一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可在一次构图工艺下形成多晶硅材料的有源层和由金属材料构成的存储电容的一个电极。该制备方法包括在基板上形成半导体材料薄膜的步骤；形成覆盖所述半导体材料薄膜的金属薄膜；对所述金属薄膜和所述半导体材料薄膜进行一次构图工艺处理，以形成有源层、与所述有源层同层设置的半导体材料保留图案和在所述半导体材料保留图案远离所述基板一侧上的由所述金属薄膜的材料构成的存储电容下电极。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制备。

Array substrate, preparation method thereof and display device

The present invention provides an array substrate and a preparation method thereof, display device, relates to the technical field of display, an electrode active layer may be formed of polysilicon materials in a composition process and storage capacitor is composed of metallic materials. The preparation method comprises forming a semiconductor film on the substrate; forming a metal film covering the semiconductor material film; film on the metal film and the semiconductor material processing technology to form a patterned active layer, the active layer and the semiconductor material layer is arranged with retention patterns and in the semiconductor material keep away from the pattern formed by the metal film material storage capacitor on one side of the substrate electrode. Array substrate and preparation of display device including the same.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
阵列基板结构中，通常包括有薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)和存储电容。在现有技术中，为简化制备工艺、减少采用掩膜板(Mask)的构图工艺次数，通常是在形成半导体材料的有源层的同时，利用同一次构图工艺，在需要设置存储电容的区域形成半导体图形，然后再对该半导体图形进行离子掺杂(Doping)，使其由半导体转换为具有导体性质的导电材料，以作为存储电容的其中一个电极。然而，由于该电极不是由金属材料直接构成的而是由半导体经离子掺杂工艺形成的，导电性能较差，对存储电容的性能有不利影响。
技术实现思路
鉴于此，为解决现有技术的问题，本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可在一次构图工艺下形成多晶硅材料的有源层和由金属材料构成的存储电容的一个电极。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面、本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括在基板上形成半导体材料薄膜的步骤；所述制备方法还包括，形成覆盖所述半导体材料薄膜的金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，包括在基板上形成半导体材料薄膜的步骤；其特征在于，所述制备方法还包括，形成覆盖所述半导体材料薄膜的金属薄膜；对所述金属薄膜和所述半导体材料薄膜进行一次构图工艺处理，以形成有源层、与所述有源层同层设置的半导体材料保留图案和在所述半导体材料保留图案远离所述基板一侧上的由所述金属薄膜的材料构成的存储电容下电极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，包括在基板上形成半导体材料薄膜的步骤；其特征在于，所述制备方法还包括，形成覆盖所述半导体材料薄膜的金属薄膜；对所述金属薄膜和所述半导体材料薄膜进行一次构图工艺处理，以形成有源层、与所述有源层同层设置的半导体材料保留图案和在所述半导体材料保留图案远离所述基板一侧上的由所述金属薄膜的材料构成的存储电容下电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体材料薄膜为多晶硅薄膜；所述对所述金属薄膜和所述多晶硅薄膜进行一次构图工艺处理，以形成有源层、与所述有源层同层设置的多晶硅保留图案和在所述多晶硅保留图案远离所述基板一侧上的由所述金属薄膜的材料构成的存储电容下电极的步骤包括，使用一次灰色调或半色调掩膜板对所述金属薄膜和所述多晶硅薄膜进行一次构图工艺处理和一次离子掺杂处理，以形成有源层、与所述有源层同层设置的多晶硅保留图案和覆盖在所述多晶硅保留图案上的由所述金属薄膜的材料构成的存储电容下电极；其中，所述有源层包括，经所述离子掺杂形成的相对设置的源极接触区与漏极接触区。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述使用一次灰色调或半色调掩膜板对所述金属薄膜和所述多晶硅薄膜进行一次构图工艺处理和一次离子掺杂处理，以形成有源层、与所述有源层同层设置的多晶硅保留图案和覆盖在所述多晶硅保留图案上的由所述金属薄膜材料构成的存储电容下电极；其中，所述有源层包括，经所述离子掺杂形成的相对设置的源极接触区与漏极接触区的步骤包括，形成覆盖所述金属薄膜的光刻胶层；通过灰色调或半色调掩膜板对所述光刻胶层进行包括有曝光、显影的处理，以形成光刻胶第一保留图案、光刻胶第二保留图案和光刻胶完全去除区；其中，所述光刻胶第一保留图案对应于待形成的存储电容下电极的区域；所述光刻胶第二保留图案由第一区域和位于所述第一区域两侧的第二区域构成，所述第二区域对应于待形成的有源层中相对设置的源极接触区与漏极接触区，所述第一区域对应于待形成的所述有源层中的其余区域，且所述光刻胶第一保留图案、所述第一区域和所述第二区域的厚度依次降低；所述光刻胶完全去除区对应于所述金属薄膜上的其余区域；通过湿法刻蚀对所述光刻胶完全去除区露出的所述金属薄膜的区域进行过刻，以形成位于所述光刻胶第一保留图案下方的存储电容下电极和位于所述光刻胶第二保留图案下方的金属遮挡图案；其中，所述金属遮挡图案的轮廓位于所述光刻胶第二保留图案的轮廓内；对所述光刻胶第一保留图案和所述光刻胶第二保留图案露出的所述多晶硅薄膜进行刻蚀处理，以形成位于所述存储电容下电极下方的多晶硅保留图案和位于所述金属遮挡图案下方的有源层；其中，所述有源层的图案与所述光刻胶第二保留图案相同；采用离子注入工艺对所述金属遮挡图案露出的所述有源层的区域进行离子掺杂，以形成经所述离子掺杂处理形成的相对设置的源极接触区与漏极接触区；依次去除所述光刻胶第二保留图案和所述金属遮挡图案，以露出所述有源层；去除所述光刻胶第一保留图案，以露出所述存储电容下电极。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述依次去除所述光刻胶第二保留图案和所述金属遮挡图案，以露出所述有源层，包括，采用灰化工艺对所述光刻胶第二保留图案和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫奎，段献学，陈程，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11