【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体生产领域，尤其是一种改善晶圆晶边状态的方法以及半导体制造设备。
技术介绍
1、在半导体生产工艺中，mhm(metal hard mask金属硬掩模)腔体会发生arcing(电弧放电)报警，从而影响产品良率。引起arcing报警的原因可能是靶材/套件边缘的毛刺，或者晶圆晶边状态不好，那么如何降低mhm腔体arcing报警就成为了提升产品良率需要解决的问题之一。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种改善晶圆晶边状态的方法以及半导体制造设备，以解决晶圆晶边状态不好时，mhm腔体发生arcing报警，从而影响产品良率的问题。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种改善晶圆晶边状态的方法，包括：
3、在完成碳化硅沉积之后，对晶圆进行背面清洁；
4、对清洁完成的所述晶圆进行监测，获取所述晶圆的晶边状态；
5、基于所述晶圆的晶边状态，重复对所述晶圆进行背面清洁或进入后续工序。
6、可选的，所述对晶圆进行背面清洁
【技术保护点】
1.一种改善晶圆晶边状态的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的改善晶圆晶边状态的方法，其特征在于，所述对晶圆进行背面清洁，包括：
3.如权利要求2所述的改善晶圆晶边状态的方法，其特征在于，通过清洁液剂对所述晶圆的背面和/或晶边位置进行擦拭。
4.如权利要求3所述的改善晶圆晶边状态的方法，其特征在于，所述化学液剂包括氢氟酸；所述清洁液剂包括去离子水。
5.如权利要求1所述的改善晶圆晶边状态的方法，其特征在于，所述晶边状态包括晶边颗粒残留量；
6.如权利要求5所述的改善晶圆晶边状态的方法，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种改善晶圆晶边状态的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的改善晶圆晶边状态的方法，其特征在于，所述对晶圆进行背面清洁，包括：
3.如权利要求2所述的改善晶圆晶边状态的方法，其特征在于，通过清洁液剂对所述晶圆的背面和/或晶边位置进行擦拭。
4.如权利要求3所述的改善晶圆晶边状态的方法，其特征在于，所述化学液剂包括氢氟酸；所述清洁液剂包括去离子水。
5.如权利要求1所述的改善晶圆晶边状态的方法，其特征在于，所述晶边状态包括晶边颗粒残留量；
6.如权利要求5所述的改善晶圆晶边...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡俊晟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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