体管源极、漏极和存储电容的第一极板；形成所述薄膜晶体管的有源层；形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述有源层、所述源极、所述漏极及所述第一极板；在所述第一绝缘层上图案化形成所述薄膜晶体管的栅极及所述存储电容的第二极板；形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述栅极及所述第二极板；形成分别暴露所述薄膜晶体管电极和所述第一极板的两个过孔；在所述第二绝缘层上图案化形成像素电极层，所述像素电极层通过所述过孔分别与所述薄膜晶体管电极及所述第一极板电连接，其中，所述薄膜晶体管电极为所述源极或所述漏极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二极板在所述第一极板上的投影部分覆盖所述第一极板，所述暴露所述第一极板的过孔形成于所述投影在所述第一极板上的未覆盖区域。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上图案化形成薄膜晶体管源极、漏极和存储电容的第一极板包括：在所述基板上形成导电层；在所述导电层上形成欧姆接触层；对所述导电层及所述欧姆接触层进行图案化处理，形成表面覆盖有欧姆接触层的所述薄膜晶体管的源极、所述漏极，以及表面覆盖有欧姆接触层的所述存储电容的所述第一极板。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述两个过孔分别贯穿覆盖在所述漏极或所述源极上的欧姆接触层及覆盖在所述第一极板上的欧姆接触层。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐文清，刘明悬，王静，李小龙，郭会斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11