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本发明提供一种改善晶圆晶边状态的方法以及半导体制造设备，改善晶圆晶边状态的方法包括：在完成碳化硅沉积之后，对晶圆进行背面清洁；对清洁完成的晶圆进行监测，获取晶圆的晶边状态；基于晶圆的晶边状态，重复对晶圆进行背面清洁或进入后续工序。如此配置，...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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