本发明为一种晶圆的研磨方法，其特征在于，在卸载工序之后且在保持下一个进行研磨的晶圆的装载工序之前，具有：对取出了结束研磨的晶圆后的样板的凹部的深度PDt进行测定的测定工序；计算所测定的凹部的深度PDt与用于研磨前的样板的凹部的深度PD0...

本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘间配设载体，形成于载体的支承孔支承晶圆，并将晶圆夹在上下定盘间而进行双面研磨，其中载体再被配设于双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨晶圆的双面研磨机相异的双面研...

本发明提供一种研磨方法，具有研磨步骤，在对贴附于定盘的研磨布供给研磨浆的同时，通过将以研磨头支承的晶圆予以滑接于该研磨布的表面，而研磨该晶圆的表面，该研磨方法包含：相关关系导出步骤，于进行该研磨步骤之前，预先求得该研磨布的表面温度与使用...

本发明为一种判定自CZ法所制造的单晶硅所切出的硅晶圆的缺陷区域的缺陷区域的判定方法，包含下列步骤：(1)镜面加工该硅晶圆，使其表面的雾度等级在通过使用波长266nm的激光的微粒计数器的雾度测定中为0.06ppm以下；(2)使用得以进行1...

本发明提供一种贴合式晶圆的制造方法，通过离子注入法制作于基底晶圆上具有BOX层及SOI层的贴合式SOI晶圆，透过在含有氩气的氛围下进行平坦化热处理后，进行调整SOI层的膜厚度的牺牲氧化处理，其中，使通过剥离所制作的贴合式SOI晶圆中BO...

本发明是一种单晶制造装置，其特征在于，其具有：测量原料熔液的熔液面位置的至少两个以上不同的熔液面位置测量单元；基于测量的熔液面位置来控制熔液面位置的控制单元；以及判断在熔液面位置测量单元是否发生测量异常的判断单元，通过多个熔液面位置测量...

本发明是一种单晶的制造方法，其在填充工序后，进行坩埚位置设定工序以及熔化工序，所述坩埚位置设定工序包含：将锥形阀的下端配置在比吹扫管的下端更靠下方的位置的步骤；一边测量锥形阀的重量的变化，一边使锥形阀和坩埚以相对接近的方式移动的步骤；根...

本发明涉及一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将均自硅单晶所构成的接合晶圆以及基底晶圆经由硅氧化膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，该制造方法包含：准备电阻率为100Ω·cm以上且初期晶格间氧浓度为10ppma以下的单晶硅晶圆而作为基底晶圆的步骤...

本发明提供一种单晶拉制装置，其具备：拉制炉，其配置有收容熔融的单晶材料的坩埚且具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置在拉制炉周围且具有超导线圈，所述单晶拉制装置特征在于，磁场产生装置以如下方式产生磁场分布：在将含有超导线圈的线圈轴的水平面...

本发明提供一种研磨垫的调节方法，对于研磨垫使用调节头而调节，研磨垫用于研磨贴附于可旋转的圆盘状的平板的晶圆，调节方法包含：通过旋转平板而旋转贴附于平板的研磨垫的同时，于平板的半径方向移动调节头而实施调节，以及因应调节头的自平板的中心的距...

本发明提供一种工件的切断方法，以线锯进行，线锯为将表面固着有磨粒的固定磨粒钢线卷绕于多个带沟滚筒以形成钢线列，在使固定磨粒钢线于轴方向往复驱行的同时，通过将圆柱状的工件对钢线列切断入送，将工件于轴方向并排的多个位置同时切断，其中工件的切...

一种外延晶片的制造方法，其在插入于基座3的贯通孔H中的顶起销4的上面4b1相对于贯通孔H的上侧的开口H1a陷入或突出而具有阶差D的状态下，在载置在基座3上的基板W上使外延层气相外延。利用激光测定从顶起销4的上面4b1至贯通孔H的开口H1...

本发明提供一种单晶晶圆的表内判断方法，包含作为该单晶晶圆，使用具有对于基准方向而左右不对称的结晶面之物，该基准方向是连结该单晶晶圆的端面所形成的方位特定用的切口的中心与该单晶晶圆的中心的方向；正对该左右不对称的结晶面，通过向该单晶晶圆照...

本发明提供一种研磨方法以及一种研磨装置，在通过对设置于以马达所旋转驱动的定盘的冷媒流路供给冷媒而冷却该定盘的同时，通过使以支承机构所支承的晶圆滑接于研磨布而进行研磨加工，其中在该晶圆的研磨加工结束后，在为实施下一个晶圆的研磨加工之前的待...

一种发光组件的安装方法，于起始基板上，以起始基板相晶格匹配系材料，通过磊晶成长依序形成第一半导体层、活性层、第二半导体层及缓冲层；于缓冲层上，以对于起始基板为非晶格匹配系材料，通过磊晶成长形成窗层兼支承基板；去除起始基板；于第一半导体层...

本发明提供一种半导体晶圆的制造方法，包含：自晶棒切割出多个晶圆的切割步骤、将经切割出的多个晶圆的外周部予以倒角的倒角步骤以及将以载体支承外周部的晶圆的双面予以研磨的双面研磨步骤，其中在切割步骤后，于倒角步骤前包含将多个晶圆的翘曲方向排列...

本发明为一种工件支架，使用于以线锯切断工件时，包含：工件板，经由抵板而粘接固定于工件、支架本体、支承工件板，其中在工件的径方向之中，在将与工件板的工件粘接面为平行的方向设为x轴方向、为垂直的方向设为y轴方向的状况下，修正x轴方向的工件的...

本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘...

一种工件的加工装置，包含于外周面在轴方向上形成至少一个第一沟槽的在旋转轴周围得以旋转的中心滚筒、具有供加工工件插入支承的支承孔的载体、将支承工件的载体夹住的状态下而于旋转轴周围得以旋转的上定盘与下定盘、被装设于上定盘的内周部且插入第一沟...

本发明提供一种使外延层在硅的镜面晶片上生长而成的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，具有以下工序：用PL测量装置测量镜面晶片的光致发光(PL)光谱，并调整PL测量装置以使TO线的发光强度为30000～50000计数的工序；对硅外延晶片照射...