【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种MOS器件的制作方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成伪栅结构,所述伪栅结构顶部具有硬掩模层;在所述伪栅结构两侧形成侧墙;在所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成源极和漏极;采用第一偏置电压干法刻蚀工艺蚀刻所述硬掩模层和所述侧墙;采用第二偏置电压干法刻蚀工艺蚀刻剩余的所述硬掩模层和所述侧墙。所述MOS器件的制作方法能够去除所述硬掩模层和所述侧墙,并且可以防止在去除所述硬掩模层和所述侧墙的过程中,对所述金属硅化物造成严重破坏。【专利说明】MOS器件的制作方法
本专利技术涉及半导体工艺领域,尤其是涉及一种MOS器件的制作方法。
技术介绍
为了尽可能地改善金属氧化物半导体(MOS)器件的电学性能,在沟道区区域中引入应力成为MOS器件制作工艺中的重要手段。有多种方法可以在沟道区区域中引入应力,其中之一就是应力临近技术(Stress Proximity Technology, SPT)。SPT通过在半导体衬底表面和栅结构表面沉积应力层,使应力层的应力被转移到沟道区区域中,达到提高电子或空穴迁移率的效果。 在MOS器件制作工艺 ...
【技术保护点】
一种MOS器件的制作方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成伪栅结构,所述伪栅结构顶部具有硬掩模层;在所述伪栅结构两侧形成侧墙;在所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成源极和漏极;采用第一偏置电压干法刻蚀工艺蚀刻所述硬掩模层和所述侧墙;采用第二偏置电压干法刻蚀工艺蚀刻剩余的所述硬掩模层和所述侧墙。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:于书坤,韦庆松,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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