P型鳍式场效应晶体管的形成方法技术

一种P型鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供锗硅基底；在所述锗硅基底上形成硅层，所述硅层侧面为（111）晶面；湿法刻蚀所述硅层形成硅线，所述湿法刻蚀硅层为沿垂直于所述硅层上表面方向刻蚀所述硅层，所述硅线定义鳍部的位置；以所述硅线为掩模，刻蚀所述锗硅基底形成鳍部；去除所述硅线。在湿法刻蚀硅层形成硅线过程中，整个硅层完全浸入刻蚀剂中，刻蚀剂只在垂直于硅层上表面方向上刻蚀硅层。这样，形成的硅线侧壁非常光滑，线宽在其高度方向上体现一致性。在以该硅线为掩模，刻蚀锗硅基底形成的鳍部侧壁也非常光滑，硅线的线宽传递至鳍部，鳍部的线宽可以准确定位，在鳍部高度方向上体现一致性。

【技术实现步骤摘要】
P型鳍式场效应晶体管的形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种P型鳍式场效应晶体管的形成方法。
技术介绍
在半导体
，随着集成电路的特征尺寸不断减小，以及对集成电路更高信号传递速度的要求，晶体管需要在尺寸逐渐减小的同时具有更高的驱动电流。为顺应这种要求，传统的互补金属氧化物半导体（ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS）晶体管的长度变得比以往更短，然而，这仍然难以满足高集成度的需要。因此，在现有技术中，提出了鳍式场效应晶体管（FinFET）。参照图1，鳍式场效应晶体管包括：位于基底10上的绝缘层11；贯穿绝缘层11且高出绝缘层11上表面的鳍部12；横跨所述鳍部12的栅极13，栅极13与其下的鳍部上表面和侧壁表面相对；分别形成在栅极13两侧鳍部的源极、漏极（未示出），源极与栅极之间、漏极与栅极之间为相互隔开。相比于CMOS晶体管，鳍式场效应晶体管为位于基底上的类似立体结构，它的特征尺寸更小，更能满足高集成度的要求。而且，鳍式场效应晶体管的栅极与鳍部的上表面相对，栅极与鳍部的两个相对的侧壁表面也相对，则在工作时，与栅极相对的鳍本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种P型鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供锗硅基底；在所述锗硅基底上形成硅层，所述硅层侧面为（111）晶面；湿法刻蚀所述硅层形成硅线，所述湿法刻蚀硅层为沿垂直于所述硅层上表面方向刻蚀所述硅层，所述硅线定义鳍部的位置；以所述硅线为掩模，刻蚀所述锗硅基底形成鳍部；去除所述硅线。

【技术特征摘要】
1.一种P型鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供锗硅基底；在所述锗硅基底上形成硅层，所述硅层侧面为（111）晶面；湿法刻蚀所述硅层形成硅线，所述湿法刻蚀硅层为沿垂直于所述硅层上表面方向刻蚀所述硅层，所述硅线定义鳍部的位置；以所述硅线为掩模，刻蚀所述锗硅基底形成鳍部；去除所述硅线。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述锗硅基底上形成硅层的方法为外延生长。3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在湿法刻蚀所述硅层过程使用的刻蚀剂为四甲基氢氧化铵水溶液。4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述四甲基氢氧化铵水溶液的体积浓度范围为1%-40%，温度范围为大于等于20℃且小于100℃。5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，湿法刻蚀所述硅层形成硅线的方法包括：在所述硅层上形成硬掩模层；对所述硬掩模层进行图形化，形成硬掩模线，所述硬掩模线定义硅线的位置；以所述硬掩模线为掩模，湿法刻蚀所述硅层形成硅线；去除所述硬掩模线。6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述去除硬掩模线的方法为湿法刻蚀。7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，刻蚀所述锗硅基底形成鳍部的方法为干法刻蚀。8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在干法刻蚀所述锗硅基底过程，使用CF4。9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，在干法刻蚀所述锗硅基底过程中，射频功率范围为50w-500W；压强范围为2mTorr-100mTorr，偏置电压范围为0-200...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，王冬江，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31