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一种P型鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供锗硅基底；在所述锗硅基底上形成硅层，所述硅层侧面为（111）晶面；湿法刻蚀所述硅层形成硅线，所述湿法刻蚀硅层为沿垂直于所述硅层上表面方向刻蚀所述硅层，所述硅线定义鳍部的位置；以所述硅线为掩模，刻...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。
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一种P型鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供锗硅基底；在所述锗硅基底上形成硅层，所述硅层侧面为（111）晶面；湿法刻蚀所述硅层形成硅线，所述湿法刻蚀硅层为沿垂直于所述硅层上表面方向刻蚀所述硅层，所述硅线定义鳍部的位置；以所述硅线为掩模，刻...