外延晶片的制造方法技术

一种外延晶片的制造方法，其在插入于基座3的贯通孔H中的顶起销4的上面4b1相对于贯通孔H的上侧的开口H1a陷入或突出而具有阶差D的状态下，在载置在基座3上的基板W上使外延层气相外延。利用激光测定从顶起销4的上面4b1至贯通孔H的开口H1a为止的阶差D，并根据该所测定的阶差D而调节位于基座3的上下的加热器9在外延生长时的输出。由此，提供一种能够容易地调节外延生长时的热源的输出的外延晶片的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】外延晶片的制造方法
本专利技术涉及一种外延晶片的制造方法。
技术介绍
在外延生长时使外延层生长的生长用基板，例如载置于圆盘状的基座上。在该基座上形成有贯通自身正反面的多个贯通孔，在该各贯通孔中，例如，如专利文献1所示，插入有相对于基座能够升降运动的顶起销。通过插入在各贯通孔中的多个顶起销的升降，在顶起销与基座之间进行晶片的交接。在将运送至基座上方的晶片载置在基座上时，使多个顶起销自贯通孔向上方突出，而以利用该突出的顶起销的上面支撑晶片背面的方式接收晶片。然后，保持藉由顶起销支撑晶片的状态使顶起销下降，晶片下降至基座上由此将晶片载置在基座上。将晶片载置在基座上的顶起销在自身的上面陷入贯通孔的同时，在自身的上端部被贯通孔卡住的状态下停止，然后，相对于基座上的晶片使外延层气相外延。在该外延生长时，通过位于基座上下的热源而加热晶片。对晶片进行加热的热还传递至上端部被基座的贯通孔卡住的顶起销，在外延生长时自顶起销散热等，从而在顶起销的周围与其他区域产生温度差。因此，外延生长中的晶片或基座会根据是否为顶起销的周围而局部地产生温度差，若在产生该温度差的状态下外延生长，则外延层的平坦度将恶化。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种外延晶片的制造方法，其在插入于基座的正反面具有开口的贯通孔中的顶起销的上面相对于正面侧的所述开口具有阶差的状态下，通过位于所述基座上下的热源加热而在载置在所述基座上的基板上使外延层生长，其特征在于，包括：调节步骤，其测定从所述状态下的所述开口至所述顶起销的上面为止的阶差，并根据所测定的所述阶差调节位于所述上下的热源的输出。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.19 JP 2014-2578631.一种外延晶片的制造方法，其在插入于基座的正反面具有开口的贯通孔中的顶起销的上面相对于正面侧的所述开口具有阶差的状态下，通过位于所述基座上下的热源加热而在载置在所述基座上的基板上使外延层生长，其特征在于，包括：调节步骤，其测定从所述状态下的所述开口至所述顶起销的上面为止的阶差，并根据所测定的所述阶差调节位于所述上下的热源的输出。2.如权利要求1所述的外延晶片的制造方法，其特征在于：其中，所述调节步骤调节位于所述基座上侧的所述热源与位于所述基座下侧的所述热源的所述输出的比率。3.如权利要求2所述的外延晶片的制造方法，其特征在于：其中，在规定范围内的所述阶...

【专利技术属性】
技术研发人员：针谷秀树，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP