一种FinFET制备方法技术

本发明专利技术公开了一种FinFET制备方法，包括如下步骤：在一半导体衬底顶部依次沉积第一硬掩模层和第二硬掩模层；刻蚀第二硬掩模层，在第一硬掩模层之上保留有剩余第二硬掩模层；在剩余第二硬掩模层的侧壁制备侧墙；利用具有侧墙的剩余第二硬掩模层为刻蚀掩模向下刻蚀至半导体衬底中，以在半导体衬底中形成若干鳍状结构；移除侧墙，以将部分剩余的第一硬掩模层的上表面予以暴露；沉积氧化层并进行平坦化处理，以使该氧化层的上表面与剩余第二硬掩模层的顶部平面齐平；移除剩余第二硬掩模层；回蚀氧化层，以将各鳍状结构的部分侧壁予以外露。本发明专利技术通过引入spacer作为掩膜的一部分，优化双层硬质掩膜的结构，最终得到平坦的FinFET STI OX recess结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制备领域，具体涉及一种FinFET制备方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，传统的平面性器件已经不能满足人们对高性能器件的需求。FinFET(Fin Field‐Effect Transistor，鳍式场效应晶体管)是一种立体型器件，包括在衬底上竖直形成的鳍以及与鳍相交的堆叠栅。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长。由于FinFET具有功耗低，面积小的优点，目前已被各晶圆厂商所广泛应用。图1为FinFET的立体结构图，1为衬底，2为刻蚀衬底1所形成的鳍状结构(Fin)，3为填充在相邻鳍状结构之间的氧化层，栅电极材料层4覆盖在鳍状结构2和氧化层3之上。在FinFET器件中，需要氧化层3具有较为平整的上表面。但是在目前工艺中，氧化层3的顶面平整度很难满足技术人员的需求。这是由于在采用湿法回蚀形成图1所示的氧化层3后，由于湿法刻蚀对氧化层的刻蚀比较高，在刻蚀过程中很难控制，导致氧化层的表面不平整。因此，如何有效的改善鳍状结构之间的氧化层的平坦性一直为本领域技术人员致力研究的方向。
技术实现思路
本专利技术提供了一种FinFET制备方法，其中，包括如下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底顶部自下而上依次沉积有第一硬掩模层和第二硬掩模层；进行图案化处理并刻蚀所述第二硬掩模层，在所述第一硬掩模层之上保留有剩余第二硬掩模层；在所述剩余第二硬掩模层的侧壁制备侧墙；利用具有侧墙的剩余第二硬掩模层为刻蚀掩模向下刻蚀至所述半导体衬底中，以在所述半导体衬底中形成若干鳍状结构；移除所述侧墙，以将部分剩余的第一硬掩模层的上表面予以暴露；沉积氧化层并进行平坦化处理，以使该氧化层的上表面与剩余第二硬掩模层的顶部平面齐平；移除剩余第二硬掩模层；回蚀所述氧化层，以将各所述鳍状结构的部分侧壁予以外露。上述的方法，其中，所述第一硬掩模层为SiN。上述的方法，其中，所述第二硬掩模层为SiN、SiON、BN、无定形碳、TiN中的任意一种材料。上述的方法，其中，所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层的厚度均大于上述的方法，其中，所述侧墙厚度至少大于5nm。上述的方法，其中，形成所述侧墙的步骤包括：沉积一层侧墙材料层，将第一硬掩模层和剩余第二硬掩模层暴露的表面进行覆盖；对所述侧墙材料层进行刻蚀，并保留位于剩余第二硬掩模层侧壁处的侧墙材料层以作为所述侧墙。上述的方法，其中，采用湿法刻蚀工艺或者等离子刻蚀工艺回蚀所述氧化层。上述的方法，其中，所述平坦化处理为化学机械研磨。上述的方法，其中，所述方法还包括：移除所述第一硬掩模层，并沉积栅极材料层。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1为FinFET器件的立体结构图；图2A‐2H为本专利技术提供的一种FinFET制备方法的流程图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本专利技术的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。本专利技术提供了一种用于形成鳍式场效应晶体管的方法，具体如下。首先，参照图2A所示，提供一半导体衬底100，在该半导体衬底100的顶部自下而上依次制备有第一硬掩模层101和第二硬掩模层102。可选但非限制，第一硬掩模层101为SiN；第二硬掩模层102为SiN、SiON、BN、无定形碳、TiN中的任意一种材料。进一步优选的，上述的第一硬掩模层101和第二硬掩模层102厚度均大于之后，进行图案化处理并刻蚀第二硬掩模层102，在第一硬掩模层101之上保留有剩余第二硬掩模层102’，如图2B所示。具体的，可在第二硬掩模层102顶部涂覆一层光刻胶，进行曝光显影工艺，在光刻胶中形成若干开口，并以具有开口的光刻胶向下进行刻蚀至第一硬掩模层101的上表面停止，以形成图2B所示的结构。在剩余第二硬掩模层102’的侧壁制备侧墙103，如图2C所示。具体的，制备侧墙103的步骤包括：沉积一层侧墙材料层，将第一硬掩模层101和剩余第二硬掩模层102’暴露的表面进行覆盖；之后对侧墙材料层进行刻蚀，并保留位于剩余第二硬掩模层102’侧壁处的侧墙材料层以作为侧墙103。可选但非限制，该侧墙103的厚度至少大于5nm。利用具有侧墙103的剩余第二硬掩模层102’为刻蚀掩模向下刻蚀至半导体衬底100中，以在半导体衬底100中形成若干鳍状结构(Fin)100a，如图2D所示。移除侧墙103，以将部分剩余的第一硬掩模层101的上表面予以暴露，如图2E所示。在本专利技术中，由于侧墙103与第一硬掩模层101、剩余第二硬掩模层102’的材质均不相同，因此在移除侧墙103的过程中，鳍状结构100a、第一硬掩模层101和剩余第二硬掩模层102’受到的损伤较小。沉积氧化层104并进行平坦化处理，以使该氧化层104的上表面与剩余第二硬掩模层102’的顶部平面齐平，如图2F所示。可选但非限制，可选用化学机械研磨(CMP)来对氧化层104进行平坦化处理至剩余第二硬掩模层102’的顶部平面。移除剩余第二硬掩模层102’，如图2G所示。由于剩余第二硬掩模层102’的材质与氧化层104明显不同，例如当剩余第二硬掩模层102’为无定形碳时，可在高温下通入氧气，无定形碳与氧气生成气态的二氧化碳即可实现移除剩余第二硬掩模层102’。回蚀氧化层104，以将各鳍状结构100a的侧壁予以外露，同时在相邻鳍状结构100a之间区域的底部保留部分氧化层104，如图2H所示。可选但非限制，可采用湿法刻蚀工艺或者等离子刻蚀工艺回蚀氧化层104。在回蚀氧化层104的过程中，由于在顶部保留有剩余的第一硬掩模层101，因此可保护鳍状结构100a免受刻蚀损伤，同时氧化层104经回蚀时，也能具有一较为平坦的表面。完本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FinFET制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底顶部自下而上依次沉积有第一硬掩模层和第二硬掩模层；进行图案化处理并刻蚀所述第二硬掩模层，在所述第一硬掩模层之上保留有剩余第二硬掩模层；在所述剩余第二硬掩模层的侧壁制备侧墙；利用具有侧墙的剩余第二硬掩模层为刻蚀掩模向下刻蚀至所述半导体衬底中，以在所述半导体衬底中形成若干鳍状结构；移除所述侧墙，以将部分剩余的第一硬掩模层的上表面予以暴露；沉积氧化层并进行平坦化处理，以使该氧化层的上表面与剩余第二硬掩模层的顶部平面齐平；移除剩余第二硬掩模层；回蚀所述氧化层，以将各所述鳍状结构的部分侧壁予以外露。

【技术特征摘要】
1.一种FinFET制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一半导体衬底，在所述半导体衬底顶部自下而上依次沉积有
第一硬掩模层和第二硬掩模层；
进行图案化处理并刻蚀所述第二硬掩模层，在所述第一硬掩模层
之上保留有剩余第二硬掩模层；
在所述剩余第二硬掩模层的侧壁制备侧墙；
利用具有侧墙的剩余第二硬掩模层为刻蚀掩模向下刻蚀至所述
半导体衬底中，以在所述半导体衬底中形成若干鳍状结构；
移除所述侧墙，以将部分剩余的第一硬掩模层的上表面予以暴
露；
沉积氧化层并进行平坦化处理，以使该氧化层的上表面与剩余第
二硬掩模层的顶部平面齐平；
移除剩余第二硬掩模层；
回蚀所述氧化层，以将各所述鳍状结构的部分侧壁予以外露。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩模层
为SiN。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩模层<...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31