一种晶圆检测方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆检测方法，应用于晶圆的缺陷检测，其中，包括判断晶圆中当前站点对应的检测区域的类型；若为第一检测区域，先判断第一区域否已检测完毕，若是则退出，如否则对第一区域执行检测以获得一第一缺陷检测结果并判断第一缺陷检测结果是否大于一第一预设值；若是，则记录当前晶圆为不合格，若为第二检测区域，判断第二检测区域是否检测完毕，若第二检测区域已检测完毕，则退出；若第二检测区域未检测完毕，对第二检测区域进行检测以获得第二缺陷检测结果；并判断第二缺陷检测结果是否大于一第二预设值；若是，记录当前晶圆为不合格，若否，晶圆不合格并退出。其有益效果在于提高了检测效率，节省了检测时间。

A method of wafer detection

The invention provides a wafer detection method, defect detection, which is applied to the wafer, including judgment type detection area corresponding to the current site in a wafer; if the first detection area, first determine the first region has been detected, if the exit, otherwise the detection of implementation of article area to obtain a first defect the detection results and determine the first defect detection result is greater than a first preset value; if the current record, wafer is not qualified, if the second detection area, determine the second detection region is detected, if the second detection region has been detected, then exit; if the second detection region is not detected, detection of the second detection region in order to obtain second defect detection results; and determine second defect detection results is greater than a second preset value; if so, record the current wafer To disqualifying, if not, the wafer is unqualified and withdraws. The beneficial effect is that the detection efficiency is improved and the detection time is saved.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆检测方法
本专利技术涉及半导体检测领域，尤其涉及一种晶圆检测方法。
技术介绍
现阶段闪存器件在半导体晶圆中占据着较大的比重，存储器件的结构中包括存储区域和逻辑区域，其中存储区域分布较广，占据整个晶圆内部结构较大的比例，其余相对较小的区域为逻辑区域，相比较存储区域而言，逻辑区域结构简单，缺陷较少。因此在在对存储器件的晶圆缺陷进行检测时，存储区域作为重点的检测区域会做强化扫描，而逻辑区域则相对会用一般的缺陷检测模式进行检测。现有的检测方式存在以下的问题，如在对存储区域或者逻辑区域执行检测，当其缺陷超过标准值时，则需要重新对存储器件中的存储区域和逻辑区域进行再一次扫描以分析逻辑区域的缺陷，因此存在着检测时间耗时较长，影响检测效率的问题。
技术实现思路
针对现有技术中检测晶圆不同的检测区域存在的上述问题，现提供一种旨在实现自动判断检测区域的类型，在不同的检测区域之间可实现切换检测，提高检测效率，节省检测时间的晶圆检测方法。具体技术方案如下：一种晶圆检测方法，应用于晶圆的缺陷检测，其中，提供一晶圆，晶圆的检测区域的类型包括一第一检测区域和一第二检测区域；提供一检测机台，用以获取晶圆于制程工艺中的站点，并根据站点形成对应的检测指令；所述检测机台根据所述检测指令对晶圆执行检测操作；所述晶圆检测方法包括以下步骤：步骤S1、判断晶圆中当前站点对应的检测区域的类型；若为所述第一检测区域，则执行步骤S2；若为第二检测区域，则执行步骤S5；步骤S2、判断所述第一区域是否已检测完毕；若是，则退出；如否，则执行步骤S3；步骤S3、对所述第一次检测区域进行检测以获得一第一缺陷检测结果；步骤S4、判断所述第一缺陷检测结果是否大于一第一预设值；若是，则记录当前晶圆为不合格，并判断所述第二检测区域是否检测完毕若所述第二检测区域已检测完毕，则退出；若所述第二检测区域未检测完毕，执行步骤S5；若否，晶圆不合格并退出；步骤S5、对所述第二检测区域进行检测以获得第二缺陷检测结果；步骤S6、判断所述第二缺陷检测结果是否大于一第二预设值；若是，记录当前晶圆为不合格，并返回步骤S2；若否，晶圆退出。优选的，所述第一检测区域为晶圆的存储区，以及所述第二检测区域为晶圆的逻辑区。优选的，所述第一检测区域为晶圆的逻辑区，以及所述第二检测区域为晶圆的存储区。优选的，所述步骤S1中，判断监测区域的类型方法包括以下步骤：步骤S11、对晶圆的表面进行光谱分析，以获取晶圆的表面的光谱能量值；步骤S12、判断所述光谱能量值是否大于一预设阈值；若是，将所述光谱能量值对应的区域定义为所述第一检测区域；若否，将所述光谱能量对应的区域定义为所述第二检测区域。优选的，所述测试机台提供一检测相机；所述检测相机用以检测所述第一检测区域，并判断获取的所述第一缺陷检测结果是否超过所述第一预设值。优选的，所述测试机台提供一检测相机；所述检测相机用以检测所述第二检测区域，并判断获取的所述第二缺陷检测结果是否超过所述第二预设值。优选的，所述步骤S3中，获取所述第一缺陷检测结果的方法包括：步骤A、通过所述检测机台以获取所述第一检测区域的第一检测图像；步骤B、所述检测机台对所述第一检测图像进行处理以获得由不同灰阶表示的第一数据图像；步骤C、将当前获取的所述第一数据图像与一标准晶圆的第一标准数据图像进行比较，以获得第一比较结果；所述第一比较即所述第一缺陷检测结果。优选的，所述步骤S5中，获取所述第二缺陷检测结果的方法包括：步骤D、通过所述检测机台以获取所述第二检测区域的第二检测图像；步骤E、所述检测机台对所述第二检测图像进行处理以获得由不同灰阶表示的第二数据图像；步骤F、将当前获取的所述第二数据图像与一标准晶圆的第二标准数据图像进行比较，以获得第二比较结果；所述第二比较结果即所述第二缺陷检测结果。上述技术方案具有如下优点或有益效果：可自动判断出当前检测的检测区域的类型，并且当其中的一个检测区域的缺陷超过其对应的预定值时，可自动切换至另一检测区域进行缺陷检测，提高了检测效率，节省了检测时间。附图说明参考所附附图，以更加充分的描述本专利技术的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本专利技术范围的限制。图1为本专利技术一种晶圆检测方法的实施例的流程图；图2为本专利技术一种晶圆检测方法的实施例中，关于获取第一检测结果的流程图；图3为本专利技术一种晶圆检测方法的实施例中，关于获取第二检测结果的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。本专利技术的技术方案中包括一种晶圆检测方法。一种晶圆检测方法的实施例，应用于晶圆的缺陷检测，其中，提供一晶圆，晶圆的检测区域的类型包括一第一检测区域和一第二检测区域；提供一检测机台，用以放置晶圆并对晶圆执行检测操作；如图1所示，晶圆检测方法包括以下步骤：一种晶圆检测方法，应用于晶圆的缺陷检测，其中，提供一晶圆，晶圆的检测区域的类型包括一第一检测区域和一第二检测区域；提供一检测机台，用以获取晶圆于制程工艺中的站点，并根据站点形成对应的检测指令；所述检测机台根据所述检测指令对晶圆执行检测操作；所述晶圆检测方法包括以下步骤：步骤S1、判断晶圆中当前站点对应的检测区域的类型；若为所述第一检测区域，则执行步骤S2；若为第二检测区域，则执行步骤S5；步骤S2、判断所述第一区域是否已检测完毕；若是，则退出；如否，则执行步骤S3；步骤S3、对所述第一次检测区域进行检测以获得一第一缺陷检测结果；步骤S4、判断所述第一缺陷检测结果是否大于一第一预设值；若是，则记录当前晶圆为不合格，并判断所述第二检测区域是否检测完毕若所述第二检测区域已检测完毕，则退出；若所述第二检测区域未检测完毕，执行步骤S5；若否，晶圆不合格并退出；步骤S5、对所述第二检测区域进行检测以获得第二缺陷检测结果；步骤S6、判断所述第二缺陷检测结果是否大于一第二预设值；若是，记录当前晶圆为不合格，并返回步骤S2；若否，晶圆退出。现有的对晶圆执行检测时，通常是对晶圆的存储区和逻辑功能区进行逐一检测，因此每次检测时都需要两次执行，但是在制程工艺中若只针对其中的一个区域进行制程，只需对该区域进行针对性的检测即可，但是现有的检测方法并不能判断出进行制程工艺的区域，在执行检测时，还是进行两次检测即对存储区和逻辑功能区分别进行检测，不仅耗时较长，且检测效率较低；在对晶圆的检测区域执行检测时，为了提高检测效率，本专利技术的技术方案中首先提供一检测机台，用以获取晶圆于制程工艺中的站点，并根据站点形成对应的检测指令；所述检测机台根据所述检测指令对晶圆执行检测操作；对晶圆的工艺站点对应的检测区域进行判断，以判断当前检测是第一检测区域还是第二检测区域；若是判断出是第一检测区域，则检测机台则对第一检测区域执行检测以获取该区域的第一缺陷检测结果，若第一缺陷检测结果不大于第一预定值时，检本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆检测方法，应用于晶圆的缺陷检测，其特征在于，提供一晶圆，晶圆的检测区域的类型包括一第一检测区域和一第二检测区域；提供一检测机台，用以获取晶圆于制程工艺中的站点，并根据站点形成对应的检测指令；所述检测机台根据所述检测指令对晶圆执行检测操作；所述晶圆检测方法包括以下步骤：步骤S1、判断晶圆中当前站点对应的检测区域的类型；若为所述第一检测区域，则执行步骤S2；若为第二检测区域，则执行步骤S5；步骤S2、判断所述第一区域是否已检测完毕；若是，则退出；如否，则执行步骤S3；步骤S3、对所述第一检测区域进行检测以获得一第一缺陷检测结果；步骤S4、判断所述第一缺陷检测结果是否大于一第一预设值；若是，则记录当前晶圆为不合格，并判断所述第二检测区域是否检测完毕若所述第二检测区域已检测完毕，则退出；若所述第二检测区域未检测完毕，执行步骤S5；若否，晶圆不合格并退出；步骤S5、对所述第二检测区域进行检测以获得第二缺陷检测结果；步骤S6、判断所述第二缺陷检测结果是否大于一第二预设值；若是，记录当前晶圆为不合格，并返回步骤S2；若否，则退出。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆检测方法，应用于晶圆的缺陷检测，其特征在于，提供一晶圆，晶圆的检测区域的类型包括一第一检测区域和一第二检测区域；提供一检测机台，用以获取晶圆于制程工艺中的站点，并根据站点形成对应的检测指令；所述检测机台根据所述检测指令对晶圆执行检测操作；所述晶圆检测方法包括以下步骤：步骤S1、判断晶圆中当前站点对应的检测区域的类型；若为所述第一检测区域，则执行步骤S2；若为第二检测区域，则执行步骤S5；步骤S2、判断所述第一区域是否已检测完毕；若是，则退出；如否，则执行步骤S3；步骤S3、对所述第一检测区域进行检测以获得一第一缺陷检测结果；步骤S4、判断所述第一缺陷检测结果是否大于一第一预设值；若是，则记录当前晶圆为不合格，并判断所述第二检测区域是否检测完毕若所述第二检测区域已检测完毕，则退出；若所述第二检测区域未检测完毕，执行步骤S5；若否，晶圆不合格并退出；步骤S5、对所述第二检测区域进行检测以获得第二缺陷检测结果；步骤S6、判断所述第二缺陷检测结果是否大于一第二预设值；若是，记录当前晶圆为不合格，并返回步骤S2；若否，则退出。2.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述第一检测区域为晶圆的存储区，以及所述第二检测区域为晶圆的逻辑区。3.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述第一检测区域为晶圆的逻辑区，以及所述第二检测区域为晶圆的存储区。4.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述步骤S1中，判断监测区域的类型方法包括以下步骤：步骤S11、对晶圆的表面进...

【专利技术属性】
技术研发人员：许向辉，叶林，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31