本发明是一种接合型发光元件晶圆，其是具有包含活性层的外延层的发光元件用外延片与透明基板隔着粘合层进行接合的接合型发光元件晶圆，所述透明基板为可见光透射性且为紫外光透射性，所述粘合层为可见光透射性且为紫外光不透射性，其中，内置于所述外延层...

本发明是一种带有散热器结构的部件（34），其具有基板部件（31）与散热器结构部（9），基板部件（31）形成有集成电路部（10），散热器结构部（9）形成在集成电路部（10）上，带有散热器结构的部件（34）的特征在于，集成电路部（10）形成...

本发明是一种金刚石层的生长方法，是根据微波等离子体CVD法的金刚石层的生长方法，其特征在于，该方法具有以下工序：将基板（2）配置于微波等离子体CVD装置（10）的反应容器（1）内；将原料气体（反应气体）（6）导入反应容器（1）内；以及将...

本发明提供一种受光元件的制造方法，其能够只对析出在晶圆表面的磷析出物进行选择性蚀刻。本发明的受光元件的制造方法，其使用外延晶圆，该外延晶圆是使InP缓冲层、InGaAs光吸收层、InP盖层生长在InP基板上而成，并且，该制造方法包括：在...

本发明为一种异质外延片的制造方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长的异质外延片的制造方法，其包括：使用减压CVD装置，通过氢焙去除单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；一边供给包含碳的源气体，一边在压力为13Pa以上...

本发明为接合型发光元件晶圆的制造方法，通过粘合剂将要成为微LED的发光元件结构与被接合基板加以接合，该方法包含以下步骤：通过粘合剂将发光元件结构与被接合基板加以接合，以获得接合晶圆；以光学方式检查接合晶圆的不良部位，制作去除用地图数据；...

本发明是一种半导体晶圆的制造方法，其具有以下工序：工序(1)，在硅基板上，以第一温度形成掺杂有碳的硅膜；工序(2)，在所述掺杂有碳的硅膜上，以所述第一温度形成未掺杂碳的硅膜，由此得到层叠晶圆；及工序(3)，以比所述第一温度高的第二温度对...

本发明是一种单晶硅的制造方法，其基于使用了会切磁场的CZ法，所述会切磁场由提拉炉所具备的上侧线圈及下侧线圈形成，该单晶硅的制造方法的特征在于，在直体工序中，将单晶硅的转速设为7rpm以上12rpm以下，将石英坩埚的转速设为1.0rpm以...

本发明提供一种单晶硅晶圆的干式蚀刻方法，其为在单晶硅晶圆形成粗糙面的干式蚀刻方法，该干式蚀刻方法中，包括使用表面存在自然氧化膜(SiO<subgt;2</subgt;)的单晶硅晶圆作为单晶硅晶圆，并利用至少含氟的气体对该单晶...

本发明是一种圆筒磨削机，具有：第一检测部、第二检测部，其以非接触方式检测晶棒的一端、另一端与主轴、副轴的接近；以及驱动机构，其能够变更调整副轴侧的第二支承单元的移动速度，在晶棒的一端与副轴的接触支承中，驱动机构调整为移动速度B比移动速度...

本发明提供一种电子器件用基板，其为在硅单晶的结合基板上形成有氮化物半导体膜的电子器件用基板，其中，所述结合基板为晶面取向为{111}的第一硅单晶基板与晶面取向为{111}的第二硅单晶基板隔着氧化膜进行结合而成的基板，所述氧化膜的膜厚为2...

本发明是一种电阻率测量方法，其利用C‑V法对形成于使用低电阻率基板制造出的EPW的EP层的电阻率进行测量，对于利用C‑V法对作为测量对象的EP层的电阻率进行测量而得到的SEMI换算电阻率、或对于对其实施了固定的换算的电阻率，进行基于第一...

本发明为一种外延片，其为于硅基板上形成有与硅不同的半导体材料的外延膜的外延片，并且，对于所述外延膜而言，在将晶圆中心部的膜厚设为1时，晶圆外周部的膜厚小于1。由此，提供一种外延片，其不依赖于硅晶圆的掺杂浓度或品种等，具有低缺陷的异质外延膜。

本发明为一种清洗液，其为用于清洗硅晶圆的清洗液，其特征在于，所述清洗液为包含臭氧的氢氟酸水溶液，在所述清洗液中，氢氟酸浓度为使通过氢氟酸实现的氧化膜蚀刻速率为0.004nm/sec以上的浓度，臭氧浓度为使通过臭氧实现的氧化膜形成速率为0...

本发明提供一种制造多个发光元件的发光元件的制造方法，其具有使包含发光层的外延层在起始基板上生长的工序、及在该发光层上形成用以形成元件的隔离沟槽的工序，将所要制造的所述多个发光元件各自的俯视形状设为具有对称轴的线对称的六边形，该六边形具有...

本发明提供一种多晶硅晶圆的制造方法，其为在硅单晶基板上成膜有多晶硅层的多晶硅晶圆的制造方法，其特征在于，具有：(1)利用CVD法，以1000℃以下的温度在硅单晶基板上成膜第一多晶硅层的工序；(2)利用CVD法，以高于1000℃的温度在所...

本发明提供一种氮化物半导体基板，其是在支撑基板上形成有包含GaN的III族氮化物半导体层的氮化物半导体基板，其特征在于，支撑基板包含：复合基板，其由多个层层叠而成，所述多个层包含多晶陶瓷芯、接合于整个所述多晶陶瓷芯的第一粘合层、层叠于整...

本发明是一种电子器件用基板，其在单晶硅的结合基板上形成有氮化物半导体膜，所述结合基板是隔着氧化膜将第一单晶硅基板与第二单晶硅基板结合而成的基板，其中，所述第一单晶硅基板的晶面取向是{111}，所述第二单晶硅基板的主面相对于晶面取向{10...

本发明是一种高频器件用基板，其特征在于，具有：表面具有凹凸的支撑基板、所述支撑基板的所述表面上的金刚石层、以及所述金刚石层上的硅氧化膜层。由此，提供利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板、以及利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板的...

本发明是一种在硅基板上进行的金刚石生长方法，其特征在于，作为前处理，对所述硅基板表面以使利用拉曼分光法所得的520cm<supgt;‑1</supgt;的峰值的拉曼位移成为0.1cm<supgt;‑1</supg...