本发明的碳化硅单晶生长装置具备：生长容器，其由粘接有晶种基板的生长容器盖体和收纳晶种基板及碳化硅原料的生长容器主体构成；隔热容器，其包围生长容器；温度测量器，其通过设置于隔热容器的温度测量用孔，以测量生长容器内的温度；以及加热器，其加热...

本发明涉及一种贴合SOI晶圆的制造方法，具有以下工序：使用电阻率100Ω

本发明提供一种硅晶圆的清洗方法，其是将硅晶圆进行SC1清洗后，利用具有氧化性的清洗液进行清洗的硅晶圆的清洗方法，其特征在于，通过利用所述具有氧化性的清洗液清洗因所述SC1清洗而形成于该硅晶圆的表面的化学氧化膜，从而使所述化学氧化膜的厚度...

本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的...

本发明提供一种阳极氧化装置，其用于在被处理基板上形成多孔层，所述阳极氧化装置的特征在于，具备：填充有电解质溶液的电解槽；配置于所述电解质溶液中的阳极和阴极；以及使所述电解质溶液中的所述阳极与所述阴极的电极间通电的电源，所述阳极为所述被处...

本发明提供一种铸块的切断方法。技术问题：立即把握浆料的锋利度的降低并马上将其反映于切断条件。解决方案：一种铸块的切断方法，由呈螺旋状卷绕在多个导线器间并沿轴向移动的线材形成线材列，通过一边向铸块与所述线材的接触部供给浆料，一边将所述铸块...

本发明提供一种发光元件的配光特性的调节方法，其为在发光元件的制造中调节配光特性的方法，其中，所述发光元件的制造如下所述：在起始基板上形成发光层及窗口层兼支撑基板，去除起始基板，在第一半导体层表面上形成第一欧姆电极，至少去除第一半导体层及...

本发明提供一种单晶硅基板的分选方法，其具有以下工序：由晶锭制作并准备作为候补的单晶硅基板的准备工序；粒子束照射工序；恢复热处理工序；测定过剩载流子衰减曲线的测定工序；由过剩载流子衰减曲线中的过剩载流子浓度衰减至1/e的时间LT及过剩载流...

本发明提供一种双面研磨装置用载具及其制造方法，其能够提高插入部件相对于上下方向的结合强度并防止偏移、脱落，并且抑制了在形成插入部件时插入部件相对于载具主体的偏移。一种双面研磨装置用载具，其在对半导体晶圆进行双面研磨的双面研磨装置中配设于...

本发明涉及一种研磨头，至少具备：环状的陶瓷环；模板，其贴附于陶瓷环，在模板中衬垫及引导环形成为一体；以及背板，其结合于陶瓷环，并与衬垫及陶瓷环共同形成空间部，其中，晶圆的背面保持于衬垫的下表面部，从而晶圆的表面与贴附在平台上的研磨布滑动...

本发明为一种锭的切断方法，由在多个导线器之间呈螺旋状卷绕且在轴向上移动的金属线形成金属线列，一边从喷嘴向锭与所述金属线的接触部供给浆料，一边将所述锭抵靠至所述金属线列，从而将所述锭切断成晶圆状，其中，从所述喷嘴的、与所述金属线列的移动方...

本发明的目的在于提供一种稳定地测量覆盖物的厚度的覆盖物的厚度测量方法、及能够提高研磨后的晶圆的厚度精度的研磨方法。本发明的覆盖物的厚度测量方法通过将长条膜、树脂及晶圆按照该顺序进行层叠，进行按压使得所述膜与具有平坦面的平台接触并使所述树...

本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其中，使碳化硅原材料在碳化硅单晶生长装置内升华而使碳化硅单晶在晶种基板上生长，所述碳化硅单晶生长装置至少具备生长容器与在该生长容器的周围具有温度测量用的孔的隔热容器，所述制造方法的特征在于，在所述碳化...

本发明提供一种氧浓度评价方法，其通过PL法或CL法评价单晶硅中的氧浓度，该方法中，对单晶硅照射规定照射量的电子束或除碳和氧以外的离子束，于规定温度下测量C线的强度与G线的强度，求出该C线与该G线的强度比(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)...

本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其中，使碳化硅原材料于生长容器内升华，从而使碳化硅单晶在晶种基板上生长，所述制造方法的特征在于，作为所述晶种基板，使用设置于所述生长容器的面为偏移角1°以下的{0001}面、且晶体生长面为凸形状的生长...

本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测量用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器的上部的中心配置晶种基板，于生长容器的下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心...

本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为使固体碳化硅原料于生长容器内升华并使碳化硅单晶在晶种基板上生长的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，将钽(Ta)的粉末与碳的粉末一同混合，并使其附着于所述生长容器内的所述固体碳化硅原料，进行热处理并...

本发明提供一种碳浓度评价方法，其中，向硅晶圆中注入规定的元素的离子，然后利用低温PL法由CiCs复合物的发光强度测定碳浓度，所述碳浓度评价方法的特征在于，以1.1×10

利用喷雾器（4）将样品溶液转换为样品雾气之后，在脱溶媒部（7）通过加热使之进行脱溶媒，将含有经脱溶媒后的样品雾气和载气的样品气体通过样品导入管（9）倒入到电浆炬30。在样品导入管（9）设置添加部（10），其添加含有水分的载气即含水气体。...

本发明为一种单晶硅晶圆的热处理方法，其为在氮化性气氛下对Nv区域的单晶硅晶圆进行RTA热处理后，进行第二热处理而将BMD密度控制至规定的BMD密度的热处理方法，所述单晶硅晶圆的热处理方法中，预先求出BMD密度与RTA温度的关系的关系式，...