外延片及其制造方法技术

本发明专利技术为一种外延片的制造方法，其中，使用减压CVD装置，在减压下将含有硅与碳的吸杂外延膜形成在硅基板上，并在该吸杂外延膜上形成硅外延膜。由此，提供一种低成本且低污染的含有碳的外延片及用以制造该外延片的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种外延片及其制造方法。

技术介绍

1、已知金属污染会使半导体器件的电特性恶化。为了降低金属污染的影响，已广泛地采用准备金属吸杂位点(gettering site)来捕捉金属由此防止对器件区域的金属污染这一方法。作为代表性的实例，可列举出利用了bmd(块体微缺陷(bulk micro defect))的在器件区域下的基板块体的金属吸杂。

2、然而，在背面照射型的固态摄像元件中，呈在表面进行布线并将背面侧薄膜化而使活性层(受光层)露出的结构，因此会有块体的吸杂效果减少这样的疑虑。

3、在以往的背面照射型的固态摄像元件中，提出了一种预先将碳在硅基板表面进行离子注入并在其上进行外延生长，由此主要利用已离子注入的碳来提高吸杂效果的方案(专利文献1)。虽然这是一种优异的方法，但是由于使用离子注入装置，因此存在交叉污染和高成本这样的问题。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2015-216327号公报

技术实现思路p>

1、本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种外延片的制造方法，其特征在于，使用减压CVD装置，在减压下将含有硅与碳的吸杂外延膜形成在硅基板上，并在所述吸杂外延膜上形成硅外延膜。

2.根据权利要求1所述的外延片的制造方法，其特征在于，当形成所述吸杂外延膜时，在133Pa～10666Pa的压力下形成所述吸杂外延膜。

3.根据权利要求1或2所述的外延片的制造方法，其特征在于，当形成所述吸杂外延膜时，在667Pa～2666Pa的压力下形成所述吸杂外延膜。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，当形成所述吸杂外延膜时，将膜厚设为0.025μm～1μm。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种外延片的制造方法，其特征在于，使用减压cvd装置，在减压下将含有硅与碳的吸杂外延膜形成在硅基板上，并在所述吸杂外延膜上形成硅外延膜。

2.根据权利要求1所述的外延片的制造方法，其特征在于，当形成所述吸杂外延膜时，在133pa～10666pa的压力下形成所述吸杂外延膜。

3.根据权利要求1或2所述的外延片的制造方法，其特征在于，当形成所述吸杂外延膜时，在667pa～2666pa的压力下形成所述吸杂外延膜。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，当形成所述吸杂外延膜时，将膜厚设为0.025μm～1μm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，当形成所述吸杂外延膜时，将膜厚设为0.025μm～0.3μm。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，当形成所述吸杂外延膜时，将碳原子浓度设为1.0×1017原子/cm3以上且5.0×1021原子/cm3以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，当形成所述吸杂外延膜时，将碳原子浓度设为1.0×1019原子/cm3以上且1.0×1021原子/cm3以下。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，当形成所述吸杂外延膜时，将碳原子浓度设为1.0×1019原子/cm3以上且5.0×1020原子/cm3以下。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，当形成所述吸杂外延膜时，在含有硅与碳的混合气体气氛下且在550℃～1150℃下形成所述吸杂外延膜。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，当形成所述吸杂外延膜时，在含有硅与碳的混合气体气氛下且在550℃～800℃下形成所述吸杂外延膜。

11.根据权利要求9或10所述的外延片的制造方法，其特征在于，作为所述含有硅与碳的混合气体气氛的硅源，使用sih4、sih2cl2、sihcl3中的至少一种。

12.根据权利要求9～11中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，作为所述含有硅与碳的混合气体气氛的碳源，...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木温，水泽康，松原寿树，阿部达夫，大槻刚，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：