基板结构、半导体封装、堆迭式封装结构及其制造方法技术

一种基板结构、半导体封装、堆迭式封装结构及其制造方法。半导体封装包括一基板结构、一芯片与一封装体。基板结构包括一导电壳体、数个导电引脚与一绝缘结构。导电壳体具有开口朝下的一壳体凹槽。绝缘结构分开导电引脚与导电壳体。芯片配置在基板结构的一上表面上，并电性连接至导电引脚。封装体覆盖芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体封装、堆迭式封装结构及其制造方法，且特别是有关于一种具有用以容纳芯片的导电壳体的半导体封装、堆迭式封装结构及其制造方法。
技术介绍
电子产品变得越来越复杂，例如至少要求电子产品的一部分增强功能及具有较小尺寸。虽然增强功能及具有较小尺寸所带来的好处是明确的，然而实现这些好处会产生一些问题。特别是，电子产品通常需要在有限的空间内容设高密度的半导体元件。举例而言，移动电话、个人数字助理、可携式电脑及其它可携式消费产品内用以容置的处理器、存储器、及其他主动元件或被动元件的可用空间内是受到限制。相关地，被封装的半导体元件通常可勉强提供抵抗环境条件的保护及提供输入及输出的电性连接。将半导体元件封装于半导体元件封装结构中，会占用电子产品中额外的有价值的空间。因此，减少半导体元件封装结构所占用的占据面积(Footprint Area)成为极为强烈的趋势。一种发展的趋势为使用PoP(package-on-package)结构组成呈现的堆迭式封装结构。然而，一般堆迭式封装结构难以缩减厚度且散热效果差。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种基板结构、半导体封装、堆迭式封装结构及其制造方法，可缩减结构厚度，并提高散热功效。根据本专利技术，提出一种基板结构，其包括一导电壳体、数个导电引脚与一绝缘结构。导电壳体具有开口朝下的一壳体凹槽。绝缘结构分开导电引脚与导电壳体。根据本专利技术，提出一种半导体封装，其包括一基板结构、一芯片与一封装体。基板结构包括一导电壳体、数个导电引脚与一绝缘结构。导电壳体具有开口朝下的一壳体凹槽。绝缘结构分开导电引脚与导电壳体。芯片配置在基板结构的一上表面上，并电性连接至导电引脚。封装体覆盖芯片。根据本专利技术，提出一种堆迭式封装结构，其包括一第一半导体封装与一第二半导体封装。第一半导体封装包括一第一基板结构、一第一芯片与一第一封装体。第一基板结构包括一导电壳体、数个导电引脚与一绝缘结构。导电壳体具有开口朝下的一壳体凹槽。绝缘结构分开导电引脚与导电壳体。第一芯片配置在第一基板结构的一上表面上，并电性连接至导电引脚。第一封装体覆盖第一芯片。第二半导体封装包括一第二基板结构、一第二芯片与一第二封装体。第二芯片配置在第二基板结构上。第二封装体包覆第二芯片的一主动面。第二半导体封装电性连接第一半导体封装。第二芯片容置在导电壳体的壳体凹槽中。根据本专利技术，提出一种半导体封装的制造方法，其包括以下步骤。从一导电层的一下表面移除部分导电层，以形成一下凹口与一壳体凹槽。以一下绝缘部分填充下凹口。从导电层的一上表面移除部分导电层，以形成一上凹口，其连通的下凹口。其中在形成上凹口与下凹口之后，导电层留下的部分形成数个导电引脚与一导电壳体。导电壳体具有壳体凹槽。形成一上绝缘部分填充上凹口，并配置在数个导电引脚与导电壳体的上表面上。配置一芯片在上绝缘部分上，并电性连接至导电引脚。以一封装体覆盖芯片。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：附图说明图1绘示根据一实施例的半导体封装的剖面图。图2绘示根据一实施例的半导体封装的剖面图。图3绘示根据一实施例的堆迭式封装结构的剖面图。图4绘示根据一实施例的堆迭式封装结构的剖面图。图5A至图5U绘示根据一实施例的堆迭式封装结构的制造方法。图6A至图6M绘示根据一实施例的堆迭式封装结构的制造方法。主要元件符号说明：102、202：半导体封装104、204：基板结构106：芯片108：封装体110：导电壳体112：导电引脚114、214：绝缘结构116、216：上绝缘部分118：下绝缘部分120：上表面122：上凹口124：下表面126：下凹口128：壳体凹槽130：导电垫132：导电连接件234：上绝缘部分236：穿孔238：线路层240：上表面242：开口344、444：堆迭式封装结构346：半导体封装348：基板结构350：芯片352：封装体354：导电凸块356：导电垫358：导电凸块360：黏着层562：导电层564：光阻层566：光阻层568：支撑膜570：光阻层572：光阻层574：开口576：保护层580：导电垫682：导电层684：导电层686：光阻层688：导电层390：空隙H1：高度H2：厚度H3：厚度具体实施方式请参照图1，其绘示根据一实施例的半导体封装102的剖面图。半导体封装102包括一基板结构104、至少一芯片106与一封装体108。基板结构104包括一导电壳体110、数个导电引脚112与一绝缘结构114。绝缘结构114包括相邻的一上绝缘部分116与一下绝缘部分118。其中上绝缘部分116填充从导电引脚112的上表面120凹进的一上凹口122。下绝缘部分118填充从导电引脚112的下表面124凹进的一下凹口126。绝缘结构114将导电引脚112与导电壳体110彼此分开且电性绝缘。其中，较佳的是导电壳体110侧壁的下表面与导电引脚112的下表面为共平面，且导电壳体110的上表面与导电引脚112的上表面120为共平面。导电壳体110具有开口朝下的一壳体凹槽128。于实施例中，导电壳体110是用以容置另一半导体封装的芯片(之后将说明)于壳体凹槽128中，藉此缩减堆迭式封装结构的整体厚度。由于芯片一般会配置在半导体封装102(从上视图来看)的中央部份，因此实施例中导电壳体110的壳体凹槽128是对应配置在基板结构104的中央部份，然并不限于此，导电壳体110的壳体凹槽128也可对应欲容纳芯片的位置作改变。一些实施例中，导电壳体110的高度H1为0.06μm、0.1μm、0.2μm，然不限于此，也可根据产品需求设计成其他合适的尺寸。导电引脚112与导电壳体110的材质可包括金属，例如铜或其他合适的材料。其中选用热传导性佳的材质可使导电壳体110得以有效率地对容纳的芯片进行散热。数个导电垫130可配置在导电引脚112的上表面120上，并电性连接至导电引脚112。配置在上绝缘部分116上的芯片106可通过主动面上的数个导电连接件132电性连接至导电垫130，而电性连接至导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板结构，其特征在于，包括：一导电壳体，具有开口朝下的一壳体凹槽；数个导电引脚；以及一绝缘结构，分开该些导电引脚与该导电壳体。

【技术特征摘要】
1.一种基板结构，其特征在于，包括：
一导电壳体，具有开口朝下的一壳体凹槽；
数个导电引脚；以及
一绝缘结构，分开该些导电引脚与该导电壳体。
2.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该导电壳体的该壳体凹槽位
在该基板结构的中央部份。
3.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，更包括：
一上凹口，从该些导电引脚的上表面凹进；以及
一下凹口，从该些导电引脚的下表面凹进，并连通该上凹口；
其中该绝缘结构包括相邻的一上绝缘部分与一下绝缘部分，分别填充该上凹
口与该下凹口。
4.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该绝缘结构包括一上绝缘部
分，该上绝缘部分具有露出该些导电引脚的上表面的数个穿孔，该基板结构更包括
数个线路层，通过该些穿孔而电性连接该些导电引脚，并延伸在该上绝缘部分的上
表面。
5.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该导电壳体与该些导电引脚
位在该绝缘结构的侧壁上。
6.一种半导体封装，其特征在于，包括：
一基板结构，包括：
一导电壳体，具有开口朝下的一壳体凹槽；
数个导电引脚；以及
一绝缘结构，分开该些导电引脚与该导电壳体；
一芯片，配置在该基板结构的一上表面上，并电性连接至该些导电引脚；以
及
一封装体，覆盖该芯片。
7.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，该导电壳体的该壳体凹槽
位在该半导体封装或该基板结构的中央部份。
8.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，该导电壳体的位置对应该
芯片的位置。
9.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，该导电壳体是位在该芯片
下方。
10.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，更包括：
一上凹口，从该些导电引脚的上表面凹进；以及
一下凹口，从该些导电引脚的下表面凹进，并连通该上凹口；
其中该绝缘结构包括相邻的一上绝缘部分与一下绝缘部分，分别填充该上凹
口与该下凹口。
11.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，该绝缘结构包括一上绝缘
部分，该上绝缘部分具有露出该些导电引脚的上表面的数个穿孔，
该基板结构更包括数个线路层，通过该些穿孔而电性连接该些导电引脚，并
延伸在该上绝缘部分的上表面。
12.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，该导电壳体与该些导电引
脚位在该绝缘结构的侧壁上。
13.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈天赐，陈光雄，王圣民，李育颖，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71