本发明为一种单晶金刚石膜的形成方法，其为在单晶硅基板上形成单晶金刚石膜的方法，其包括：准备面取向为(100)或(111)的单晶硅基板的第一工序；在含碳气氛下，对所准备的单晶硅基板进行RTA处理，从而在表面形成3C‑SiC单晶膜的第二工序...

本发明提供一种氮化物半导体基板，其为在基板上成膜有氮化物半导体薄膜的氮化物半导体基板，并且，所述氮化物半导体薄膜具有：应力松弛层，其成膜于所述基板上；及GaN层，其成膜于该应力松弛层上且掺杂有碳，所述GaN层具备碳高浓度层及碳低浓度层，...

本发明涉及一种具有微型LED结构体的晶圆，其特征在于，其具有：起始基板、形成在所述起始基板上并具有包含开口部的掩模图案的掩模、及选择性地生长在所述起始基板的与所述掩模图案的所述开口部相对应的部分上的多个外延层结构体，其中，所述多个外延层...

本发明是一种氮化物半导体基板，其在具有表面和背面的单晶硅基板的表面上形成有氮化物半导体薄膜，该氮化物半导体基板的特征在于，所述单晶硅基板至少在所述表面和所述背面具有碳扩散层，且所述碳扩散层的碳浓度为5E+16原子/cm<supgt...

本发明是一种电子器件用基板，其在单晶硅的结合基板上形成有氮化物半导体膜，所述结合基板是由晶面方位为{111}的第一单晶硅基板与晶面方位为{100}的第二单晶硅基板经由氧化膜结合而成的基板，所述第一基板在<110>方向上形成有...

本发明是一种双面研磨装置，具备：上下平台，其分别粘贴有研磨布；浆液供给机构，其将浆液供给到该上下平台之间；以及双面研磨装置用载具，其配设在所述上下平台之间，且形成有保持孔，该保持孔用于保持当研磨时被夹在所述上下平台之间的半导体硅晶圆，其...

本发明是一种捆包体，用于对密闭收纳容器进行捆包，该密闭收纳容器由收纳有晶圆的容器主体和盖体构成，其特征在于，具备：货运箱，其具有收纳有所述密闭收纳容器的壳体和该壳体的罩；以及，缓冲件，其配置于该货运箱内，且保持所述密闭收纳容器；其中，所...

本发明是一种双面研磨装置，其是具有上平台及下平台的晶圆的双面研磨装置，其特征在于，在所述上平台中，在旋转中心与周缘之间设置有多个平台贯通孔，且在所述上平台的与所述下平台对置的研磨面上设置有研磨布，在所述研磨布中，在与所述多个平台贯通孔对...

本发明提供一种接合型半导体晶圆的制造方法，其具有以下工序：使蚀刻停止层在起始基板上生长的工序；通过使具有化合物半导体功能层的外延层在所述蚀刻停止层上生长从而制作外延片的工序；利用干式蚀刻法，在所述化合物半导体功能层形成用以形成元件的隔离...

本发明是一种硅晶圆的清洗方法，其具备：改变SC1清洗条件来进行清洗，制作表面粗糙度不同的晶圆的试验用晶圆的SC1清洗工序；通过氢氟酸清洗，去除因SC1清洗形成的SC1氧化膜的工序；使用具有氧化力的清洗液进行清洗，形成自然氧化膜的工序；取...

本发明提供一种氮化物半导体基板，其是在硅单晶基板上形成有氮化物半导体薄膜的氮化物半导体基板，所述硅单晶基板的碳浓度为5×10<supgt;16</supgt;个原子/cm<supgt;3</supgt;以上且2×...

本发明涉及氧化膜的评价方法，其是利用AFM测得的表面粗糙度Sa值为0.5nm以下的硅基板上的氧化膜的评价方法，其包括：准备形成有氧化膜的被评价基板与基板表面的在空间频率为60～90/μm时的功率谱密度的平均值为0.1nm<supg...

本发明是一种模板组件，是用于晶圆的单面研磨的、晶圆支撑用的模板组件，具备背垫、及沿着该背垫的外周部固定的导环部，所述背垫在支撑晶圆的面上的径向的形状轮廓的PV值为0.9mm以下，支撑晶圆的面的表面粗糙度Ra为1.1μm以下。由此，提供一...

本发明为一种氮化物半导体基板，其为高频用氮化物半导体基板，其特征在于，包含在单晶硅基板上隔着氧化硅层形成有单晶硅薄膜的SOI基板、和形成于该SOI基板上且包含GaN层的氮化物半导体层，所述单晶硅薄膜包含浓度为2.0×10<supg...

本发明为一种异质外延片的制造方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长的异质外延片的制造方法，其中，使用减压CVD装置，并包含：通过氢焙去除所述单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；与将包含碳与硅的源气体供给至所述减压C...

本发明是一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，包含：在残存有加工变质层的裸硅晶圆面内的多个部位，使用拉曼分光显微镜获得硅的一次拉曼峰位置；根据在所述多个部位获得的所述硅的一次拉曼峰位置生成峰偏移的直方图；根据所述直方图算出平均值A和标准偏差...

本发明为一种异质外延膜的制作方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶Si基板上异质外延生长后将其剥离的异质外延膜的制作方法，该制作方法包括：使用减压CVD装置，通过氢焙去除单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；一边供给包含碳与硅的源气体，...

本发明为一种接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下工序：使蚀刻停止层在起始基板上外延生长的工序；使化合物半导体功能层在蚀刻停止层上外延生长的工序；利用干式蚀刻法于所述化合物半导体功能层形成用于形成元件的隔离槽的工序；利用湿式蚀...

本发明为一种接合型半导体晶圆的制造方法，其具有：通过使牺牲层与具有半导体功能层的外延层在起始基板上进行外延生长，制作外延片的工序；利用选择性蚀刻法，以露出所述牺牲层的方式形成元件隔离槽的工序；至少在露出了所述牺牲层的表面形成钝化膜的工序...

本发明为一种外延片的制造方法，其中，使用减压CVD装置，在减压下将含有硅与碳的吸杂外延膜形成在硅基板上，并在该吸杂外延膜上形成硅外延膜。由此，提供一种低成本且低污染的含有碳的外延片及用以制造该外延片的方法。