一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术实施例提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，包括：在基材层上采用包括硅烷、磷化氢和氢气的材料沉积形成一N+Si掺杂层，并形成相对的第一掺杂层和第二掺杂层；在N+Si掺杂层上沉积一a-Si非晶硅层，对a-Si非晶硅层进行镭射退火、图形蚀刻处理，在第一掺杂层和第二掺杂层之间形成a-Si非晶硅层，且在第一掺杂层和a-Si非晶硅层之间形成第一轻掺杂漏极端、第一掺杂层和a-Si非晶硅层之间分别形成第二轻掺杂漏极端，以及在第一掺杂层和第一轻掺杂漏极端上形成第一磷材料结构、在第二掺杂层和第二轻掺杂漏极端上形成第二磷材料结构。本发明专利技术通过镭射退火的高温作用，利用N+Si掺杂层形成轻掺杂漏极端和磷材料结构，减少光罩的使用次数，简化制作工艺流程。

【技术实现步骤摘要】
一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
本专利技术属于晶体管制造
，具体涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，还涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管。
技术介绍
现有技术中，如图1所示，为现有技术的LTPS-TFT(LowTemperaturePoly-Silicon-ThinFilmTransistor，低温多晶硅薄膜晶体管)的结构示意图。从其结构中不难看出，其制造方法如下：依序沉积Substrate(基底)层、SiNx(氮化硅)层、SiOx(氧化硅)层以形成基材层，接着沉积a-Si(非晶硅)层，a-Si经由Laser(镭射)结晶变为Poly-Si(多晶硅)薄膜，然后通过黄光/蚀刻制程得到图案图层结构。接着，在图案图层上用两次Mask(镀膜)通过黄光光阻分别定义N+(掺杂区)和N-(LDD，轻掺杂漏极端)区域，其中，在N+和N-区域doping(掺杂)不同剂量的P31(相对分子质量为31的磷)，即离子植入P31，得到N-。通过多次沉积、黄光和蚀刻得到图1所示的GI(氮化硅)及GE(栅极金属)层、Source(源极金属)层和Drain(漏极金属)层等。不难理解的是，现有技术需要通过反复本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在基材层上采用包括硅烷、磷化氢和氢气的材料沉积形成一N+Si掺杂层，并通过图形蚀刻形成相对的第一掺杂层和第二掺杂层；在N+Si掺杂层上沉积一a‑Si非晶硅层，对所述a‑Si非晶硅层进行镭射退火、图形蚀刻处理，以在所述第一掺杂层和第二掺杂层之间的通道形成部分a‑Si非晶硅层，且通过高温作用在所述第一掺杂层和所述部分a‑Si非晶硅层之间形成第一轻掺杂漏极端、所述第一掺杂层和所述部分a‑Si非晶硅层之间分别形成第二轻掺杂漏极端，以及在第一掺杂层和第一轻掺杂漏极端上形成第一磷材料结构、在第二掺杂层和第二轻掺杂漏极端上形成第二磷材料结构；...

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在基材层上采用包括硅烷、磷化氢和氢气的材料沉积形成一N+Si掺杂层，并通过图形蚀刻形成相对且间隔设置的第一掺杂层和第二掺杂层，具体为采用黄光照射蚀刻；在N+Si掺杂层上沉积一a-Si非晶硅层，对所述a-Si非晶硅层进行镭射退火、图形蚀刻处理，具体为对所述a-Si非晶硅层进行激光结晶转化为Poly-Si薄膜并对所述a-Si非晶硅层进行去氢处理；以在所述第一掺杂层和第二掺杂层之间的通道形成多晶硅层，且通过高温作用在所述第一掺杂层和所述多晶硅层之间形成第一轻掺杂漏极端、所述第一掺杂层和所述多晶硅层之间分别形成第二轻掺杂漏极端，具体为所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的磷材料往所述Poly-Si薄膜方向高温扩散成型；以及在第一掺杂层和第一轻掺杂漏极端上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松杉，张晓星，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44