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本发明为一种氮化物半导体基板，其在由单晶硅构成的成膜用基板上成膜有氮化物半导体薄膜，所述氮化物半导体基板的特征在于，在所述成膜用基板的外周部形成有氮化硅膜，在所述成膜用基板和所述氮化硅膜上形成有AlN膜，在所述AlN膜上形成有所述氮化物半导...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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