硅外延晶片的制造方法以及评价方法技术

本发明专利技术提供一种使外延层在硅的镜面晶片上生长而成的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，具有以下工序：用PL测量装置测量镜面晶片的光致发光(PL)光谱，并调整PL测量装置以使TO线的发光强度为30000～50000计数的工序；对硅外延晶片照射电子束的工序；用调整过的PL测量装置测量来自电子束照射区域的PL光谱的工序；以及将PL光谱的CiCs缺陷所引起的发光强度在TO线的发光强度的0.83％以下、CiOi缺陷所引起的发光强度在TO线的发光强度的6.5％以下的硅外延晶片筛选为合格的工序。由此，提供一种硅外延晶片的制造方法，其能够筛选出在使用硅外延晶片制造摄像器件的情况下白瑕疵不良不成问题的等级的硅外延晶片。

Manufacturing method and evaluation method of silicon epitaxial wafer

The invention provides a manufacturing method of the epitaxial layer grown on silicon wafer surface on silicon epitaxial wafer, which is characterized with the following process: PL measuring mirror wafer photoluminescence (PL) spectra, and adjust the PL measuring device to make the luminous intensity of the TO line is 30000 ~ 50000 counts of silicon epitaxial wafer process; electron beam irradiation process; PL spectra from the electron beam irradiation region with PL measuring device of the adjusted process; and the silicon epitaxial wafer of luminous intensity of the TO line of luminous intensity luminous intensity of the TO line intensity of CiCs defects caused by the PL spectrum 0.83%, the following CiOi defects caused by the following 6.5% screening qualified procedures. Thus, a manufacturing method of silicon epitaxial wafer is provided, which can screen out silicon epitaxial wafers with poor blemish and unproblematic level when using silicon epitaxial wafer to manufacture camera device.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅外延晶片的制造方法以及评价方法
本专利技术涉及一种硅外延晶片的制造方法、使用由该制造方法制造的硅外延晶片制造的摄像器件、以及硅外延晶片的评价方法。
技术介绍
作为用于制作半导体集成电路的基板，主要使用通过CZ(Czochralski)法制作的硅片。在近年的最先进摄像器件(CCD、CMOS图像传感器等)中，会发生被称为白瑕疵的暗电流缺陷。白瑕疵发生的原因被认为是由于存在形成深能级的某种缺陷。具体而言，可列举金属杂质。常见由于金属杂质存在于器件活性区域内而引起白瑕疵不良。作为其它已知的形成深能级的缺陷，列举有CiCs缺陷和CiOi缺陷。CiCs缺陷是晶格间碳和晶格位碳的复合体，CiOi缺陷是晶格间碳和晶格间氧的复合体，由于形成深能级而成为白瑕疵不良的原因。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利公开平4-104042号公报
技术实现思路
(一)要解决的技术问题作为形成深能级的缺陷相对较少的基板，在高灵敏度摄像器件中多使用外延晶片。作为此时发生的白瑕疵不良的原因，可列举外延层中的金属杂质。其它的形成深能级的缺陷有CiCs缺陷和CiOi缺陷。形成这些CiCs缺陷、CiOi缺陷必须存在氧或碳，不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅外延晶片的制造方法，其是使外延层在硅的镜面晶片上生长而成的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，具有以下工序：对所述镜面晶片照射光，用光致发光测量装置测量产生的光致发光的光谱，调整所述光致发光测量装置以使该光谱的TO线的发光的强度为30000～50000计数的工序；对所述硅外延晶片照射电子束的工序；对所述硅外延晶片的电子束照射区域照射光，用所述调整过的光致发光测量装置测量产生的光致发光的光谱的工序；以及将来自所述硅外延晶片的光致发光的光谱的CiCs缺陷所引起的发光的强度在TO线的发光的强度的0.83％以下、CiOi缺陷所引起的发光的强度在TO线的发光的强度的6.5％以下的硅外延晶片筛选为合格...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.20 JP 2015-1024411.一种硅外延晶片的制造方法，其是使外延层在硅的镜面晶片上生长而成的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，具有以下工序：对所述镜面晶片照射光，用光致发光测量装置测量产生的光致发光的光谱，调整所述光致发光测量装置以使该光谱的TO线的发光的强度为30000～50000计数的工序；对所述硅外延晶片照射电子束的工序；对所述硅外延晶片的电子束照射区域照射光，用所述调整过的光致发光测量装置测量产生的光致发光的光谱的工序；以及将来自所述硅外延晶片的光致发光的光谱的CiCs缺陷所引起的发光的强度在TO线的发光的强度的0.83％以下、CiOi缺陷所引起的发光的强度在TO线的发光的强度的6.5％以下的硅外延晶片筛选为合格的工序。2.一种摄像器件，其是使用由权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：水泽康，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP