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本发明提供一种使外延层在硅的镜面晶片上生长而成的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，具有以下工序：用PL测量装置测量镜面晶片的光致发光(PL)光谱，并调整PL测量装置以使TO线的发光强度为30000～50000计数的工序；对硅外延晶片照射电子...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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