本发明为一种碳浓度测定方法，其特征在于，按照FZ单晶的原料种类，制作并准备表示通过PL法测得的测定值与碳浓度的关系的标准曲线，选择与测定用半导体试样的原料为相同种类的原料的标准曲线，使用该选择的标准曲线，由所述测定用半导体试样的通过PL...

本发明提供一种硅晶圆的边缘形状评价方法，定义径向基准(L1)、径向基准(L2)、交点(P1)、高度基准面(L3)、h1[μm]、h2[μm]、点(Px3)、直线(Lx)、角(θx)、点(Px0)、δ[μm]、点(Px1)、半径(Rx[μ...

本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其依次包含下述工序：边以第一转速使所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给氢氟酸而进行处理的工序；停止供给所述氢氟酸，且同时不对所述硅晶圆的表面供给纯水，而是边以与所述第一转速相同或较之更快的第二转速使所述...

本发明提供一种气相生长装置以及外延晶片制造方法，其能够抑制由半导体基板与基座间存在的气体造成的半导体基板在基座上的横向打滑。气相生长装置（1）具备：基座（3）；零件（4），其支撑基座（3）；升降杆（5），其在基座3上而独立于基座3进行升...

本发明是一种再装填管，其具备收纳原料的圆筒部件、以及对该圆筒部件的下部的开口部进行开闭的圆锥状的阀门，其特征在于，所述圆筒部件在内周面的下端部具有下部圆锥口部且在比所述下端部的所述下部圆锥口部更靠近上方处具有上部圆锥口部，其中，所述下部...

本发明提供一种研磨方法，其为供给研磨剂，并同时使以研磨头保持的半导体硅晶圆在贴附于平板的研磨布上滑动，从而进行研磨的研磨方法，其中，对半导体硅晶圆依次实施一次研磨、二次研磨、精研磨时，二次研磨由使用含有游离磨粒且不含水溶性高分子剂的碱基...

本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其具有对SOI晶圆实施牺牲氧化处理而对SOI层进行减厚调节的工序，其特征在于，实施牺牲氧化处理的SOI晶圆具有单侧流动形状的膜厚分布，通过使用立式热处理炉，组合非旋转氧化及旋转氧化进行牺牲氧化处理的热...

本发明为一种外延片的制造方法，其在硅基板上形成外延层，其具有在所述外延层中形成原子层的工序，所述原子层由选自氧、碳、氮、锗、锡、硼及磷组成的组中的一种元素的原子形成，且厚度为5nm以下，使用SiH

一种发光组件，包含：第一区域，具有第二半导体层、活性层、第一半导体层及与第一半导体层相接的第一电极；第二区域，具有第二半导体层、活性层及第一半导体层；第三区域，以包围第二区域的方式使至少第一半导体层及活性层除去且将第一区域与第二区域分离...

本发明的目的在于提供使光提取效率提升的通过SiO

本发明是一种吸除层的形成方法，于单晶硅晶圆的内部形成吸除层，其中对该单晶硅晶圆进行激光的照射，将该激光的聚光点对准于该单晶硅晶圆的内部，由此将该单晶硅晶圆的内部的预定的区域予以多晶硅化，而形成作为该吸除层的多晶硅层。

本发明提供一种贴合晶圆的制造方法，其具有使用批处理式离子注入机的离子注入工序，该方法特征在于，向接合晶圆进行离子注入的离子注入工序未在接合晶圆的表面形成绝缘膜，或是通过形成于接合晶圆表面的厚度为50nm以下的绝缘膜，并且相对于接合晶圆的...

本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，其具有：第一研磨工序，向贴附于底板的砂布上供给含有磨粒的碱性水溶液，并使研磨头所保持的硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨；以及第二研磨工序，向所述砂布供给不含磨粒而含有高分子聚合物的碱性水溶液，并使...

本发明是一种工件的切断方法，该方法将表面固定有磨粒的固定磨粒钢线通过卷绕于多个带沟滚筒以形成钢线列，通过使固定磨粒钢线沿轴向往复移动，并且将经由贴附于工件的接合部件而用工件保持装置保持的工件向钢线列切入进给，从而将工件在沿轴向排列的多个...

技术问题：提供一种单晶硅的制造方法，其在通过氮掺杂来促进析出的低/无缺陷结晶单晶硅基板以及外延硅晶片中，即使在顶端的低温/短时间的器件工艺流程中也能够形成充分的BMD，并能够以较高的成品率制造具有较高的吸杂能力的晶片。解决方案：一种单晶...

本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘...

本发明提供一种工件的切断方法，该方法通过线锯进行，在线锯中，将表面固定有磨粒的固定磨粒钢线通过卷绕于多个带沟滚筒以形成钢线列，固定磨粒钢线从一组的卷线器中的其中一个卷线器送出并被卷取至另一个卷线器，通过使固定磨粒钢线沿轴向往复移动，并且...

本发明提供一种铸块的切断方法，该方法通过线锯进行，该线锯以螺旋状卷绕于多个导线器间的于轴向移动的钢线而形成钢线列，将由工件输送机构保持的铸块切入进给至该钢线列，向该铸块与该钢线的接触部供给浆料并将该铸块切断为多个晶圆，其特征在于，预先确...

本发明为一种半导体晶圆的清洗方法，该方法将半导体晶圆插入填充有氢氟酸的氢氟酸槽内而浸渍在所述氢氟酸中，且从所述氢氟酸槽拉出之后，将所述半导体晶圆插入填充有臭氧水的臭氧水槽内而浸渍在所述臭氧水中进行清洗，其特征在于，至少从所述半导体晶圆的...

本发明提供一种晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置，该方法在双面研磨装置中，配设多个双面研磨用载体对晶圆进行双面研磨，在准备由配设于上平板及下平板之间的多个双面研磨用载体所构成的载体组时，对载体组的所有多个双面研磨用载体，取得根据使用形状测...