降低MOS晶体管短沟道效应的方法技术

一种降低MOS晶体管短沟道效应的方法，包括：在硅片的阱中形成三角形源极和三角形漏极，其中三角形源极的一个角和三角形漏极的一个角相对，在相对的角上分别形成轻掺杂源区和轻掺杂漏区，并在硅片上依次形成第一介质层和第二介质层，在第一介质层和第二介质层形成栅极凹槽；使栅极凹槽进入阱；在栅极凹槽的部分侧壁形成氮化硅层，使得在三角形源极、三角形漏极、轻掺杂源区、轻掺杂漏区和阱表面形成氮化硅层；利用硅对栅极凹槽进行部分填充，以使硅填充栅极凹槽处于衬底内的部分；对第一介质层进行湿法刻蚀，以使得未被硅填充的栅极凹槽的尺寸变大，从而形成扩大的栅极凹槽；在扩大的栅极凹槽中填充栅极材料。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种降低MOS晶体管短沟道效应的方法，包括：在硅片的阱中形成三角形源极和三角形漏极，其中三角形源极的一个角和三角形漏极的一个角相对，在相对的角上分别形成轻掺杂源区和轻掺杂漏区，并在硅片上依次形成第一介质层和第二介质层，在第一介质层和第二介质层形成栅极凹槽；使栅极凹槽进入阱；在栅极凹槽的部分侧壁形成氮化硅层，使得在三角形源极、三角形漏极、轻掺杂源区、轻掺杂漏区和阱表面形成氮化硅层；利用硅对栅极凹槽进行部分填充，以使硅填充栅极凹槽处于衬底内的部分；对第一介质层进行湿法刻蚀，以使得未被硅填充的栅极凹槽的尺寸变大，从而形成扩大的栅极凹槽；在扩大的栅极凹槽中填充栅极材料。【专利说明】降低MOS晶体管短沟道效应的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种降低MOS晶体管短沟道效应的方法。
技术介绍
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管。现如今，MOS晶体管已经被广泛地用于大部分的数字电路及部分模拟电路中。 但是，随着器件尺寸的缩小，会出现短沟道效应，从而影响器件性能。具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低MOS晶体管短沟道效应的方法，其特征在于包括：在硅片的阱中形成三角形源极和三角形漏极，其中三角形源极的一个角和三角形漏极的一个角相对，在三角形源极和三角形漏极的相互相对的角上分别形成轻掺杂源区和轻掺杂漏区，并且在硅片上依次形成第一介质层和第二介质层，而且在第一介质层和第二介质层形成栅极凹槽；对三角形源极、三角形漏极、轻掺杂源区、轻掺杂漏区和阱进行刻蚀，使栅极凹槽进入阱；在栅极凹槽的部分侧壁形成氮化硅层，使得在三角形源极、三角形漏极、轻掺杂源区、轻掺杂漏区和阱表面形成氮化硅层；利用硅对栅极凹槽进行部分填充，以使硅填充栅极凹槽处于衬底内的部分；对第一介质层进行湿法刻蚀，以使得未被硅填充的栅...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31