发光元件的配光特性的调节方法及发光元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光元件的配光特性的调节方法，其为在发光元件的制造中调节配光特性的方法，其中，所述发光元件的制造如下所述：在起始基板上形成发光层及窗口层兼支撑基板，去除起始基板，在第一半导体层表面上形成第一欧姆电极，至少去除第一半导体层及活性层的一部分，在第二半导体层或窗口层兼支撑基板上形成第二欧姆电极，在窗口层兼支撑基板的光提取面侧形成凹部。在该发光元件的配光特性的调节方法中，预先设定发光元件所需的配光特性，基于该所需的配光特性，进行凹部形成中的凹部形状的调节及窗口层兼支撑基板的表面粗糙化工序中的表面粗糙化区域的调节中的一个以上，从而将所制造的发光元件的配光特性调节为已设定的所需的配光特性。由此提供一种能够将例如配光角度等的配光特性调节为所需的配光特性的发光元件的配光特性的调节方法及发光元件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件的配光特性的调节方法及发光元件的制造方法
本专利技术涉及一种发光元件的配光特性的调节方法及发光元件的制造方法。
技术介绍
板上芯片(COB)等产品由于对LED元件的散热性优异，因此在照明等用途中采用LED芯片安装方法。将LED安装在COB等上时，必须为将芯片直接接合于基板的倒装(Flip)安装。为了实现倒装安装，必须制作发光元件的一个表面上设有极性不同的通电用焊片的倒装芯片。此外，设置有通电用焊片一面的相反侧的表面则必须由具有光提取功能的材料构成。用黄色～红色LED制作倒装芯片时，发光层使用AlGaInP类的材料。由于AlGaInP类材料不存在块状结晶，且以外延法形成LED部，因此对于起始基板，会选择与AlGaInP不同的材料。起始基板大多选择GaAs或Ge，而这些基板对可见光具有光吸收的特性，因此制作倒装芯片时，会去除起始基板。然而，由于形成发光层的外延层为极薄的膜，因此会在去除起始基板后无法自立。因此必须用具有以下功能的材料及构成取代起始基板：对发光层的发光波长而言为大致透明而具有作为窗口层的功能，以及具有充分的厚度以使其自本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件的配光特性的调节方法，其为在发光元件的制造中调节配光特性的方法，其中，所述发光元件的制造具有：/n在起始基板上，用与该起始基板为晶格匹配类的材料，利用外延生长使第一半导体层、活性层及第二半导体层依次生长，从而形成发光层的工序；将窗口层兼支撑基板与所述发光层接合或者使所述窗口层兼支撑基板在所述发光层上外延生长的窗口层兼支撑基板形成工序；去除所述起始基板的工序；在所述第一半导体层表面上形成第一欧姆电极的工序；将所述第一半导体层及所述活性层的一部分去除从而形成去除部的去除工序；在所述去除部的所述第二半导体层或在所述窗口层兼支撑基板上形成第二欧姆电极的工序；以及在所述窗口层兼支撑基板的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180412 JP 2018-0771411.一种发光元件的配光特性的调节方法，其为在发光元件的制造中调节配光特性的方法，其中，所述发光元件的制造具有：
在起始基板上，用与该起始基板为晶格匹配类的材料，利用外延生长使第一半导体层、活性层及第二半导体层依次生长，从而形成发光层的工序；将窗口层兼支撑基板与所述发光层接合或者使所述窗口层兼支撑基板在所述发光层上外延生长的窗口层兼支撑基板形成工序；去除所述起始基板的工序；在所述第一半导体层表面上形成第一欧姆电极的工序；将所述第一半导体层及所述活性层的一部分去除从而形成去除部的去除工序；在所述去除部的所述第二半导体层或在所述窗口层兼支撑基板上形成第二欧姆电极的工序；以及在所述窗口层兼支撑基板的光提取面侧形成凹部的凹部形成工序，
其中，所述调节方法的特征在于，预先设定所述发光元件所需的配光特性，
基于该已设定的所需的配光特性，进行所述凹部形成工序中形成的所述凹部的形状的调节...

【专利技术属性】
技术研发人员：石崎顺也，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP