【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种氮化物半导体基板及其制造方法。
技术介绍
1、以gan和aln为首的氮化物半导体能够用于制作使用了二维电子气的高电子迁移率晶体管(hemt：high electron mobility transistor)或高耐压电子器件。
2、难以制作在基板上生长有这些氮化物半导体的氮化物晶圆，作为基板，使用蓝宝石基板或sic基板。然而，为了抑制大口径化和基板的成本，采用了通过在硅基板上进行气相沉积来实行的外延生长(专利文献1)。通过在硅基板上进行气相沉积来实行的外延生长膜的制作由于能够使用比蓝宝石基板或sic基板更大口径的基板，因此器件的生产率较高，在散热性方面有利
3、在硅基板上进行aln缓冲层、缓冲层、gan-hemt结构的外延生长时，边缘附近会产生未能整齐地形成aln缓冲层的部分。若在其上层叠gan层和algan层等，则在未能成膜aln膜的部分，原料的tmg的ga会与si进行反应，产生反应痕迹。该反应痕迹会成为工艺中的扬尘来源。此外，即使贴上sio2保护膜以使得反应痕迹不会产生，保护膜上仍会生长多晶...
【技术保护点】
1.一种氮化物半导体基板，其在由单晶硅构成的成膜用基板上成膜有氮化物半导体薄膜，所述氮化物半导体基板的特征在于，
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体基板，其特征在于，所述氮化硅膜上的所述氮化物半导体薄膜为单晶。
3.一种氮化物半导体基板的制造方法，其特征在于，其包含以下工序：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种氮化物半导体基板，其在由单晶硅构成的成膜用基板上成膜有氮化物半导体薄膜，所述氮化物半导体基板的特征在于，
2.根据权利要求1所述的氮...
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