【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种接合型晶片的剥离方法，尤其涉及一种将外延(epitaxial)晶片接合于异质基板的接合型晶片的剥离方法。
技术介绍
1、从原始基板仅分离外延功能层并移载至其他基板的技术是对于缓和起因于原始基板的物性的限制，提高元件系统的设计自由度而言为重要的技术。
2、为了实现所述移载，需要将外延功能层接合至永久基板后去除原始基板而实现移载的技术。
3、专利文献1中，公开了：将半导体外延基板与临时支撑基板经由介电层而热压接接合的技术、与利用湿式蚀刻来分离临时支撑基板与外延功能层的技术。
4、专利文献2中，公开了一种技术：尽管并非与接合性的提高直接相关，但作为接合时的一形态，将透明导电层插入至粘合层与功能层之间。
5、但是，专利文献1中公开的是：将半导体外延基板与所述临时支撑基板经由介电层而热压接接合的技术、与利用湿式蚀刻来分离临时支撑基板与外延功能层的技术，但为了维持临时支撑，存在热条件为一定以下这一限制。因此，在去除原始基板后在外延功能层上制作元件存在限制。
6、而且，在去...
【技术保护点】
1.一种接合型晶片的剥离方法，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，所述接合型晶片的剥离方法的特征在于，
2.根据权利要求1所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述外延功能层具有发光元件结构。
3.根据权利要求1或2所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述外延功能层包含AlGaInP系材料。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述固化型接合材具有热固性、紫...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种接合型晶片的剥离方法，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，所述接合型晶片的剥离方法的特征在于，
2.根据权利要求1所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述外延功能层具有发光元件结构。
3.根据权利要求1或2所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述外延功能层包含algainp系材料。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述固化型接合材具有热固性、紫外线固化性以及常温固化性中的任一种固化特性。
5.根据权利要求4所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述固化型接合材包含苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂、硅酮树脂中的任一种。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，将所述外延功能层设为外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述异质基板包含蓝宝石、sic、合成石英、石英、玻璃、litao3、linbo3中的任一种材料。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，将所述激光设为准分子激光。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，在所述激光照射前，将涂布有粘合剂的临时支撑基板粘接于所述外延功能层的、与所述接合型晶片的所述异质基板为相反侧的面。
10.根据权利要求9所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，将所述粘合剂设为硅酮。
11.根据权利要求9或10所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述临时支撑基板包含蓝宝石、sic、合成石英、石英、玻璃、litao3、linbo3中的任一种材料。
12.一种接合型晶片，其特征在于，是将元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于支撑体，所述接合型晶片被用于通过激光的照射所进行的所述元件结构部的剥离。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：石崎顺也，山田雅人，小川敬典，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：
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