半导体封装件及其制造方法技术

半导体封装件包括封装体、芯片、第一导电架、第二导电架及线路层。芯片受到封装体包覆且具有主动面，主动面从封装体的下表面露出。第一导电架包括相连接的直立部及横向部，直立部从封装体的上表面延伸至封装体的下表面，横向部从直立部延伸至封装体的外侧面并具有外侧面及下表面，横向部的外侧面从封装体的外侧面露出，而横向部的下表面从封装体的下表面露出。第二导电架与第一导电架隔离且具有下表面，第二导电架的下表面从封装体的下表面露出。线路层横向地延伸于第二导电架的下表面与芯片的主动面之间，以电性连接第二导电架与芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种具有导电架的。
技术介绍
随着半导体封装件的功能要求愈来愈多，半导体封装件内部通常具有导通孔，以电性连接二层以上的线路层或半导体封装件相对二侧的电性面。然而，在制作导通孔须先以激光或刀具方式钻孔，然后费时地以电镀导电材料于孔内，因而导致制作工时及成本提闻。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种，可减少半导体封装件的制造工时。 根据本专利技术，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一封装体、一芯片、一第一导电架、一第二导电架及一第一线路层。封装体具有一外侧面及相对的一上表面与一下表面。芯片受到封装体包覆且具有一主动面，主动面从封装体的下表面露出。第一导电架包括相连接的一直立部及一横向部，直立部从封装体的上表面延伸至封装体的下表面，横向部从直立部延伸至封装体的外侧面并具有一外侧面及一下表面，横向部的外侧面从封装体的外侧面露出，而横向部的下表面从封装体的下表面露出。第二导电架与第一导电架隔离且具有一下表面，第二导电架的下表面从封装体的下表面露出。第一线路层横向地延伸于第二导电架的下表面与芯片的主动面之间，以电性连接第二导电架与芯片。 根据本专利技术，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。设置一导电架于一载板上，导电架包括一第一导电架、一连接部与一第二导电架，连接部连接第一导电架与第二导电架，第一导电架包括相连接的一横向部及一直立部，横向部具有一下表面，横向部以其下表面设于载板上；设置一芯片于载板上，芯片具有一主动面，芯片以主动面设于载板上；形成一封装体包覆芯片及导电架，其中连接部的一上表面是被封装体包覆；移除连接部及部分封装体，以分离第一导电架与第二导电架；移除载板，以露出横向部的一下表面、第二导电架的一下表面及封装体的一下表面；形成一第一线路层延伸于第二导电架的下表面与芯片的该主动面之间，以电性连接第二导电架与芯片；以及，形成一切割道经过封装体及横向部，使封装体与横向部各形成一外侧面，其中横向部的外侧面从封装体的外侧面露出。 根据本专利技术，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一封装体、一芯片、一第一导电架、一第二导电架及一第一线路层。封装体具有一外侧面及相对的一上表面与一下表面。芯片受到封装体包覆且具有一主动面，主动面从封装体的上表面露出。第一导电架包括相连接的一直立部及一横向部，直立部从封装体的上表面延伸至封装体的下表面，横向部从直立部延伸至封装体的外侧面并具有一外侧面及一下表面，横向部的外侧面从封装体的外侧面露出，而横向部的下表面从封装体的下表面露出。第二导电架与第一导电架隔离且具有一下表面，第二导电架的下表面从封装体的下表面露出。第一线路层横向地延伸于第二导电架的上表面与芯片的主动面之间，以电性连接第二导电架与芯片。 为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下: 【附图说明】 图1A绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的剖视图。 图1B绘示图1A的半导体封装件的俯视图。 图1C绘示图1A的半导体封装件的仰视图。 图2A绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图2B绘示图2A的半导体封装件的俯视图。 图3A绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图3B绘示图3A的俯视图。 图4绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图5绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图6绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图7绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图8绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图9绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图10绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图11绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图12A绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图12B绘示图12A的半导体封装件的俯视图。 图13绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图14A至141绘示图1A的半导体封装件的制造过程图。 图15A至15B绘示图2A的半导体封装件的制造过程图。 图16A至16C绘示图3A的半导体封装件的制造过程图。 图17A至17B绘示图6的半导体封装件的制造过程图。 图18绘示图7的半导体封装件的制造过程图。 图19绘示图9的半导体封装件的制造过程图。 图20A至20D绘示图10的半导体封装件的制造过程图。 图21A至21F绘示图11的半导体封装件的制造过程图。 图22绘示图12A的半导体封装件的制造过程图。 图23绘示图13的半导体封装件的制造过程图。 主要元件符号说明: 10:载板 100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300:半导体封装件 110:芯片 110a:主动面 110b:背面 110s、120s、131s、132s:外侧面 111:接垫 112:图案 120:封装体 120b、130b、131b、132b、135b、140b:下表面 120u、131u、132u、135u、140u:上表面 120r:凹陷部 130’:导电架 130、930:第一导电架 131:横向部 132:直立部 130sl、140sl:侧面 135:连接部 140:第二导电架 145:表面保护层 150:第一线路层 151:第一走线 160:第一保护层 160a:第一开孔 170:电性接点 171:较大电性接点 172:较小电性接点 250:第二线路层 251:第二走线 252:图案走线 260:第二保护层 260a:第二开孔 411:主动元件 412、1210:被动元件 413:电性接点 680:黏贴层 690:散热片 980:覆盖层 1310:保护层 Pl:切割道 【具体实施方式】 请参照图1A，其绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100包括芯片110、封装体120、至少一第一导电架130、至少一第二导电架140、表面保护层145、第一线路层150、第一保护层160及至少一电性接点170。 芯片110具有外侧面IlOs及相对的主动面IlOa与背面110b，其中背面IlOb例如是非主动面，然亦可为另一主动面。封装体120具有相对的上表面120u与下表面120b，封装体120包覆芯片110的外侧面110s，使芯片110的主动面IlOa与背面IlOb分别从封装体120的下表面120b与上表面120u露出。由于芯片110的背面IlOb从封装体120的上表面120u露出，可使芯片110的热量通过芯片110的背面IlOb对流至半导体封装件100的外。 封装体120可包括酹醒基树脂(Novolac-based resin)、环氧基树脂(epoxy-based resin)、娃基树脂(silicone-based resin)或其他适当的包覆剂。封装体120亦可包括适当的填充剂，例如是粉状的二氧化硅。可利用数种封装技术形成封装体120本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，其特征在于，包括：一封装体，具有一外侧面及相对的一上表面与一下表面；一芯片，受到该封装体包覆且具有一主动面，该主动面从该封装体的该下表面露出；一第一导电架，包括相连接的一直立部及一横向部，该直立部从该封装体的该上表面延伸至该封装体的该下表面，该横向部从该直立部横向地延伸至该封装体的该外侧面并具有一外侧面及一下表面，该横向部的该外侧面从该封装体的该外侧面露出，而该横向部的该下表面从该封装体的该下表面露出；一第二导电架，与该第一导电架隔离且具有一下表面，该第二导电架的该下表面从该封装体的该下表面露出；以及一第一线路层，横向地延伸于该第二导电架的该下表面与该芯片的该主动面之间，以电性连接该第二导电架与该芯片。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括: 一封装体，具有一外侧面及相对的一上表面与一下表面； 一芯片，受到该封装体包覆且具有一主动面，该主动面从该封装体的该下表面露出； 一第一导电架，包括相连接的一直立部及一横向部，该直立部从该封装体的该上表面延伸至该封装体的该下表面，该横向部从该直立部横向地延伸至该封装体的该外侧面并具有一外侧面及一下表面，该横向部的该外侧面从该封装体的该外侧面露出，而该横向部的该下表面从该封装体的该下表面露出； 一第二导电架，与该第一导电架隔离且具有一下表面，该第二导电架的该下表面从该封装体的该下表面露出；以及 一第一线路层，横向地延伸于该第二导电架的该下表面与该芯片的该主动面之间，以电性连接该第二导电架与该芯片。2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该直立部具有一下表面，该半导体封装件更包括: 一较大电性接点，形成于该横向部的该下表面与该直立部的该下表面上；以及 一较小电性接点，形成于该第二导电架的该下表面与该芯片的该主动面的一者。3.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该横向部的该外侧面与该封装体的该外侧面对齐。4.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，更包括: 一被动元件，设于该横向部的上表面上并受到该封装体的包覆。5.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该芯片具有一相对该主动面的背面，该直立部与该第二导电架各具有一上表面，该芯片的该背面、该直立部的该上表面、该第二导电架的该上表面与该封装体的该上表面对齐。6.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该直立部具有一外侧面，该横向部具有一上表面，该封装体包覆该直立部的该外侧面与该横向部的该上表面。7.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该芯片具有相对该主动面的一背面，且该背面从该封装体的该上表面露出，更包括: 一第二线路层，横向地延伸于该直立部的上表面、该芯片的该背面与该第二导电架的上表面之间，以电性连接该第一导电架与该第二导电架。8.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该芯片更具有相对该主动面的一背面，该半导体封装件更包括: 一保护层，形成于该芯片的该背面上。9.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，更包括: 一第二线路层，横向地延伸于该直立部的上表面与该第二导电架的上表面之间，以电性连接该第一导电架与该第二导电架。10.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该封装体具有一凹陷部，该凹陷部位于该第一导电架与该第二导电架之间。11.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，包括: 设置一主导电架于一载板上，该主导电架包括一第一导电架、一连接部与一第二导电架，该连接部连接该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨俊洋，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71