【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及半导体封装。具体而言，本技术涉及一种设置有固态图像传感器的半导体封装、半导体设备以及用于制造该半导体封装的方法。
技术介绍
1、常规上，在设置有固态图像传感器的半导体封装中，使用用于截断诸如红外光的不可见光成分的截断滤光器以允许固态图像传感器仅接收可见光成分。例如，提出了一种具有无腔csp(芯片级封装)的半导体封装，其中部署用于截断入射光的远红光成分的多层膜作为截断滤光器(例如，参见ptl 1)。此外，半导体封装的多层膜反射从图像表面反射的光的高阶衍射成分。
2、[引文列表]
3、[专利文献]
4、[ptl 1]
5、jp 2012-175461a
技术实现思路
1、[技术问题]
2、在常规技术中，从图像表面反射的光的高阶衍射成分被多层膜反射，从而抑制耀斑。但是，在常规技术中，随着入射光的入射角增大，多层膜的截断波长向短波长侧偏移。波长偏移妨碍了具有大入射角的红外光成分被充分截断，使得多层膜的光学性能可能劣化。
3、本技术是鉴于这种情况而设计的。本技术的目的是改善设置有光学滤光器的半导体封装中的光学特性。
4、[问题的解决方案]
5、本技术是为了解决该问题而设计的。本技术的第一方面是一种半导体封装，包括：多层膜，其截断入射光的预定红外光成分；吸收膜，其从穿过多层膜的透射光中吸收预定吸收范围的成分；以及传感器基板，其通过对穿过吸收膜的光进行光电转换来生成图像数据，以及用于制造该半
6、第一方面还可以包括玻璃和施加在玻璃与传感器基板之间的密封树脂。这提供了密封传感器基板的效果。
7、在第一方面中，多层膜可以形成在玻璃的两侧中的一侧上，吸收膜可以形成在玻璃的两个表面中的另一个表面与密封树脂之间，并且密封树脂可以在不形成腔体的情况下施加。这提供了抑制由多层膜中的灰尘引起的图像质量劣化的效果。
8、在第一方面中，多层膜可以覆盖玻璃的两侧中的一侧和玻璃侧面，并且吸收膜可以形成在玻璃的两个表面中的另一个表面与密封树脂之间。这提供了密封传感器基板的效果。
9、在第一方面中，多层膜可以包括第一多层膜和第二多层膜，第一多层膜可以形成在玻璃的两侧中的一侧上，并且第二多层膜可以形成在玻璃的两个表面中的另一个表面与密封树脂之间。这提供了改善光学特性的效果。
10、在第一方面中，多层膜可以形成在玻璃的两侧中的一侧上，并且密封树脂可以形成在玻璃的两个表面中的另一个表面与吸收膜之间。这提供了当密封树脂设置为两层时，改善光学特性的效果。
11、在第一方面中，多层膜可以形成在玻璃的两侧中的一侧上，吸收膜可以形成在玻璃的两个表面中的另一个表面与密封树脂之间，并且可以在有腔体的情况下施加密封树脂。这提供了改善具有腔体的csp的光学特性的效果。
12、在第一方面中，吸收膜的折射率与密封树脂的折射率之间的差可以不超过0.3。这提供了减少光学损耗的效果。
13、在第一方面中，玻璃可以具有比吸收膜高的硬度，并且吸收膜可以具有比密封树脂高的硬度。这提供了抑制玻璃裂纹和剥落的效果。
14、在第一方面中，当从与传感器基板的基板表面平行的预定轴观察时，吸收膜可以具有凹形的侧面，并且当从该预定轴观察时，密封树脂可以具有凸形的侧面。这提供了抑制底部填充剂到达玻璃的效果。
15、在第一方面中，多层膜可以截断波长超过随着入射光的入射角增大而减小的截断波长的红外光成分，并且吸收范围可以包括截断波长的波长偏移范围。这提供了充分截断红外光成分的效果。
16、在第一方面中，吸收范围可以是透射率不超过3％的波长范围，并且吸收范围的最大波长和最小波长之间的差可以是50至200纳米。这提供了减少吸收膜的厚度的效果。
17、在第一方面中，吸收范围可以是650至900纳米的波范围内的范围。这提供了吸收红外光成分的效果。
18、在第一方面中，波长偏移范围可以是从比最大波长短100纳米的波长到预定波长的范围。这提供了改善光学特性的效果。
19、在第一方面中，多层膜还可以截断紫外光成分。这提供了改善csp的电阻的效果。
20、在第一方面中，吸收膜可以包含吸收率的最大值在700至800纳米的范围内的花青、酞菁或方酸染料。这提供了700至800纳米范围内的吸收效果。
21、本技术的第二方面是一种半导体设备，包括：光学单元；多层膜，其截断来自光学单元的入射光的预定红外光成分；吸收膜，其从穿过多层膜的透射光中吸收预定吸收范围的成分；以及传感器基板，其通过对穿过吸收膜的光进行光电转换来生成图像数据。这提供了改善半导体设备的光学特性的效果。
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1.一种半导体封装，包括：多层膜，截断入射光的预定红外光成分；
2.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：玻璃；以及
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中多层膜形成在玻璃的两个表面之一上，
4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中多层膜覆盖玻璃的两个表面之一和玻璃的侧面，并且
5.根据权利要求2所述的半导体封装，其中多层膜包括第一多层膜和第二多层膜，
6.根据权利要求2所述的半导体封装，其中多层膜形成在玻璃的两个表面之一上，
7.根据权利要求2所述的半导体封装，其中多层膜形成在玻璃的两个表面之一上，
8.根据权利要求2所述的半导体封装，其中吸收膜的折射率与密封树脂的折射率之间的差不超过0.3。
9.根据权利要求2所述的半导体封装，其中玻璃具有比吸收膜高的硬度，并且
10.根据权利要求2所述的半导体封装，其中当从与传感器基板的基板表面平行的预定轴观察时，吸收膜具有凹形的侧面，并且
11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中多层膜截断波长超过随着入射光的入射角
12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中吸收范围是透射率不超过3％的波长范围，并且
13.根据权利要求11所述的半导体封装，其中吸收范围是650至900纳米的波范围内的范围。
14.根据权利要求11所述的半导体封装，其中波长偏移范围是从比最大波长短100纳米的波长到预定波长的范围。
15.根据权利要求1所述的半导体封装，其中多层膜还截断紫外光成分。
16.根据权利要求1所述的半导体封装，其中吸收膜包含吸收率的最大值在700至800纳米范围内的花青、酞菁或方酸染料。
17.一种半导体设备，包括：光学单元；
18.一种半导体封装的制造方法，该方法包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体封装，包括：多层膜，截断入射光的预定红外光成分；
2.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：玻璃；以及
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中多层膜形成在玻璃的两个表面之一上，
4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中多层膜覆盖玻璃的两个表面之一和玻璃的侧面，并且
5.根据权利要求2所述的半导体封装，其中多层膜包括第一多层膜和第二多层膜，
6.根据权利要求2所述的半导体封装，其中多层膜形成在玻璃的两个表面之一上，
7.根据权利要求2所述的半导体封装，其中多层膜形成在玻璃的两个表面之一上，
8.根据权利要求2所述的半导体封装，其中吸收膜的折射率与密封树脂的折射率之间的差不超过0.3。
9.根据权利要求2所述的半导体封装，其中玻璃具有比吸收膜高的硬度，并且
10.根据权利要求2所述的半导体封装，其中当从与传...
【专利技术属性】
技术研发人员：名取太知，守屋雄介，前田兼作，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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