【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种接合型晶片的剥离方法，尤其涉及一种将外延(epitaxial)晶片接合于异质基板的接合型晶片的剥离方法。
技术介绍
1、从原始基板仅分离外延功能层并移载至其他基板的技术是对于缓和起因于原始基板的物性的限制，提高元件系统的设计自由度而言为重要的技术。
2、为了实现所述移载，需要将外延功能层接合至永久基板后去除原始基板而实现移载的技术。
3、专利文献1中，公开了：将半导体外延基板与临时支撑基板经由介电层而热压接接合的技术、与利用湿式蚀刻来分离临时支撑基板与外延功能层的技术。
4、专利文献2中，公开了一种技术：尽管并非与接合性的提高直接相关，但作为接合时的一形态，将透明导电层插入至粘合层与功能层之间。
5、但是，专利文献1中公开的是：将半导体外延基板与所述临时支撑基板经由介电层而热压接接合的技术、与利用湿式蚀刻来分离临时支撑基板与外延功能层的技术，但为了维持临时支撑，存在热条件为一定以下这一限制。因此，在去除原始基板后在外延功能层上制作元件存在限制。
6、而且，在去除原始基板后实施元件工序的情况下，为了获得欧姆接触而需要热工序。但是，若在通过有机接合材而接合的状态下实施形成欧姆接触的热历程，则会从临时支撑变为永久接合(比临时支撑更牢固的接合)，从而导致剥离变得困难。
7、现有技术文献
8、专利文献
9、专利文献1：日本专利特开2021-27301号公报
10、专利文献2：日本专利特开2004-158823号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、本专利技术是有鉴于所述问题而完成，目的在于提供一种分离方法，在作为接合型晶片的、具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合这一利用固化型接合材而牢固地接合的晶片的分离中，元件结构部的残存率高。
3、解决问题的技术手段
4、为了达成所述目的，本专利技术提供一种接合型晶片的剥离方法，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，所述接合型晶片的剥离方法的特征在于，将激光照射至所述接合型晶片，由此来使所述固化型接合材和/或与所述固化型接合材接触的所述元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使所述固化型接合材和/或所述元件结构部的表面分解，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。
5、此种本专利技术的接合型晶片的剥离方法中，通过照射激光，从而能够容易地从元件结构部剥离支撑体。因此，与通过机械加工或蚀刻来去除支撑体的做法相比，能够提高元件结构部的残存率(元件结构部未被破坏而残存的比例)。
6、而且，本专利技术的接合型晶片的剥离方法中，可使所述外延功能层具有发光元件结构。
7、而且，可使所述外延功能层包含algainp系材料。
8、本专利技术可在具有这些结构的接合型晶片的剥离中较佳地采用。
9、而且，本专利技术的接合型晶片的剥离方法中，优选的是，使所述固化型接合材具有热固性、紫外线(ultraviolet，uv)固化性以及常温固化性中的任一种固化特性。
10、此时，优选的是，使所述固化型接合材包含苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂、硅酮树脂中的任一种。
11、本专利技术的接合型晶片的剥离方法在使用此种固化型接合材的情况下尤其适合。
12、而且，优选的是，将所述外延功能层设为外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
13、本专利技术的接合型晶片的剥离方法可较佳地适合于原始用基板已被去除的接合型晶片的剥离。
14、而且，优选的是，使所述异质基板包含蓝宝石、sic、合成石英、石英、玻璃、litao3、linbo3中的任一种材料。
15、此种异质基板能够以对激光的透射性高的方式来选择，适合于本专利技术的接合型晶片的剥离方法。
16、而且，优选的是，将所述激光设为准分子激光。
17、通过像这样使用准分子激光来作为激光，能够更切实地进行接合型晶片的剥离。
18、而且，优选的是，在所述激光照射前，将涂布有粘合剂的临时支撑基板粘接于所述外延功能层的、与所述接合型晶片的所述异质基板为相反侧的面。
19、此时，优选的是，将所述粘合剂设为硅酮。
20、优选的是，使所述临时支撑基板包含蓝宝石、sic、合成石英、石英、玻璃、litao3、linbo3中的任一种材料。
21、通过使用这些临时支撑基板以及粘合剂，能够更顺利地进行接合型晶片的剥离。
22、专利技术的效果
23、本专利技术的接合型晶片的剥离方法中，通过照射激光，从而能够容易地从元件结构部剥离支撑体。在通过激光的照射所进行的剥离中，对元件施加的应力少。因此，与通过机械加工或蚀刻来去除支撑体的做法相比，能够提高元件结构部的残存率(元件结构部未被破坏而残存的比例)。
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1.一种接合型晶片的剥离方法，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，所述接合型晶片的剥离方法的特征在于，
2.根据权利要求1所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述外延功能层具有发光元件结构。
3.根据权利要求1或2所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述外延功能层包含AlGaInP系材料。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述固化型接合材具有热固性、紫外线固化性以及常温固化性中的任一种固化特性。
5.根据权利要求4所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述固化型接合材包含苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂、硅酮树脂中的任一种。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，将所述外延功能层设为外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征
8.根据权利要求1至7中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，将所述激光设为准分子激光。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，在所述激光照射前，将涂布有粘合剂的临时支撑基板粘接于所述外延功能层的、与所述接合型晶片的所述异质基板为相反侧的面。
10.根据权利要求9所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，将所述粘合剂设为硅酮。
11.根据权利要求9或10所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述临时支撑基板包含蓝宝石、SiC、合成石英、石英、玻璃、LiTaO3、LiNbO3中的任一种材料。
12.一种接合型晶片，其特征在于，是将元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于支撑体，所述接合型晶片被用于通过激光的照射所进行的所述元件结构部的剥离。
13.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，所述元件结构部为红色发光二极管芯片。
14.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，所述元件结构部包含AlGaInP系材料。
15.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
16.根据权利要求13所述的接合型晶片，其特征在于，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
17.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
18.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种。
19.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
20.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，
21.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，
22.一种接合型晶片的剥离方法，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合型晶片剥离所述支撑体，所述接合型晶片的剥离方法的特征在于，
23.一种经分离的元件结构部的制造方法，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合型晶片剥离所述支撑体，所述经分离的元件结构部的制造方法的特征在于，
24.一种接合体，将元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于支撑体，其中，所述接合体被用于通过激光的照射所进行的元件结构部的剥离。
25.一种接合体的剥离方法，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合体剥离所述支撑体，所述接合体的剥离方法的特征在于，
26.一种经分离的元件结构部的制造方法，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合体剥离所述支撑体，所述经分离的元件结构部的制造方法的特征在于，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种接合型晶片的剥离方法，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，所述接合型晶片的剥离方法的特征在于，
2.根据权利要求1所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述外延功能层具有发光元件结构。
3.根据权利要求1或2所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述外延功能层包含algainp系材料。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述固化型接合材具有热固性、紫外线固化性以及常温固化性中的任一种固化特性。
5.根据权利要求4所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述固化型接合材包含苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂、硅酮树脂中的任一种。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，将所述外延功能层设为外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述异质基板包含蓝宝石、sic、合成石英、石英、玻璃、litao3、linbo3中的任一种材料。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，将所述激光设为准分子激光。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，在所述激光照射前，将涂布有粘合剂的临时支撑基板粘接于所述外延功能层的、与所述接合型晶片的所述异质基板为相反侧的面。
10.根据权利要求9所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，将所述粘合剂设为硅酮。
11.根据权利要求9或10所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述临时支撑基板包含蓝宝石、sic、合成石英、石英、玻璃、litao3、linbo3中的任一种材料。
12.一种接合型晶片，其特征在于，是将元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于支撑体，所述接合型晶片被用于通过激光的照射所进行的所述元件结构部的剥离。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：石崎顺也，山田雅人，小川敬典，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：
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