外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销，外延成长装置能够减少对外延硅晶片的背面产生瑕疵，并且能够减少尘粒附着于晶片的表面。在所述外延成长装置中，在腔室的内部具备：载置硅晶片(W)的基座(4)；从下方支承该基座(4)，并且具有与基座(4)的中心位于同轴上的主柱和从该主柱呈放射状延伸的支承臂(17b)的支承轴；以及插通于设置在基座(4)的贯穿孔(4h)以及设置在支承臂(17b)的贯穿孔(17h)双方，并在铅垂方向上移动自如地配设的顶升销(15)，外延成长装置使该顶升销(15)升降来使硅晶片(W)载置于基座(4)上或与基座(4)分离，所述外延成长装置的特征在于，顶升销(15)的至少其表层区域由硬度低于基座(4)的硬度的材料构成，顶升销(15)的穿过基座(4)的贯穿孔(4h)内的直体部上部区域(15d)的表面粗糙度是0.1μm以上且0.3μm以下，并且顶升销(15)的穿过支承臂(17b)的贯穿孔(17h)内的直体部下部区域(15c)的表面粗糙度是1μm以上且10μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销
本专利技术涉及一种外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销，尤其涉及一种能够减少对外延硅晶片的背面产生瑕疵并且能够减少尘粒附着于晶片的表面的外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销。
技术介绍
硅晶片一般通过如下方法而获得：利用切克劳斯基(Czochralski、CZ)法等培育硅单晶，在将该硅单晶切割成块之后，切成薄片，经平面磨削(研磨)工序、蚀刻工序以及镜面研磨(抛光)工序，最后进行清洗。之后，若通过进行各种质量检查而未确认到异常，则作为产品被出厂。在此，在进一步要求晶体的完整性的情况或需要电阻率不同的多层结构等情况下，在所述硅晶片上进行单晶硅薄膜的气相成长(外延成长)来制造外延晶片。对于外延晶片的制造，例如使用单片式外延成长装置。在此，关于一般的单片式外延成长装置，参考图1进行说明。如图1所示，外延成长装置100具有被上部圆顶11、下部圆顶12以及圆顶安装体13包围的腔室2。该腔室2在其侧面的对置的位置设置有进行反应气体的供给以及排出的进气口31以及排气口32。另一方面，在腔室2内配置有载置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种外延成长装置，其在腔室的内部具备：基座，其载置硅晶片；支承轴，其从下方支承该基座，并且具有与所述基座的中心位于同轴上的主柱和从该主柱呈放射状延伸的支承臂；以及顶升销，其插通于设置在所述基座的贯穿孔以及设置在所述支承臂的贯穿孔双方，并在铅垂方向上移动自如地配设，所述外延成长装置使该顶升销升降来使所述硅晶片载置于所述基座上或与所述基座分离，所述外延成长装置的特征在于，所述顶升销的至少其表层区域由硬度低于所述基座的硬度的材料构成，所述顶升销的穿过所述基座的贯穿孔内的直体部上部区域的表面粗糙度是0.1μm以上且0.3μm以下，并且，所述顶升销的穿过所述支承臂的贯穿孔内的直体部下部区域的表面粗糙度是...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.29 JP 2015-1099371.一种外延成长装置，其在腔室的内部具备：基座，其载置硅晶片；支承轴，其从下方支承该基座，并且具有与所述基座的中心位于同轴上的主柱和从该主柱呈放射状延伸的支承臂；以及顶升销，其插通于设置在所述基座的贯穿孔以及设置在所述支承臂的贯穿孔双方，并在铅垂方向上移动自如地配设，所述外延成长装置使该顶升销升降来使所述硅晶片载置于所述基座上或与所述基座分离，所述外延成长装置的特征在于，所述顶升销的至少其表层区域由硬度低于所述基座的硬度的材料构成，所述顶升销的穿过所述基座的贯穿孔内的直体部上部区域的表面粗糙度是0.1μm以上且0.3μm以下，并且，所述顶升销的穿过所述支承臂的贯穿孔内的直体部下部区域的表面粗糙度是1μm以上且10μm以下。2.根据权利要求1所述的外延成长装置，其中，所述顶升销的至少其表层区域包含玻璃状碳，所述基座的至少其表层区域包含碳化硅SiC，所述支承臂包含石英。3.根据权利要求1或2所述的外延成长装置，其中，所述顶升销的下端部被实施了圆角加工...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱井雅哉，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP