基板处理方法技术

基板处理方法的实施方式可包括：喷射步骤，用于将包括含有硅的源材料的气体喷射到被容置在反应腔室中的基板上；沉积步骤，用于产生包括氧基团的等离子体并在基板上沉积源材料以形成沉积的氧化物膜；和表面处理步骤，用于通过向沉积的膜喷射包括氧基团的等离子体气体对沉积的膜进行等离子体表面处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法
实施方式涉及基板处理方法，其中可满足所需的密度和台阶覆盖率且可明显减少孔洞的产生。
技术介绍
此处描述的内容仅提供实施方式的背景信息，而不构成现有技术。通常，通过经由在基板上多次重复半导体工艺沉积和叠置所需形状的结构，制造半导体存储装置、液晶显示装置、有机发光装置等。半导体制造包括在基板上沉积指定薄膜的工艺、用于暴露薄膜的所选区域的光刻工艺、用于从所选区域去除薄膜的蚀刻工艺等。这种半导体制造在反应腔室内进行，在反应腔室中实现用于相应工艺的最佳环境。使用化学气相沉积(CVD)或者原子层沉积执行基板沉积工艺。在CVD中，由于通过注入用于在基板上沉积的工艺气体在基板上形成沉积膜，因此CVD具有高沉积速度，但是与原子层沉积相比沉积膜具有较低的均匀性和质量。在原子层沉积中，由于通过将源气体、净化气体、反应气体和净化气体顺序注入到基板上经由原子层吸收在基板上形成沉积膜，因此原子层沉积具有沉积膜被均匀沉积在基板上的优点，但是具有低的沉积速度。由于需要形成基板上的装置的高集成度和制造具有3D结构的基板，因此，基板沉积工艺需要将沉积膜形成为具有均匀且高的密度以及沉积中的高均匀性，即高的台本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，包括：朝着被容置在反应腔室中的基板注入包括含有硅的源材料的气体；通过产生包括氧基团的等离子体将所述源材料沉积在所述基板上以形成沉积膜；和通过注入包括氧基团的等离子体气体执行所述沉积膜的表面处理。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.08 KR 10-2014-01746741.一种基板处理方法，包括：朝着被容置在反应腔室中的基板注入包括含有硅的源材料的气体；通过产生包括氧基团的等离子体将所述源材料沉积在所述基板上以形成沉积膜；和通过注入包括氧基团的等离子体气体执行所述沉积膜的表面处理。2.如权利要求1所述的基板处理方法，还包括：在沉积之后第一次判断所述沉积膜是否被形成为预定厚度。3.如权利要求2所述的基板处理方法，还包括：在第一次判断之后，一旦判断所述沉积膜被形成为预定厚度，就通过将净化气体注入到所述反应腔室来第一次净化所述反应腔室的内部。4.如权利要求1所述的基板处理方法，还包括：在表面处理之后：通过将净化气体注入到所述反应腔室中，第二次净化所述反应腔室的内部；和第二次判断所述沉积膜是否形成预定数量的多层。5.如权利要求1所述的基板处理方法，其中所述源材料形成硅氧化物，所述沉积膜是硅氧化物膜。6.如权利要求1所述的基板处理方法，其中在沉积中，通过使用热沉积将所述沉积膜形成在所述基板上。7.如权利要求6所述的基板处理方法，其中使用O2和O3中的至少一种形成等离子体。8.如权利要求2所述的基板处理方法，其中在第一次判断中，如果所述沉积膜的厚度小于预定厚度，则所述基板处理方法返回到注入。9.如权利要求1所述的基板处理方法，其中在执行表面处理中，所述沉积膜收缩，使得所述沉积膜的密度提高。10.如权利要求9所述的基板处...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛昇澈，刘真赫，千珉镐，黄喆周，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR