一种FinFET制备方法技术

本发明专利技术公开了一种FinFET制备方法，包括如下步骤：在一半导体衬底顶部依次沉积第一硬掩模层和第二硬掩模层；刻蚀第二硬掩模层，在第一硬掩模层之上保留有剩余第二硬掩模层；在剩余第二硬掩模层的侧壁制备侧墙；利用具有侧墙的剩余第二硬掩模层为刻蚀掩模向下刻蚀至半导体衬底中，以在半导体衬底中形成若干鳍状结构；移除侧墙，以将部分剩余的第一硬掩模层的上表面予以暴露；沉积氧化层并进行平坦化处理，以使该氧化层的上表面与剩余第二硬掩模层的顶部平面齐平；移除剩余第二硬掩模层；回蚀氧化层，以将各鳍状结构的部分侧壁予以外露。本发明专利技术通过引入spacer作为掩膜的一部分，优化双层硬质掩膜的结构，最终得到平坦的FinFET STI OX recess结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制备领域，具体涉及一种FinFET制备方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，传统的平面性器件已经不能满足人们对高性能器件的需求。FinFET(Fin Field‐Effect Transistor，鳍式场效应晶体管)是一种立体型器件，包括在衬底上竖直形成的鳍以及与鳍相交的堆叠栅。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长。由于FinFET具有功耗低，面积小的优点，目前已被各晶圆厂商所广泛应用。图1为FinFET的立体结构图，1为衬底，2为刻蚀衬底1所形成的鳍状结构(Fin)，3为填充在相邻鳍状结构之间的氧化层，栅电极材料层4覆盖在鳍状结构2和氧化层3之上。在FinFET器件中，需要氧化层3具有较为平整的上表面。但是在目前工艺中，氧化层3的顶面平整度很难满足技术人员的需求。这是由于在采用湿法回蚀形成图1所示的氧化层3后，由于湿法刻蚀对氧化层的刻蚀比较高，在刻蚀过程中很难控制，导致氧化层的表面不平整本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FinFET制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底顶部自下而上依次沉积有第一硬掩模层和第二硬掩模层；进行图案化处理并刻蚀所述第二硬掩模层，在所述第一硬掩模层之上保留有剩余第二硬掩模层；在所述剩余第二硬掩模层的侧壁制备侧墙；利用具有侧墙的剩余第二硬掩模层为刻蚀掩模向下刻蚀至所述半导体衬底中，以在所述半导体衬底中形成若干鳍状结构；移除所述侧墙，以将部分剩余的第一硬掩模层的上表面予以暴露；沉积氧化层并进行平坦化处理，以使该氧化层的上表面与剩余第二硬掩模层的顶部平面齐平；移除剩余第二硬掩模层；回蚀所述氧化层，以将各所述鳍状结构的部分侧壁予以外露。

【技术特征摘要】
1.一种FinFET制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一半导体衬底，在所述半导体衬底顶部自下而上依次沉积有
第一硬掩模层和第二硬掩模层；
进行图案化处理并刻蚀所述第二硬掩模层，在所述第一硬掩模层
之上保留有剩余第二硬掩模层；
在所述剩余第二硬掩模层的侧壁制备侧墙；
利用具有侧墙的剩余第二硬掩模层为刻蚀掩模向下刻蚀至所述
半导体衬底中，以在所述半导体衬底中形成若干鳍状结构；
移除所述侧墙，以将部分剩余的第一硬掩模层的上表面予以暴
露；
沉积氧化层并进行平坦化处理，以使该氧化层的上表面与剩余第
二硬掩模层的顶部平面齐平；
移除剩余第二硬掩模层；
回蚀所述氧化层，以将各所述鳍状结构的部分侧壁予以外露。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩模层
为SiN。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩模层<...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31