半导体工艺方法以及半导体结构技术

本发明专利技术提供半导体工艺方法以及半导体结构，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有N型场效应晶体管和P型场效应晶体管；在所述N型场效应晶体管和所述P型场效应晶体管表面形成一第一保护层；对所述第一保护层进行一离子注入过程和一峰值退火过程，形成第二保护层；对所述P型场效应晶体管的所述第二保护层和所述半导体衬底进行选择性刻蚀，形成漏凹槽、源凹槽；在所述漏凹槽和所述源凹槽中生长一半导体合金层；去除所述第二保护层。本发明专利技术中，抑制半导体合金层在所述第二保护层上沉积，提高半导体合金层生长工艺窗口，改善器件性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺方法以及半导体结构
本专利技术涉及半导体器件制造
，特别是涉及一种半导体工艺方法以及半导体结构。
技术介绍
随着超大规模集成电路技术的迅速发展，场效应晶体管器件(MOSFET)的尺寸在不断减小，如何改善迁移率以及器件性能(特别是PMOS)成为新工艺开发中最难以解决的问题。源漏端嵌入式锗硅技术(EmbeddingSiGe)能够非常有效地改善空穴的迁移率。载流子的迁移率取决于载流子的有效质量和运动过程中受到的各种机制的散射，降低载流子有效质量或者减小散射几率都可以提高载流子的迁移率。源漏端嵌入式锗硅技术通过在沟道中产生单轴压应力来提高PMOS的空穴迁移率，从而提高它的电流驱动能力。其原理是：通过在硅衬底上刻蚀凹槽，选择性地外延生长锗硅(GeSi)层，因锗硅晶格常数与硅的不匹配，在垂直沟道方向硅晶格受到拉伸产生张应力，沿沟道方向Si晶格受到压缩产生压应力，当施加了适当的应力以后，原子之间的作用力会随之变化，从而使原来简并的能带发生偏移或者分裂，进而可以降低载流子有效质量或者减小散射几率，最终使得载流子的迁移率得到提高。此外，由于锗硅具有较小的电阻率，可提高电流驱动能力。现有的源漏端嵌入锗硅技术的各步骤相应结构的剖面示意图具体请参考图1a至图1d。参考图1a，首先提供半导体衬底1000，所述半导体衬底1000上形成有N型场效应管晶体管1100和P型场效应晶体管1200。较佳的，所述N型场效应晶体管和所述P型场效应晶体管之间有浅沟槽隔离结构1300。所述N型场效应晶体管有一栅极1110，所述栅极1110包括栅极氧化层1111以及覆盖栅极氧化层1111的栅极电极1112。所述P型场效应晶体管有一栅极1210，所述栅极1210包括栅极氧化层1211以及覆盖栅极氧化层1211的栅极电极1212。所述半导体衬底1100上有一第一保护层1400。现有技术中，所述半导体衬底1000为硅衬底，所述第一保护层1400为氮化硅。参考图1b，在所述N型场效应晶体管上形成一光阻1120，刻蚀所述P型场效应晶体管1200的所述第一保护层1400和所述半导体衬底1100，形成漏凹槽1230、源凹槽1240，在所述漏凹槽1230和所述源凹槽1240生长一半导体合金层1250，如图1c所示。现有技术中，所述半导体合金层1250的材料为硅锗合金，采用外延工艺在所述漏凹槽1230和所述源凹槽1240内生长所述半导体合金层1250，所述漏凹槽1230和所述源凹槽1240内通入二氯二氢硅(DCS)、氯化氢(HCl)、四氢化锗(GeH4,)气体生长所述半导体合金层1250。参考图1d，去除所述光阻1120,和所述第一保护层1400，形成最终的半导体器件结构1。然而，现有的源漏端嵌入锗硅技术中存在以下缺陷：在锗硅外延工艺中，由于是选择性外延工艺，锗硅合金很容易在源漏区的硅表面的沟槽中生长，而多晶硅栅极上由于有氮化硅保护层，锗硅很难在其表面成核生长。但是由于氮化硅中有硅原子的自由悬挂键，并且只要这种自由悬挂键浓度高过一定值，锗硅会在氮化硅上生长，给源漏凹槽区锗硅外延以及后续的氮化硅保护层的去除带来了很大的影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供半导体工艺方法，可以抑制锗硅合金在多晶硅栅极上的沉积，从而不影响后续氮化硅保护层的去除，改善半导体器件的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供的半导体工艺方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有N型场效应晶体管和P型场效应晶体管；在所述N型场效应晶体管和所述P型场效应晶体管表面形成一第一保护层；对所述第一保护层进行一离子注入过程和一峰值退火过程，形成第二保护层；对所述P型场效应晶体管的所述第二保护层和所述半导体衬底进行选择性刻蚀，在所述半导体衬底中形成漏凹槽、源凹槽；在所述漏凹槽和所述源凹槽中生长一半导体合金层；去除所述第二保护层。进一步的，所述半导体衬底为硅衬底。进一步的，所述第一保护层为氮化硅。进一步的，所述离子注入过程注入的离子为碳离子，注入浓度为大于等于5E14。进一步的，所述离子注入过程注入的离子为氮离子，注入浓度为大于等于5E14。进一步的，所述峰值退火过程采用的退火温度为850℃-1150℃。进一步的，通入氮气和氦气进行所述峰值退火过程。进一步的，所述半导体合金层的材料为硅锗合金。进一步的，采用外延工艺在所述漏凹槽和所述源凹槽内生长所述半导体合金层。进一步的，所述漏凹槽和所述源凹槽内通入二氯二氢硅(DCS)、氯化氢(HCl)、四氢化锗(GeH4,)气体生长所述半导体合金层。根据本专利技术的另一面，还提供一种采用如上任意一项所述半导体工艺方法制备的半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有N型场效应晶体管和P型场效应晶体管；所述P型场效应晶体管的所述半导体衬底中形成有漏凹槽、源凹槽；所述漏凹槽和所述源凹槽中生长有一半导体合金层。与现有技术相比，本专利技术提供的半导体工艺方法具有以下优点：在所述N型场效应晶体管和所述P型场效应晶体管表面形成一第一保护层，对所述第一保护层进行一离子注入过程和一峰值退火过程，使得所述第一保护层中的自由悬挂键与注入的离子反应形成稳定的共价键，从而形成第二保护层的结构，抑制所述半导体合金层在所述第二保护层上沉积，从而不影响后续对所述第二保护层的去除，使得所述半导体合金层合金生长工艺窗口得到明显的提高，改善半导体器件的性能。附图说明图1a至图1d为现有的源漏端嵌入锗硅技术的各步骤相应结构的剖面示意图；图2为本专利技术一实施例中半导体工艺方法的流程图；图3a至图3e为本专利技术一实施例中半导体工艺方法中各步骤相应结构的剖面示意图；图4为本专利技术一实施例中半导体合金层在不同衬底上成膜厚度与成核时间的关系。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的半导体工艺方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本专利技术的核心在于，提供的半导体工艺方法具有以下优点：在所述N型场效应晶体管和所述P型场效应晶体管表面形成一第一保护层，对所述第一保护层进行一离子注入过程和一峰值退火过程，使得所述第一保护层中的自由悬挂键与注入的离子反应形成稳定的共价键，从而形成第二保护层的结构，抑制所述半导体合金层在所述第二保护层上沉积，从而不影响后续对所述第二保护层的去除，使得所述半导体合金层合金生长工艺窗口得到明显的提高，改善半导体器件的性能。具体的，结合上述核心思想，本专利技术提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体工艺方法，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有N型场效应晶体管和P型场效应晶体管； 在所述N型场效应晶体管和所述P型场效应晶体管表面形成一第一保护层； 对所述第一保护层进行一离子注入过程和一峰值退火过程，形成第二保护层； 对所述P型场效应晶体管的所述第二保护层和所述半导体衬底进行选择性刻蚀，在所述半导体衬底中形成漏凹槽、源凹槽； 在所述漏凹槽和所述源凹槽中生长一半导体合金层； 去除所述第二保护层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有N型场效应晶体管和P型场效应晶体管；在所述N型场效应晶体管和所述P型场效应晶体管表面形成一第一保护层；对所述第一保护层进行一离子注入过程和一峰值退火过程，形成第二保护层；对所述P型场效应晶体管的所述第二保护层和所述半导体衬底进行选择性刻蚀，在所述半导体衬底中形成漏凹槽、源凹槽；在所述漏凹槽和所述源凹槽中生长一半导体合金层；去除所述第二保护层。2.如权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。3.如权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述第一保护层为氮化硅。4.如权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述离子注入过程注入的离子为碳离子，注入浓度为大于等于5E14。5.如权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述离子注入过程注入的离子为氮离子，注入浓度为大于等于5E1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昌峰，杨列勇，李润领，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31