硅晶圆的清洗方法及制造方法、清洗液中的过氧化氢浓度的评估方法及管理方法技术

本发明专利技术为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，其中，预先获取用含氢氧化铵且过氧化氢浓度为0～0.15wt％的水溶液的清洗液清洗无自然氧化膜的裸面露出的调查用硅晶圆时的表面和背面或背面的粗糙化量与清洗温度、NH<subgt;4</subgt;OH浓度、H<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;浓度之间的关系，基于该关系，根据所期望的粗糙化量确定清洗温度、NH<subgt;4</subgt;OH浓度及H<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;浓度的粗糙化清洗条件，以该确定的粗糙化清洗条件，清洗无自然氧化膜的裸面露出的粗糙化对象硅晶圆，将表面和背面或背面粗糙化。由此，提供可使硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的清洗方法、可获得选择性地仅将一侧面粗糙化的硅晶圆的硅晶圆制造方法、影响粗糙化行为的清洗液中的微量的过氧化氢浓度的评估方法与管理方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及能够将硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的硅晶圆的清洗方法及制造方法、以及清洗液中的过氧化氢浓度的评估方法及管理方法。

技术介绍

1、用于半导体装置的硅晶圆的制造工序由使用丘克拉斯基法(czochralskimethod，cz法)等培养单晶锭的单晶制造工序、与将该单晶锭切片并加工成镜面状的晶圆加工工序构成，有时为了赋予附加价值，还会进一步包括进行热处理的退火工序、形成外延层的外延生长工序。

2、该加工成镜面状的工序中有dsp(双面抛光)工序与其之后的cmp(单面抛光)工序。更具体而言，从颗粒质量及搬运的角度出发，经dsp加工的晶圆不会进行干燥，而是在根据需要进行清洗后以保管于水中的状态搬运至cmp工序。因此，在cmp工序中，需要利用机器人等卡住保管于水中的晶圆并将其搬运至cmp装置。此外，在cmp加工后，也同样需要卡住被抛光剂或纯水等弄湿的晶圆，根据需要搬运至清洗工序。

3、对于上述的晶圆的加工工序，不是在干燥环境下，而是需要在潮湿环境下搬运晶圆，然而，特别是在这种潮湿环境下，使被卡盘吸附的晶圆脱离时，即便解除卡盘有时仍无本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅晶圆的清洗方法，其为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，该清洗方法的特征在于，具有下述工序：

2.根据权利要求1所述的硅晶圆的清洗方法，其特征在于，在所述清洗液浓度调查工序中，在所述调查用硅晶圆的所述清洗前后利用粒子计数器获取雾度值，并将所述清洗后的雾度值的增加量设为所述粗糙化量。

3.根据权利要求1或2所述的硅晶圆的清洗方法，其特征在于，在所述粗糙化清洗条件确定工序中确定所述粗糙化清洗条件时，以下述方式确定所述粗糙化清洗条件：

4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅晶圆的清洗方法，其特征在于，在所述粗糙化清洗条件确定工序中，将所述清洗液的温度设为80...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种硅晶圆的清洗方法，其为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，该清洗方法的特征在于，具有下述工序：

2.根据权利要求1所述的硅晶圆的清洗方法，其特征在于，在所述清洗液浓度调查工序中，在所述调查用硅晶圆的所述清洗前后利用粒子计数器获取雾度值，并将所述清洗后的雾度值的增加量设为所述粗糙化量。

3.根据权利要求1或2所述的硅晶圆的清洗方法，其特征在于，在所述粗糙化清洗条件确定工序中确定所述粗糙化清洗条件时，以下述方式确定所述粗糙化清洗条件：

4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅晶圆的清洗方法，其特征在于，在所述粗糙化清洗条件确定工序中，将所述清洗液的温度设为80℃以上。

5.一种硅晶圆的制造方法，其特征在于，对通过权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井康太，阿部达夫，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：