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本发明公开了一种FinFET制备方法，包括如下步骤：在一半导体衬底顶部依次沉积第一硬掩模层和第二硬掩模层；刻蚀第二硬掩模层，在第一硬掩模层之上保留有剩余第二硬掩模层；在剩余第二硬掩模层的侧壁制备侧墙；利用具有侧墙的剩余第二硬掩模层为刻蚀掩模...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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