本发明是一种接合型晶片的剥离方法，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，其中，所述接合型晶片的剥离方法包括...

本发明涉及氮化物半导体晶圆的制造方法，其为在硅单晶基板上形成氮化物半导体膜的氮化物半导体晶圆的制造方法，所述制造方法的特征在于，作为所述硅单晶基板，使用掺杂有5×10<supgt;14</supgt;个原子/cm<su...

本发明是一种硅晶圆的清洗方法，其为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，该清洗方法包括以下工序：准备露出没有自然氧化膜的裸面的硅晶圆作为所述硅晶圆的工序；及利用包含氢氧化铵和双氧水的水溶液对该已准备的硅晶圆进行清洗，由此将所述硅晶圆的表面和背面或背...

本发明为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，其中，预先获取用含氢氧化铵且过氧化氢浓度为0～0.15wt％的水溶液的清洗液清洗无自然氧化膜的裸面露出的调查用硅晶圆时的表面和背面或背面的粗糙化量与清洗温度、NH<subgt;4</subg...

本发明是一种氮化物半导体基板的制造方法，所述氮化物半导体基板在成膜用基板上形成有氮化物半导体，其特征在于，包含：工序(1)，其在氮气气氛中对由单晶硅构成的成膜用基板进行热处理，由此在所述成膜用基板上形成硅氮化膜；工序(2)，其在所述硅氮...

本发明为一种氮化物半导体基板，其在由单晶硅构成的成膜用基板上成膜有氮化物半导体薄膜，所述氮化物半导体基板的特征在于，在所述成膜用基板的外周部形成有氮化硅膜，在所述成膜用基板和所述氮化硅膜上形成有AlN膜，在所述AlN膜上形成有所述氮化物...

本发明为一种暂时接合晶圆，其特征在于，其为外延功能层与支撑基板暂时接合而成的暂时接合晶圆，该外延功能层在一侧的面上具有极性不同的两个以上的电极，所述外延功能层的具有所述电极的面与所述支撑基板通过未固化的热固化型接合材料而暂时接合。由此，...

本发明提供一种氮化物半导体基板，其包含：层叠有多个层的复合基板；层叠在该复合基板上，且具有中央部的平坦面和位于该平坦面的周围的侧面的氧化硅层或TEOS层；层叠在该氧化硅层或TEOS层上的单晶硅层；及成膜在该单晶硅层上的氮化物半导体薄膜，...

本发明提供一种半导体器件用基板，包含：电阻率100Ω·cm以上的高电阻单晶硅基板；由形成在所述高电阻单晶硅基板上的AlN层构成的第一缓冲层；以及设置在所述第一缓冲层上的氮化物半导体层，其特征在于，在所述高电阻单晶硅基板表面不存在电阻率比...

本发明是一种单晶硅的制造方法，基于利用在提拉炉所具备的上侧线圈和下侧线圈中形成的勾形磁场的CZ法，所述制造方法具有使晶种与硅熔液接触而进行引晶的引晶工序和在将单晶硅扩径后进行的直体工序，所述引晶工序将位于所述提拉炉的中心轴上的磁场极小面...

本发明为一种接合型晶圆，其为外延晶圆与支撑基板通过接合材料而接合的接合型晶圆，该外延晶圆为不同热膨胀系数的材料通过外延生长层叠在生长基板上的具有异质接合结构的外延晶圆，该接合型晶圆的特征在于，所述接合材料的平均厚度为0.01μm以上且0...

本发明提供一种双面抛光方法，其特征在于，对晶圆进行第一抛光，在所述第一抛光后，使用含有水溶性聚合物的浆料对所述晶圆进行15秒以下的第二抛光，所述第一抛光中使用根据(通过动态散射法测定的以体积为基准的平均粒径)/(使用扫描电子显微镜测定的...

本发明是一种碎屑判定方法，使用通过外观检查装置得到的图像判定在晶圆背面的硬激光标记(HLM)的周边产生的碎屑，该方法包含：根据通过外观检查装置得到的灰阶图像算出基准亮度的工序；从灰阶图像提取包含HLM的印字区域的工序；从印字区域将HLM...

本发明是一种碎屑判定方法，根据通过外观检查装置得到的图像判定在晶圆背面的HLM周边产生的碎屑，该方法将图像的亮度数据置换为矩阵数据，提取HLM的印字区域，求出亮度的最小平方面，从印字区域减去最小平方面而求出标准化矩阵数据，将0代入该小于...

本发明是一种无尘室，其特征在于，该无尘室具备设置有物品管理库的储藏区域，所述物品管理库具备上侧开放部、以及构成为能够调整开口率的下侧排气口，所述储藏区域的顶板部具备调节片以及空气吹出口，所述物品管理库的所述上侧开放部及所述空气吹出口以被...

本发明是一种晶圆搬送方法，该晶圆搬送方法在从密闭收纳容器取出晶圆并通过搬送机器人搬送晶圆时，或者将由搬送机器人搬送的晶圆放入密闭收纳容器时，在通过装载端口门所具备的闩锁键驱动机构旋转驱动闩锁键时，使闩锁键以60deg/秒以下的旋转速度进...

本发明涉及半导体基板的热氧化膜形成方法，其具有：准备多个通过清洗而形成的化学氧化膜中的OH基的量不同的半导体基板，以相同的热氧化处理条件对这些半导体基板进行热氧化处理，获取OH基的量与热氧化膜的厚度的第一相关关系的工序；测定以相同的清洗...

本发明是一种无尘室之间的搬送物捆包用的捆包材料，其特征在于，该捆包材料用于在半导体工厂的设为洁净气氛的无尘室之间搬送FOUP或FOSB即搬送物时，对所述搬送物进行捆包，包含具有防尘性和防湿性的无尘布。由此能够提供一种捆包材料，其能够在将...

本发明是一种晶圆标记方法，其使用激光对氮化物半导体基板的缺陷部分施加激光标记，所述氮化物半导体基板是使至少包含GaN层的氮化物半导体层在单晶硅基板上外延生长而成的，将相当于GaN的带隙能量的波长即365nm的±10％以内的波长的激光照射...

本发明为一种紫外线发光元件用外延片，其具有：对紫外光呈透明且具有耐热性的第一支撑基板；通过贴合而接合在该第一支撑基板上的Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;N(0.5＜x≤...