本发明是一种DIC缺陷的形状测量方法，其测量硅晶圆的DIC缺陷的形状，包含以下工序：使用粒子计数器，检测所述硅晶圆的主面上的DIC缺陷；特定该检测到的DIC缺陷的位置坐标；以及使用该特定的位置坐标，通过相位偏移干涉法，测量所述检测到的D...

本发明是一种单晶硅基板中的施主浓度的控制方法，其特征在于，基于获取到的相关关系，调整在准备工序中准备的对所述施主浓度进行控制的单晶硅基板的氧浓度和碳浓度，以使第二热处理工序后的对施主浓度进行控制的单晶硅基板中的施主浓度成为目标值。由此，...

本发明提供一种接合晶圆的制造方法，其是将通过使化合物半导体在生长基板上外延生长而成的化合物半导体晶圆与被接合晶圆接合的接合晶圆的制造方法，其特征在于，使所述被接合晶圆的接合面的面积大于所述化合物半导体晶圆的接合面的面积，且将所述被接合晶...

本发明是一种单晶硅基板中的施主浓度的控制方法，具有：第一质子照射工序，在进行第二质子照射工序之前对试验用单晶硅基板照射质子；氢浓度测量工序，测量第一质子照射工序后的试验用单晶硅基板中的氢浓度的深度方向分布；第一热处理工序，对试验用单晶硅...

本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置于该提拉炉的周围，且具有超导线圈，通过对熔融的半导体原料施加水平磁场，从而抑制在坩埚内的对流，超导线圈是鞍型形状，设有2组对置配置的鞍型形状的超导线圈的对，2...

本发明提供一种硅单晶的制造方法，其为在熔融开始前的原料中导入氮化硅粉末并通过切克劳斯基法提拉掺杂有氮的硅单晶的硅单晶的制造方法，其特征在于，基于所述氮化硅粉末中所包含的碳杂质量，以使硅单晶中的碳浓度在容许值以下的方式限制能够使用的氮化硅...

本发明提供一种外延片的制造方法，其为在由包含硅的IV族元素构成的晶圆上形成单晶硅层的外延片的制造方法，其包括：在含氢气氛下，去除所述由包含硅的IV族元素构成的晶圆表面的自然氧化膜的工序；在去除所述自然氧化膜之后，使所述晶圆氧化，从而形成...

本发明是一种单晶制造装置，其利用切克劳斯基法培育单晶，具有：主腔室，其容纳对原料融液进行收纳的坩埚和对原料融液进行加热的加热器；提拉腔室，其连接设置于主腔室的上部，生长的单晶被提拉而收纳于提拉腔室；冷却筒，其以包围提拉中的单晶的方式从主...

本发明涉及一种研磨装置的清洗装置，其具有可旋转的上下平台、及浆料供给喷嘴，一边供给浆料，一边使上下平台旋转，而对夹入的被加工物进行研磨，其特征在于，清洗废液通路，该废液通路形成于支撑下平台而能够与该下平台一起旋转的平台承受台，并用于排出...

本发明提供一种通过有效地冷却培育中的单晶从而能够实现该单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。该单晶制造装置具有：容纳收容原料熔液的坩埚的主室、提拉并收容单晶的提拉室、以及以包围提拉中的单晶的方式从主室的顶部向原料熔液表面延伸并被强制冷却...

本发明涉及一种评价方法，包含以下工序：获得镜面研磨晶圆的整面的厚度方向的形状测量数据；每隔一定的旋转角度在一定间距的点上对晶圆的直径方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分而获得微分分布，比较获得的微分分布，确定切片切断方向；每隔与所确定的...

本发明涉及一种半导体基板的制造方法，通过在单晶硅基板的表面依次形成绝缘膜及半导体单晶层，而制造在所述绝缘膜上具有所述半导体单晶层的半导体基板，至少包含以下工序：在含氮气气氛下对单晶硅基板进行热处理，在所述单晶硅基板的表面形成与所述单晶硅...

本发明提供一种晶圆形状的测量方法，通过平坦度测量机一边保持具有第一主面和第二主面的晶圆的外周一边测量该晶圆的形状，平坦度测量机具有分别位于投入至机内的晶圆的两面侧的第一光学系统与第二光学系统，包括以下工序：第一工序，仅使用第一光学系统和...

本发明涉及半导体基板的评价方法，其评价半导体基板的电气特性，包含以下工序：在半导体基板的表面形成pn结；在晶圆卡盘上搭载半导体基板，晶圆卡盘设置有对半导体基板表面进行光照射的装置及测量照射的光的光量的装置；对半导体基板表面进行预定时间的...

本发明提供一种电子器件用基板，其是在单晶硅的接合基板上形成有氮化物半导体膜的基板，所述接合基板是至少在由单晶硅构成的基底晶片上接合了由单晶硅构成的接合晶片的基板，所述基底晶片由电阻率为0.1Ωcm以下、结晶取向为<100&...

本发明提供碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，其具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA...

本发明是一种电子器件用基板，其是在单晶硅的接合基板上形成了氮化物半导体膜的基板，其特征在于，所述接合基板是接合了多个单晶硅基板而成的基板，厚度大于2000μm，所述多个单晶硅基板是通过CZ法制造的基板，电阻率为0.1Ωcm以下。由此，提...

本发明是制造具备太阳能电池结构且具有驱动电路的电子设备的方法，包括以下工序：准备在初始基板上具有太阳能电池结构的第一晶圆和形成有驱动电路的第二晶圆，其中，在第一晶圆和第二晶圆的任一个上具有多个独立的二极管电路和电容器功能层叠部；以太阳能...

本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其配置有加热器和坩埚并具有中心轴；以及磁场产生装置，其具有超导线圈，磁场产生装置具有四个超导线圈，在由包含X轴和提拉炉的中心轴的剖面划分的两个区域的每一个中，各两个超导线圈配置为相对于剖面线对称，...

本发明提供一种单面抛光方法，其为使用抛光垫进行晶圆的表面的抛光的单面抛光方法，其特征在于，监测所述抛光垫的温度变化，从开始所述抛光时起以第一条件对所述晶圆的表面进行抛光，在所述抛光垫的温度变化从上升变成下降的时间点，从所述第一条件切换成...